气相光催化氧化降解卤代烃的研究*(4)
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2的吸附，进一步形成O2-，增强氧化能力。
氧化处理则在氧气气氛下高温处理，氧化的TiO2含更多的表面羟基可作为空穴的陷阱，亦增强O2的吸附。通常，氧化处理能提供更多的阴离子空位[2]。
3.3 表面担载贵金属(Pt、Ag等)
最常见的是Pt/TiO2催化剂。一般都认为由于电子可由TiO2向贵金属转移，担载贵金属可提高电荷分离效率，从而增加催化剂的光活性。Driessen等[4]的研究表明，担载少量Pt(<=2%wt)可增强TiO2在更宽波长范围(400nm－
650nm)的吸收，与Maxell－
Garnett理论相符。但在波长大于300nm的光的照射下，Pt/TiO2对TCE的气相光催化降解的速率则比TiO2要低。作者认为，由于Pt在TiO2表面形成缺陷，在缺陷处，长波光的吸收和电子－空穴对的形成增强了催化剂在长波范围的光活性；而Pt对TiO2表面Ti3+活性点的阻碍则降低了催化剂降解TCE的速率。
3.4 量子尺寸的TiO2
半导体由于尺寸细化会产生一些与块体半导体不同的物理化学特性，如表面效应、隧道效应、电荷转移加速和量子尺寸效应，会对光催化活性产生很大的影响。从理论上来说，超细微粒的量子尺寸效应会导致其吸收光谱蓝移，氧化还原电势增大，半导体光催化反应动力增大，光催化活性提高。但也有结果表明半导体尺寸的减小对光催化活性产生负效应。
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