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气相光催化氧化降解卤代烃的研究*(2)

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[3,4,8-15,18]

      图1 TCE的气相光催化降解研究年代分布图

    卤代烃的降解按以下方程式进行
     
    TCE的气相光催化降解研究随年代的分布见图1,下图也从一定程度上反映了近年来卤代烃的气相PCO降解研究状况。
    目前,卤代烃的气相光催化降解研究的焦点是光催化剂、反应动力学和反应机理等方面。其中,日本科学家在光催化环境友好应用领域有较突出的成绩,而美国科学家则更多的关注于理论方面的研究。我国开展这方面研究工作的单位有大连化物所、兰州化物所、浙江大学等。
2 气相光催化作用原理
    常用的光催化剂有TiO2ZnOWO3CdSn型半导体氧化物,在光子能量高于导带和价带能隙的光照射下,价带电子被激发到导带,形成高活性的电子-空穴对:
     
    电子和空穴迁移到固体表面后,能和具有适当氧化还原电势的吸附物进行电子转移反应,抑或电子-空穴重组反应(图2)。其中,价带空穴是较强的氧化物种,而导带电子则是较强的还原物种。大多数有机物的光催化降解都是直接或间接利用空穴的氧化能力。

      图2 TiO2光催化反应的初始过程

(1)光激发电子跃迁;(2)电子和空穴的重组;(3)价带空穴氧化吸附物的过程;(4)导带电子还原表面吸附物;(5)进一步的热反应或光催化反应;(6)半导体表面悬挂空键对导带电子的捕集;(7)半导体表面钛羟基对价带空穴的捕集。
    用来激发价带电子的光的最大波长lm由光催化剂的导带和价带能隙Ebg决定,它们之间的关系如下,其中EbgeV为单位,l

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