曝光时间大致60秒。拉上遮光板挂钩电路接通,开始抽真空使遮光板贴紧曝光面玻璃面,抽真空6秒后强紫外灯点亮开始曝光。
显影:先配置显影液,显影液为质量分数为4.5‰的氢氧化钠溶液。
坚膜(后烘):将显影后的玻璃基片放入烘箱中,在80℃下烘5分钟。
磁控溅射镀膜:靶材料用钯(Pd),在氩气(Ar)气氛下(流量20sccm)预溅射靶材料20秒;在氩气(流量20sccm)和氧气(O)2(流量10sccm)气氛下氧化靶材料(第一次120秒,之后30秒);在氩气(流量20sccm)和氧气(流量30sccm)气氛下磁控溅射镀膜180秒。由于时间有限,只有部分玻璃先加热到100℃在进行镀膜,其余的玻璃基片未加热直接镀膜。
去胶:采用溶液使器件电极表面的胶膜溶胀或溶解而脱落,去胶液为酒精。
至此导电膜制作工序完成。可以看出基片加热后镀上的导电膜呈蓝色,基片未加热镀上的导电膜呈银白色。
6、导电薄膜裂缝加电形成及表面传导电子发射性能测试:
在电子发射膜两端施加一定波形的电压,使电子发射薄膜上产生裂纹,形成电子发射区,该步骤称为“加电形成”。当器件电流If突然增大后,停止脉冲电压,测量并联电阻Rp,如Rp增大一个数量级以上表明已经形成裂缝。形成工艺以后,向真空室导入有机气体,并在导电膜两端施加脉冲电压,气氛中的碳在裂缝附近堆积,使发射
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