² 能够提供1000V直流电压及两倍的样本最大系统电压; ² 测试电流以µA为单位;
这些功能可以集成在一个设备里也可以是若干个独立的设备。
b) 这项测试应在环境温度为25℃±10℃以及相对湿度不超过75%的条件下进行; c) 测试过程中必须使用冷却介质,但是不需要冷却介质的循环;
d) 样本电池芯片应处于无光照的条件下,并且样本没有和任何的电源设备连接; e) 短接样本输出端的正负极并接到测试仪的正极; f)
把样本暴露在外的金属部分连接到测试仪的负极。假如样本不是导电框架或者框架
导电率很低,那就使用一个金属板或者箔包住样本,然后连接这个板或箔到测试仪的负极;
a) 通过测试仪慢慢提高输入电压,从额定电压不超过500V/s,一直提高到1000V。即将系统最高电压增加了两倍(例如,额定系统最高电压由制造商给出)。假如最高系统电压不超过50V,那么供给电压就应该是500V(没理解意思,只能按照字面翻译);
g) 保持电压在这个水平,等待2分钟后就可以得到一个稳定的漏电流;
h) 观察其电介质击穿或者表面跟踪的特点(步骤g到i也可以被叫做干耐压测试); i) j)
降低电压值至500V,保持2分钟之后就可以得到一个稳定的漏电流; 记录电压和电流;
k) 根据所记录的数据计算绝缘电阻; l)
降低电压至零并短接测试仪端子,帮助测试样本放电;
m) 将测试仪从样本上断开; 10.4.3 要求
² 无电介质击穿、表面跟踪或者泡沫带;
电介质击穿:在强电场作用下,电介质丧失电绝缘能力的现象。
² 对于样本的整体接收孔径区域小于或者等于0.1m的时候,所测得的绝缘电阻值不应低于50M ;
² 对于样本的整体接收孔径区域大于0.1m的时候,所测得的绝缘电阻值乘以芯片面积不得少于5 M m;
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² 除了以上的要求之外,接收器、模组、或者是组件应始终都有一个总的绝缘电阻超过1 M ,或者在双绝缘的情况下,不能低于10 M ;
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