气相光催化氧化降解卤代烃的研究*(8)
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Driessen等[13]研究了干净表面的催化剂和表面被吸附物覆盖的催化剂对TCE的PCO降解反应，认为反应的机理与催化剂表面吸附物的覆盖程度、表面活性点和表面羟基的可用性有关；表面吸附水与羟基自由基并非引发PCO反应的活性物种，而是参与和表面吸附物种(如副产物光气)的进一步反应。作者也提出了活化的氧物种O*进攻的机理。
Sun-Jong Hwang等[14]利用原位固态核磁研究了TCE在TiO2表面的降解，检测出三种新的中间体。根据实验结果，作者认为反应是由光活化的氧物种(很可能是O2-，它在O-、O2-、O3-三种自由基中最为稳定)直接进攻TCE的双键引发。氯自由基在反应中也很重要，其引发的链反应受与实验条件有关的一些因素影响。
5 反应动力学的研究
半导体表面的光催化反应涉及反应物的吸附、表面反应、产物的脱附，是一个复杂的物理化学过程。一般认为，半导体表面光生电子的转移是反应的决速步。
常用的动力学方程式是Langmuir-Hinshelwood吸附等温式。对气相光催化反应动力学的研究主要有以下几个方面
5.1 反应底物的吸附
气相反应中，卤代烃在光催化剂表面的吸附行为服从L－
H吸附等温式。由于光生电子和空穴的重组发生在很短的时间内(皮秒级)，为了达到高效降解，反应底物必须预先吸附在光催化剂表面。反应底物有时可作为光生空穴的捕集试剂，抑制光生载流子(电子和空穴)的重组。
Phillips和Raupp[8]认为在没有紫外光照的条件下，TCE在TiO2表面并不发生显著的化学吸附。同样条件下，Larson等[
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