基于Multisim的调频电路设计与仿真(13)

调频波的二次谐波失真系数为kf2 2 w m r 1 4 2 (3-14) c．调频波会产生中心频率偏移，其偏离值为 r r wc 1 m2wc 8 2 (3-15) 中心角频率的相对偏离值为 wcr r 2 1 m wc8 2 (3-16)

综上所述，若要调频的频偏大，就需增大m，这样中心频率偏移量和非线性失真量也增大。在某些应用中，要求的相对频偏较小，而所需要的m也就较小。因此，这时即使γ不等于2，二次谐波失真和中心频率偏移也不大。由此可见，在相对频偏较小的情况下，对变容二极管γ值的要求并不严格。

(2).变容二极管部分接入振荡回路

变容二极管的结电容作为回路总电容的调频电路的中心频率稳定度较差，这是因为中心频率fc决定于变容二极管结电容的稳定性。当温度变化或反向偏压VQ不稳时，会引起结电容的变化,它又会引起中心频率较大变化。为了减小中心频率不稳,提高中心频率稳定度，通常采用部分接入的办法来改善性能。变容二极管部分接入振荡回路的等效电路如图3-3（a）所示。变容二极管和Cc串联，再和C1并联，构成振荡回路总电容C∑

C C1 CcCj Cc Cj (3-17)

加调制信号uΩ(t)=UΩm cosΩt后，总回路电容C∑为

CcCjQ/(1 mcos t)r

C C1 Cc Cj/(1 mcos t)r

CcCjQ C1 Cc(1 mcos t)r CjQ (3-18)

相应的调频特性方程为

w(t) (3-19)

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