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存储器和可编程逻辑器件(9)

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N沟道的FAMOS管存储单元出厂时FAMOS关断-存“1” Wi=1,在位线Bj上加正电压， FAMOS管雪崩击穿，浮栅上注入正电荷，FAMOS管导通，存储单元中内容由1变0。

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