STM32自学笔记(3)

二十二、硬件SPI驱动OLED：

1、首先得讲解BUSY标志与TXE标志，BUSY标志指的是发送缓冲器已空且发送移位寄存器没有数据在发送，也就是没有数据发送任务；TXE标志仅仅指的是发送缓冲器已空，并不指示发送移位寄存器有没有数据。

2、so，问题就来了，为什么STM8用TXE标志就可以发送数据而STM32必须用BUSY标志呢？因为STM8最快速度执行速度最大是16MHZ，虽然用的TXE标志，但等到下一次发送数据时，由于速度慢，这是发送移位寄存器早就没有数据了，只是BUSY＝0；但STM32就不一样了，若用TXE标志，等到下一次发送数据时，由于STM32以168MHZ的速度执行代码，虽然发送缓冲器没有数据了，但发送移位寄存器还有数据没有发送完，所以，这是会出现乱码或者通信失败。 二十三、FSMC（灵活的静态存储控制器）：

其支持SRAM、PSRAM、NAND FLASH、NOR FLASH。

（1）、SRAM：静态随机存取存储器。它是一种具有静止存取功能的内存，不需要刷新电

路即能保存它内部存储的数据。

◎优点，速度快，不必配合内存刷新电路，可提高整体的工作效率。

◎缺点，集成度低，掉电不能保存数据，功耗较大，相同的容量体积较大，而且价格较高，少量用于关键性系统以提高效率。

（2）、PSRAM：PSRAM就是伪SRAM，内部的内存颗粒跟SDRAM的颗粒相似，但外

部的接口跟SRAM相似，不需要SDRAM那样复杂的控制器和刷新机制，PSRAM的接口跟SRAM的接口是一样的。容量没有SDRAM那样密度高，但肯定是比SRAM的容量要高很多的，速度支持突发模式，并不是很慢。

（3）、NOR FLASH与NAND FLASH： 1、来源

（1）、NOR flash是intel公司1988年开发出了NOR flash技术。NOR的特点是芯片内执行（XIP, eXecute In Place），这样应用程序可以直接在flash 闪存内运行，不

必再把代码读到系统RAM中。NOR的传输效率很高，在1～4MB的小容量时具有很高的成本效益，但是很低的写入和擦除 速度大大影响了它的性能。

（2）、Nand-flash内存是flash内存的一种，1989年，东芝公司发表了NAND flash结构。其内部采用非线性宏单元模式，为固态大容量内存的实现提供了廉价有效的解决方案。Nand-flash存储器具有容量较大，改写速度快等优点，适用于大量数据的存储，因而在业界得到了越来越广泛的应用，如嵌入式产品中包括数码相机、MP3随身听记忆卡、体积小巧的U盘等。 2、NAND flash和NOR flash的性能比较

flash闪存是非易失存储器，可以对称为块的存储器单元块进行擦写和再编程。任何flash器件的写入操作只能在空或已擦除的单元内进行，所以大多数情况下，在进行写入操作之前必须先执行擦除。NAND器件执行擦除操作是十分简单的，而NOR则要求在进行擦除前先要将目标块内所有的位都写为0。由于擦除NOR器件时是以64～128KB的块进行的，执行一个写入/擦除操作的时间为5s，与此相反，擦除NAND器件是以8～32KB的块进行的，执行相同的操作最多只需要4ms。执行擦除时块尺寸的不同进一步拉大了NOR和NADN之间的性能差距，统计表明，对于给定的一套写入操作(尤其是更新小文件时)，更多的擦除操作必须在基于NOR的单元中进行。这样，当选择存储解决方案时，设计师必须权衡以下的各项因素。 1、NOR的读速度比NAND稍快一些。 2、NAND的写入速度比NOR快很多。 3、NAND的4ms擦除速度远比NOR的5s快。 4、大多数写入操作需要先进行擦除操作。

5、NAND的擦除单元更小，相应的擦除电路更少。 3、NAND flash和NOR flash的接口差别

NOR flash带有SRAM接口，有足够的地址引脚来寻址，可以很容易地存取其内部的每一个字节。NAND器件使用复杂的I/O口来串行地存取数据，各个产品或厂商的方法可能各不相同。8个引脚用来传送控制、地址和数据信息。NAND读和写操作采用512字节的块，这一点有点像硬盘管理此类操作，很自然地，基于NAND的存储器就可以取代硬盘或其他块设备。

4、NAND flash和NOR flash的容量和成本

NAND flash的单元尺寸几乎是NOR器件的一半，由于生产过程更为简单，NAND结构可以在给定的模具尺寸内提供更高的容量，也就相应地降低了价格。

NOR flash占据了容量为1～16MB闪存市场的大部分，而NAND flash只是用在8～128MB的产品当中，这也说明NOR主要应用在代码存储介质中，NAND适合于数据存储，NAND在CompactFlash、Secure Digital、PC Cards和MMC存储卡市场上所占份额最大。 (4)存储器的分类：

(5)、异步模式、同步模式、突发模式、复用和非复用模式。

1)、 异步SRAM正如其名称，不是与特定的时钟信号同步运行，而是根据输入信号的状

态运行的。因为没有信号表示读取时已确定了有效数据，也没有信号表示写入时已接收到数据，所以，需要获取制造商的数据手册，根据时序图，按“应该已读出有效数据”及“应该能接收数据”这样的条件，进行存储器的设计。

2)、突发（Burst）模式: 包括突发长度(BL)、突发类型(Burst Type)、CAS延迟(CAS

Latency)、运行方式(Operating Mode)和写入突发模式。

CAS：列地址选通信号 ；RAS：行地址选通信号

CL：CAS的潜伏期，在选定列地址后，就已经确定了具体的存储单元，剩下的事情就是数

据通过数据I/O通道（DQ）输出到内存总线上了。但是在CAS发出之后，仍要经过一定的时间才能有数据输出，从CAS与读取命令发出到第一笔数据输出的这段时间，被定义为CL。

1、概念：所谓的“突发”是指当我们对一个地址进行寻址并操作完成后，不必再重新对下

一个地址进行寻址，而是直接进行操作。这样就节省了很多的时间。具体的情况也很简单就是节省了延时的那段时间。

读：初始化→发行地址→RCD→发列地址→CL→数据

写：初始化→发行地址→RCD→发列地址→数据 （CL、RCD）

2、突发长度 突发（Burst）是指在同一行中相邻的存储单元连续进行数据传输的方式，连续传输所涉及到存储单元（列）的数量就是突发长度（Burst Lengths，简称 BL）。 3、

对于存储bank。

进行寻址时需要先确定是哪个L-Bank，然后再在这个选定的L-Bank中选择相应的行与列进行寻址。对内存的访问，一次只能是一个L-Bank，而每次与CPU交换的数据就是 L-Bank 存储阵列中一个“存储单元”的容量。SDRAM内存芯片一次传输的数据量就是芯片的位宽，那么这个存储单元的容量就是芯片的位宽（也是 L-Bank 的位宽）。上图为4BANK内存颗粒内部结构示意图。

内存芯片容量的计算方法为：存储单元数量行数×列数（得到一个 L-Bank 的存储单元数量）×L-Bank 的数量。在很多内存产品介绍文档中，都会用M×W 的方式来表示芯片的容量。M 是该芯片中存储单元的总数，单位是兆，W 代表每个存储单元的容量，也就是 SDRAM 芯片的位宽（Width），单位是 bit。计算出来的芯片容量也是以 bit 为单位，但用户可以采用除以 8 的方法换算为字节(Byte) 二十四、关于FSMC中定义结构体中变量的地址 typedef struct {

vu16 LCD_REG; vu16 LCD_RAM; } LCD_TypeDef;

//使用NOR/SRAM的 Bank1.sector4,地址位HADDR[27,26]=11 A6作为数据命令区分线

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