60、某三变量函数 Y?BC?ABC ,请写出该函数的最小项的表达式Y= m1+m3+m7 。
61、指出下列各图中74HC系列CMOS门电路的输出状态(低电平在括号内填L,高电平在括号内填H,高阻态在括号内填Z)。
62、指出下列各图中74系列TTL门电路的输出状态(低电平在括号内填L,高电平在括号内填H,高阻态在括号内填Z)。
63、完成数字转换
(245)D=( E5)H =( 11110101)B。
64、十进制数(156)D= (9C)H = (10011100)B 。 65、完成数字转换(11010011)B= (D3)H = (211)D 。
66、若要对全班50位同学进行编码,该编码器至少应设 50 个输入端口, 6 个输出端口。 67、数字译码器输入的是 二进制代码 ,输出的是 一系列高低电平信号 ,用以驱动数码管。 68、已知某逻辑电路的输入,输出电压波形如图所示,该电成的逻辑功能是 同或 功能。
路完
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69、一个32选1的数据选择器有 5 个选择控制信号输入端,用它来产生组合逻辑函数,逻辑函数的逻辑变量最多可达 6 个。
70、优先编码器和普通编码器的区别是 前者可以同时输入几个电信号,后者每次只能输入一个电信号 。 71、二进制编码器,输入的是 高低电平 信号,输出的是 二进制代码 ,译码器的功能是编码器的逆过程。
72、电源电压为VDD的CMOS反相器其阈值电压为
VDD/2。
73、电路如题73图所示,则输出端的状态为 高阻 。
74、在计数电路中,同步置数是指 预置端电平有效的情况下,还要加入时钟脉冲时序电路才会预置送数 ,异步置数是指 只要预置端电平有效的情况下就能完成预置送数,与时钟脉冲无关 。
75、扭环形电路如题75图所示,若初始状态Q0Q1Q2Q3=0000,经4个CP脉冲,状态变为Q0Q1Q2Q3= 1111 ,当CP端不断输入系列脉冲,该电路完成一次循环需要 8 个CP脉冲。
76、四位扭环形移位寄存器,初始状态Q3Q2Q1Q0?1100,数码串行出入端为D0,经过三个脉冲后并行输出状态Q3Q2Q1Q0? 0001 。
77、四位扭环形移位寄存器,初始状态Q3Q2Q1Q0?0000,数码串行输入端为D0,经过两个脉冲后并行输出状态Q3Q2Q1Q0? 0011 。
78、电路如图所示,若初始状态Q0Q1Q2Q3=1000,经两个CP脉冲,状态变为 0010 ,当CP端不断输入系列脉冲,该电路完成一次循环需要 4 个CP脉冲。
79、在CP作用下,欲使D触发器具有Qn?1?Q的功能,其D端应接
nQn。
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80、顺序脉冲发生器一般由 计数器 和 译码器 两部分组成,以产生先后顺序的脉冲,实现机器的协调工作。
81、JK触发器如题81图所示, 触发器初始状态为0, 当时钟脉冲个触发沿到来时触发器的状态为 1 。时钟脉冲继续持续跳变时触的状态 维持不变 。
82、把JK触发器转换为D触发器的方法是J=K=T 。
83、D触发器如题83图所示,触发器初始状态为0,当时钟脉冲第一个沿到来时触发器的状态为 1 。时钟脉冲继续持续跳变时触发器的为 计数状态 。
84、构成100进制的计数器,至少需要 7 触发器。
85、由同一时钟脉冲控制的时序逻辑电路称为 同步 时序逻辑电路;由不同时钟脉冲控制的时序逻辑电路称为 异步 时序逻辑电路。异步时序电路的响应速度要比同步时序电路的响应速度 慢 。
86、由12个触发器构成的计数器,其最大计数的模为
触发状态第一发器
J?D,K?D .把JK触发器转换为T触发器的方法是
212 ,由两片8位二进制计数器可以构成模为
216的最大计数器。
87、由4线16线译码器产生组合逻辑函数,函数的逻辑变量最多为 4 个,译码器所有输出端产生的最小项可达 16 个。
88、仅具有翻转和保持功能的是 T 触发器,仅具有翻转功能的是T?触发器。
89、用555定时器构成多谐振荡器,外接电容C=0.1μF,若充电回路的电阻为20kΩ,放电回路的电阻为10kΩ,则输出波形的振荡频率为 476Hz ,占空比为 2/3 。 90、电路如题90图所示555定时器构成了 多谐震荡器 ,电压UDD=12V,其输出波形的频率f=
当电源的最高
1Hz,电容C
0.7(R1?2R2)C电压为 8V ,电容C的最低电压为 4V 。
91、由555定时器构成的单稳态触发器,其触发脉冲为(正或负) 负 稳定状态为“0”,暂稳状态为“1”,若外接充电回路的时间常数为暂稳态持续的时间为 1.1RC 。
脉冲,RC,则
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92、用555定时器构成的单稳态触发器,当电源电压UDD=12V,外接R=100kΩ,C=10uF时,输出脉冲宽度tPH= 1.1ms ,电容C的转折电压(最高电压)为 8V ,要求触发负脉冲的宽度(填定性关系) 小于 输出脉冲的宽度,输出脉冲的频率(填定性关系) 等于 触发脉冲的频率。
93、存储器ROM和RAM基本结构的最大相同点是 都有地址译码器和存储矩阵 ,存储器ROM和RAM功能上两个最大不同点是(1) ROM只能读出信息而不能写入信息;RAM可以随时读写信息 ,(2) ROM断电时不会丢失信息,RAM断电时会丢失信息 。
94、为构成4096×8的RAM,需要 8 片1024×4的RAM,并且要有 12 位地址译码,以完成寻址操作。
95、为了构成4K×16位的RAM,需要 8 块1K×8位的RAM,地址线的高 2 位由译码器地址输入端承担,,地址译码使用的是 2线4线 译码器。
96、试分析题96图所示电路扩展后的RAM有 10位 地址码,有 1K 字,每字有 16 位,有 1K×16 存储单元。
97、试分析图6所示电路扩展后的RAM有 12位 地址码,有 4K 字,每字有 8 位,有 4K×8 存储单元。
98、A/D转换器的转换精度是指 分辨率 和 转换误差 两个指标。
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99、某倒T形电阻网络4位D/A转换器,设参考电压UREF??8V,RF?R, 则输出模拟电压的最小值为 0.5V ,输出模拟电压最大值为 7.5V 。 二、选择题
1、在室温附近,当温度升高时,杂质半导体中浓度明显增加的是( C )。 A、所有载流子 B、多数载流子 C、少数载流子 D、正负离子 2、P型半导体的多数载流子是( A )。
A. 空穴 B.自由电子 C.正离子 D.负离子 3、N型半导体的多数载流子是( B )。
A. 空穴 B. 自由电子 C. 正离子 D. 负离子 4、N型半导体(C )。
A、带正电 B、带负电 C、呈中性 D、无法确定 5、二极管的伏安特性曲线的反向部分在环境温度升高时将( D )。 A 、右移 B、左移 C、上移 D、下移 6、 PN结不加外部电压时,PN结中的电流为( B )。 A、只从P区流向N区 B、等于零 C、只从N区流向P区 D、无法判别
7、N型半导体是在本征半导体中加入以下物质后形成的( D )。 A、电子 B、空穴 C、三价硼元素 D、五价磷元素
8、当环境温度升高时,二极管的反向饱和电流Is将增大,是因为此时PN结内部的( B )。 A. 多数载流子浓度增大 B. 少数载流子浓度增大 C. 多数载流子浓度减小 D. 少数载流子浓度减小 9. 电路如图所示,其输出波形为( B )。
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