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存储器和可编程逻辑器件(7)

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TWi为写入管，TRi为读出管。改写内容过程： VCC由+5V提高到+6V 令Wi=1

数据线Di加负电压(-2V)形成大电流将熔丝烧断，所存信息由1改为0具有读写电路的PROM存储单元

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