模拟及数字电子技术基础_川大_期末考试试题(8)

（2）VB=VCC RB2/(RB2+RB1)≈4.8V

IE=(VB －VBE)/（RE1+RE2）≈1.2mA

rbe≈200+(1+β)×26mv / IE≈1.9KΩ

Ri2 RB1//RB2// rbe (1 )RE1 5.3K (2分）

AV1 gm(RD//Ri2) 3（2分）

(RC//RL)

AV2 12（2分）

rbe (1 )RE1

AV AV1 AV2 36

（3）N沟道绝缘栅耗尽型场效应管 （2分） 2、（10分） （1） Rf

VVi(2分） 01

R1

1

V0 V01dt(4分）

R5C

t

Rf

Vidt(1分）

R5R1C0

Ri RG (RG1//RG2) 1M (2分）

R0 RC 10K （2分）

（2）i2 =0 （3分）(有计算1分，计算正确2分)

五、分析计算题

1、（6分）

正半周导通2分，波形2分；负半周期截止1分，波形1分；坐标1分。 2、（6分）

（A） 可以振荡（3分）

（B） 不能振荡（3分） 3、（10分）

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