论文
电子科技大学硕十学位论文
型成为了一种分析微带天线的比较合理的理论模型。在该模型里将微带天线与接
地板之间的四周看成磁壁，上下为电壁的谐振腔，天线辐射场由空腔四周的等效
磁流得出，天线的输入阻抗可以根据空腔内场和馈源边界条件求出。该方法把天
线的分析分为两步：第一是求出天线的场源分布也就是天线的封闭磁面上的等效
磁流的分布，称为天线的内问题：第二就是根据第一步求得的场源结果来求天线
的外场，称为天线的外问题。
３．２．２．１内场求解
为了更好的理解微带天线的辐射原理，下面我们以矩形微带天线为例，来分
析其求解的过程。选择微带天线与坐标关系如图３－２（ａ）所示。当ｈ＜＜厶，贴片与接
地板之间的电磁场可以作如下的假设：（１）内场不随ｚ坐标变化；（２）电场只有最分
量，磁场只有日。和日．，分量，为ＴＭ型场；（３）四周边缘切向磁场为零，即为磁壁。
当然实际的情况与假设具有一点的差异，譬如微带贴片的四周存在边沿效应，可
以适当严惩边沿的尺寸来等效，但不影响理论分析。
（口）
图３．２空腔模型的几何结构渤
空腔内场满足下列的复数形式的麦克斯韦方程（时间因子ｅ倒已经略去，以后
同）：
飞ｘＨ＝、∞￡Ｅ＋Ｊ
ＶｎｘＶ．日＝０
Ｖ Ｅ＝０ＥＨ＝－ｊ掣ｏＨ（３－３）
式中．，为ｚ向的电流源，由同轴线提供或者微带馈源提供，并因为基片很薄，设．，
不随ｚ坐标而变化，因此Ｖ ．，＝一ｊｔｏｐ＝０，从而有第四式Ｖ 冒＝０。对第二式取旋１４
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