multisim模拟电路课程仿真实验(4)

五、 参数计算及结论：

11

=23.4Hz

2 Rs RiC12 RC1C111

=5.7Hz

2 Ro RLC22 Rc2C2

对于耦合电容C1：理论上fL=

对于耦合电容C2：理论上fL=

对于旁路电容Ce：理论上fL=

1

Rs//Rb rbe

2 Re// 1

Ce

1

=143Hz

2 RCeCe

=〉

（1） 实验值120Hz （2） 实验值为20Hz （3） 实验值为5.7Hz 结论：

（1） 当把三个电容都考虑时，实验得到的下限频率为135Hz，（1）和

（2）所得的结果和其差距都很大，而（3）和其差距不大。

（2） 由仿真结果可以看出，旁路电容Ce对电路的下限频率的影响最大，

增加其值时，电路下限频率会显著下降；耦合电容影响相对较小。在设计电路时，为改善低频特性，应将旁路电容Ce值增大。

（3） 在进行第（5）步仿真时，只改变旁路电容Ce大小既可得实验结

果。

百度搜索“77cn”或“免费范文网”即可找到本站免费阅读全部范文。收藏本站方便下次阅读，免费范文网，提供经典小说教育文库multisim模拟电路课程仿真实验(4)在线全文阅读。