存储器和可编程逻辑器件(17)

二. RAM存储单元 静态NMOS六管存储单元T1 , T2反相器 T3 , T4反相器

基本R S FF

T1通, T3止 存“0” T1止, T3通 存“” 1T5 , T6门控管 字线X i 1时，T5 , T6通 Q(Q)出现在位线Bj T7 , T8门控管 位选线Y j 1时，T7 , T8通 位线B和D( D)接通R / W 读写线： R / W= 1时，读出 R / W 0时，写入 D I /O I / O D( D) Q(Q)

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