气相光催化氧化降解卤代烃的研究*(7)
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(s)代表催化剂表面的吸附物种。此外，作者还认为吸附氧捕集导带电子形成的O-和O2-也可产生羟基自由基。
4.2 氯自由基引发的链反应
Nimlos等[10]检测到中间体DCAC，反应量子产率很高(0.5～
0.8)，结合以前关于氯光敏氧化TCE的一些研究提出了氯自由基引发链反应的机理。其中一个重要的理由是，对比不含氯原子的有机物，含氯卤代烃的PCO降解反应速率大得多。
其中，Cl可能由催化剂表面羟基自由基或氧原子与TCE反应、或由氯离子(TCE的完全矿化产物)直接氧化而来。反应产生的光气可能由氯原子与CO反应而来，也可能通过以下反应产生：
作者还认为，反应速率与光强的平方根成正比可能是因为电子－空穴的重组或氯原子的复合反应；氯原子的自由基反应发生在气相体系中。
Anderson等[11]用氯自由基引发的反应来解释反应的含氯副产物CHCl3和CCl4的形成。当催化剂的表面积小到不能捕获所有产生的氯自由基时，氯自由基释放到气相体系，容易形成含氯副产物。作者还认为，大的比表面和孔隙率是TCE有效降解的保证，高的氧气含量亦能有效抑制含氯副产物的形成。
4.3 氧自由基进攻的机理
Fan等[12]在反应体系中加入同位素标记的H2O，但产物中并未发现18O；此外反应过程中表面羟基并未消耗，从而否定了羟基自由基进攻的机理。根据实验结果，作者提出如下机理：
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