互感器介损测试方法总结
一、规程规定
9.0.2 测量绕组的绝缘电阻,应符合下列规定:
3 测量电容式电流互感器的末屏及电压互感器接地端(N)对外壳(地) 的绝缘电阻,绝缘电阻值不宜小于1000 MΩ。若末屏对地绝缘电阻小于1000 M Ω时,应测量其tanδ ; 9.0.3 电压等级 35kV 及以上互感器的介质损耗角正切值tanδ测量应符合如下规定:
1 互感器的绕组tanδ测量电压应在10kV测量,tanδ不应大于表9.0.3中数据。当对绝缘有怀疑时,可采用高压法进行试验,在(0.5~1) Um3 范围内进行,tanδ变化量不应大于0.2% ,电容变化量不应大于0.5%;
2 末屏tanδ测量电压为2kV。
注:本条主要适用于油浸式互感器。SF6气体绝缘和环氧树脂绝缘结构互感器不适用,注硅脂等干式互感器可以参照执行。 表9.0.3 tanδ (%)限值
额定电20~35kV 压 种类 油浸式电流互感器 2.5 0.8 0.5 0.6 0.5 0.5 ─ 66~110kV 220kV 330~500kV 充硅脂及其它干式电流互0.5 感器 油浸式电压互感器绕组 串级式电压互感器支架 油浸式电流互感器末屏 3 ─ ─ 2.5 6 2 ─ ─ 注:电压互感器整体及支架介损受环境条件(特别是相对湿度)影响较大,测量时要加以考虑。
二、介损原理
IIcUIRRIcIURIδδ0φIRUUCSUcUcU()()(c)()
1、 并联等值电路(图a、b)
在交流电U的作用下介质中的电流为I。U与I之间的夹角为φ,即功率因数角;其余角为δ,即介质损耗角根据图a可得:
IR1tanδ==
IcwCpR则介质损耗为:
P=UIR=UIctanδ=U*w*Cp*tanδ
2、 串联等值电路(图c、d)
2
1URtanδ===w*Cs*r
Uci/wCsP=i2U*r=
wCstanδ
1+tan2δ12由于tan2δ<<1,所以Cs≈Cp=C,R>>r,因此以上两种电路可以以一个共同的表达式表示:
P=UwCtanδ
由此可见,介损与tanδ成正比,即可用tanδ表示介损的大小。同类试品绝缘的优劣,可直接由tanδ的大小来判断。 3、综合电路
2
C1tanδ1?C2tanδ2+...+Cntanδn 多个并联等值电路并联:tanδ= C1?C2?...?Cntanδ1tanδ2??...C1C2 多个串联等值电路串联:tanδ= 11??...C1C2C1tanδ2(1+tanδ1)+C2tanδ1(1+tanδ2) 两个并联等值电路串联:tanδ= C1(1+tan2δ1)?C2(1+tan2δ2)由以上分析还可得出,tanδ对集中性缺陷是不能灵敏反应的,因此对能分解测量的尽量扥接测量,比如变压器的套管等 三、电容、介损的测量
3.1 电容式电压互感器 仪器:AI 6000精密测试仪
22
3.1.1正接法:测量整节电容Cx-------试品一端对地有可靠绝缘时用此方法 步骤:
a、 准备工作包括收集厂家数据,抄写名牌包括电容量; b、 打开PT本体端子箱盖,短接所有二次绕组并接地; c、 打开XL与N之间的连片,使XL悬空,见示意图; d、 打开XL与E之间的连片;
e、 将仪器的“高压测量”端通过专用线(屏蔽线)与PT高压端相连,Cx与N相连,
见示意图
f、 用10KV电压测量,结果即是总的电容和介损。
屏蔽线PV1T2T1CNC2VGNXLEC11a1n2a2n3a3n高压测量芯线线试品输入Cx标准电容输入低压输出测量接地正接法测量PT整节电容和介损
3.1.2反接法:同样测量Cx-----------试品有一端固定接地时用此方法 步骤:
a、 连片都连好,注意保护间隙不要接触; b、 N与E仪器接外壳地线;
c、 高压测量端接(芯线)PT一次,装置可靠接地;
d、 用10KV电压测量,结果同正接法一样是整节电容和介损。
芯线PV1T2C1T1C1aNC21n2aV2nGN3a3nEXL反接法测量PT整节电容和介损3.1.3 自激法测量测量C1和C2及tanδ1和tanδ2
方法1:
高压测量试品输入Cx标准电容输入低压输出测量接地
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