写控制W:当 CS =“0”; W =“0”时,数据由总线写入存储器选中的单元中。 读控制 G: 当 CS =“0”;G =“0”时,存储器所选中的单元数据读出到数据线D7~D0中。 图书 图2-2 6116引脚
6116功能表
工 作 模 式 写 入 读 出 低功耗维持
6116读操作过程
读数据时,先在A10~A0地址线上加上有效地址码,然后使CS=0、W=1、G=0 经过一段时间(读出信息在数据线上稳定,这一段时间称为读取周期,一般小于200ns),数据就从所选中的储存单元中取出到数据线D7~D0上。在整个读周期中,所加的地址码
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CS W G 功 能 描 述 0 0 1 D7~D0上的数据存入A10~A0选中单元 0 1 0 A10~A0选中单元的内容输出到D7~D0上 1 X X D7~D0呈现高阻态 应保持稳定不变。当CS=1时停止读。
6116写操作过程
写入信息时,先在A10~A0加上有效地址信息,在整个写周期期间,地址信息必须保持稳定。在数据线上加上要写入的数据,使写操作信号CS=0、W=0、G=1,经写周期后数据写入到存储体的对应单元中。当CS=1时停止写。
3.总线、存储器传送通路
(1)总线、存储器传送通路框图
图2-3 总线、存储器传送通路框图
如图2-3所示存储器传送通路能够完成如下功能: ① 向存储器不同的地址空间里送数(写入),然后再取出(读出)数据。
② 分别向寄存器R1、R2中送入一个8位数据;用RAM 作为暂存器,对R1、R2中的数据进行交换。 (2) 总线、存储器传送通路电路图
如图2-4所示为总线、存储器传送通路电路图。
本电路的核心器件为静态存储器(RAM)6116,其容量为2K×8bit。它具有8根数据线和11根地址线,还有三个控制端CS(片
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选)、G(读)、W(写)。由于该存储器有11根地址线,而用作地址寄存器MAR的74LS273是8位的,MAR的输出只能接到6116的A7~A0,它的高三位地址A10、A9、A8可以接到三个开关上,这样,就可以控制000H~7FFH的2K范围内的所有存储空间。在我们这个实验中,由于公共板上的开关数量有限,高三位地址A10、A9、A8就只能接到+5V或地线上,这样只能访问700H~7FFH或000H~0FFH的256Byte范围内的存储空间。在电路图中,我们将A10、A9、A8三个高地址位接在地线上。
由于地址寄存器MAR的输出直接连到存储器6116的地址信号线上,因而采用74LS273使得MAR从总线上接受到的地址信号直接送往存储器6116的地址线上。
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寄存器R1、R2分别采用具有三态锁存功能的74LS373和74LS374,它们分别有两个控制端,OE是输出控制端,控制锁存器中的数据能否送到总线上,G或CLK是使能或时钟端,用来控制锁存器能否接受总线上的信息。73LS373的使能端G是高电平有效,而74LS374的时钟端CLK是带上跳变的脉冲信号有效,这也就是锁存器74LS373和74LS374的差别。这些控制信号,需要不同的开关来分别控制,以实现总线的分时性(即不允许在同一时刻,有两个或两个以上的信号源向总线上发送信息)。 图中,由于开关组(K8~K1)本身没有三态功能,不能直接连接到总线上,所以74LS244就用作隔离器,控制开关组能否向总线发送信息。74LS244的控制端为第1脚(1G)和第19脚(2G),每个脚控制4位,由于该实验中总线是8位的,所以实验中我们用一个开关控制两个控制端,实现开关组的8位数据同步。
五、实验内容
1、按照实验电路图在逻辑电路搭试板上接线组装,并且仔细检查以防有误,然后才能加电实验。 2、对存储器进行读写实验。
3、用RAM 作为暂存器,对R1、R2中的数据进行交换。
操作步骤
1、对存储器进行读写
(1)开关初始化
K9置“1”,K10、K11、K12置“1”, K13置“0”, K14置“1”, K15置“1”。 (2)写存储器
送地址:从开关组K8~K1上拨一个地址Addr1,经三态传输门74LS244(K9置“0”)→BUS→MAR(给作为地址寄存器MAR的74LS273时钟端CLK一个单脉冲信号P1)。
送数:从开关组K8~K1上拨一个数据Data1,经三态传输门74LS244(K9置“0”)→BUS→存储器6116(K10置“0”,K11置
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