中国石油大学(华东)现代远程教育
《 模拟电子技术 》综合复习资料
第一章 常用半导体器件 一、选择
[ A ] A. B. C. D.
NPN型硅管 PNP型硅管
NPN型锗管 2V 6V PNP型锗管 1.3V
1、在晶体管放大电路中,测得晶体管的各个电极的电位如下图所示,该晶体管的类型是
2、三极管各个电极的对地电位如下图所示,可判断其工作状态是[ D ] A.饱和 B.放大
C.截止
D.已损坏
3、 在如下图所示电路中,当电源V=5V时,测得I=1mA。若把电源电压调整到V=10V,则电流的大
小将是 [ C ] A.I=2mA B.I<2mA C.I>2mA D.不能确定
4、 在杂质半导体中,多数载流子的浓度主要取决于 [ B ] A.温度 B.掺杂工艺 C.杂质浓度 D.晶体缺陷
5、二极管的主要特性是 [ C ] A.放大特性 B.恒温特性
C.单向导电特性 D.恒流特性 6、温度升高时,晶体管的反向饱和电流ICBO将 [ B ] A.增大 B.减少 C.不变 D.不能确定 7、 下列选项中,不属三极管的参数是 [ B ] A.电流放大系数β B.最大整流电流IF
C.集电极最大允许电流ICM D.集电极最大允许耗散功率PCM 8、 温度升高时,三极管的β值将 [ A ]
A.增大 B.减少 C.不变 D.不能确定 9、 在N型半导体中,多数载流子是 [ A ]
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A. 电子 B. 空穴 C.离子 D. 杂质 10、下面哪一种情况二极管的单向导电性好 [ A ]
A.正向电阻小反向电阻大 B. 正向电阻大反向电阻小 C.正向电阻反向电阻都小 D. 正向电阻反向电阻都大 11、 在P型半导体中,多数载流子是 [ B ] A. 电子 B. 空穴 C.离子 D. 杂质
二、填空
1、在杂质半导体中,多数载流子的浓度主要取决于 掺杂浓度 ,而少数载流子的浓度则与 本征激发 有很大关系。
2、温度升高时,晶体管的电流放大系数β 增大 ,反向饱和电流ICBO 增大 ,正向结电压UBE 变小 。(a.变大,d.变小,c.不变)
3、在本征半导体中,电子浓度 等于 空穴浓度; 4、在P型半导体中,电子浓度 小于 空穴浓度; 5、在N型半导体中,电子浓度 大于 空穴浓度。 4、二极管的最主要特性是 单向导电性 。
5、双极型晶体管从结构上看可以分成 NPN 和 PNP 两种类型,它们工作时有 自由电子 和 空穴 两种载流子参与导电。
6、晶体三极管用来放大时,应使发射结处于 正向 偏置,集电结处于 反向 偏置。
三、判断对错
1、P型半导体可通过在纯净半导体中掺入五价磷元素而获得。( ⅹ) 2、P型半导体带正电,N型半导体带负电。( ⅹ)
3、由于PN结交界面两边存在电位差,所以,当把PN结两端短路时就有电流流过。( ⅹ ) 4、通常的BJT管在集电极和发射极互换使用时,仍有较大的电流放大作用。( ⅹ )
四、
在某放大电路中,晶体管三个电极的电流下图所示。已量出I1=-1.2mA,I2=-0.03mA,I3=1.23mA。
由此可知:
1、电极①是 C 极,电极②是 B 极,电极③是 E 极。 2、此晶体管的电流放大系数?约为 40 。 3、此晶体管的类型是 PNP 型(PNP或NPN)。
T ① l1 l2 ②
③ l3
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五、
测得工作在放大电路中两个晶体管的三个电极电流如下图所示
1判断它们各是NPN管还是PNP管,在图中标出e,b,c极; (a)NPN 4mA-C 4.1mA-E 0.1mA-B (b) PNP 6mA-C 6.1mA-E 0.1mA-B 2估算(b)图晶体管的? 和 ? 值。 (a) ?=40 ?=40/41 (b) ?=60 ?=60/61
六、
判断各下图中二极管导通状态,并标出Uo的值。各二极管导通电压UD?0.7V。
左图:D1 D3 D2导通D4截止 Uo=2.1V 右图: D2导通D1截止 Uo=-6V
七、
电路如下图所示,若UI=10V,R=100?,稳压管DZ的稳定电压UZ=6V,允许电流的变动范围是
Izmin=5mA, Izmax=30mA,求负载电阻RL的可变范围。
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解:满足两个条件: 1、稳压的条件:RL〉150?
2、电流条件满足:RL〉171? 且RL<600? 综合:RL〉171? 且RL<600?
八、
稳压管稳压电路如下图所示。已知稳压管稳压值为5伏,稳定电流范围为10mA~50mA,限流电阻R=500?。试求: (1) (2)
解:(1)Ui?20V(2)Ui?20V当Ui?20V当Ui?20V,RL?1K?时,U0?? ,RL?100?时,U0??
,RL?1K?稳压管稳压,
U0?5V
,RL?100K?稳压管不稳压,工作在反向截止状态,U0?3.3V
第二章 基本放大电路 一、选择题
1、 在基本放大电路的三种组态中,输入电阻最大的放大电路是 [ C ] A.共射放大电路 B.共基放大电路 C.共集放大电路 D.不能确定
2、在基本共射放大电路中,负载电阻RL减小时,输出电阻RO将 [ C ] A.增大 B.减少 C.不变 D.不能确定 3、 在三种基本放大电路中,输入电阻最小的放大电路是 [ B ] A.共射放大电路 B.共基放大电路 C.共集放大电路 D.不能确定
4、在电路中我们可以利用 [ C ] 实现高内阻信号源与低阻负载之间较好的配合。 A 共射电路 B 共基电路 C 共集电路 D 共射-共基电路 5、 在基本放大电路的三种组态中,输出电阻最小的是 [ C ] A.共射放大电路 B.共基放大电路 C.共集放大电路 D.不能确定
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6、 在由NPN晶体管组成的基本共射放大电路中,当输入信号为1kHz,5mV的正弦电压时,输出电
压波形出现了底部削平的失真,这种失真是 [ A ]
A.饱和失真 B.截止失真 C.交越失真 D.频率失真 7、以下电路中,可用作电压跟随器的是 [ D ]
A.差分放大电路 B.共基电路 C.共射电路 D.共集电路
8、 晶体三极管的关系式iC=f(uBE)|uCE代表三极管的 [ B ] A.共射极输入特性 B.共射极输出特性
C.共基极输入特性 D.共基极输出特性
9、 在由PNP晶体管组成的基本共射放大电路中,当输入信号为1kHz,5mV的正弦电压时,输出电压波形出现了顶部削平的失真,这种失真是 [ B ] B.饱和失真 B.截止失真 C.交越失真 D.频率失真
10、对于基本共射放大电路, Rb减小时,输入电阻Ri将 [ B ] A.增大 B.减少 C.不变 D.不能确定 11、在基本共射放大电路中,信号源内阻RS减小时,输入电阻Ri将 [ C ] A.增大 B.减少 C.不变 D.不能确定
12、在三种基本放大电路中,电压增益最小的放大电路是 [ C ] A.共射放大电路 B.共基放大电路
C.共集放大电路 D.不能确定 13、 在三种基本放大电路中,电流增益最小的放大电路是 [ B ] A.共射放大电路 B.共基放大电路 C.共集放大电路 D.不能确定
二、填空
1、 某放大电路的负载开路时的输出电压为4V,接入3K?的负载电阻后输出电压降为3V,这说明放大电路的输出电阻为 1K? 。
2、 双极型晶体管工作在放大区的偏置条件是发射结 正偏 、集电结 反偏 。
3、有两个放大倍数相同、输入和输出电阻不同的放大电路A和B,对同一个具有内阻的信号源电压进行放大。在负载开路的条件下测得A的输出电压小。这说明A的 b 。
a.输入电阻大 b.输入电阻小 c.输出电阻大 d.输出电阻小
三、 判断下列说法是否正确,对的画√,错的画×。
1、晶体管的输入电阻rbe是一个动态电阻,故它与静态工作点无关。( × )
2、在基本共射放大电路中,若晶体管的β增大一倍,则电压放大倍数也相应地增大一倍。
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