77范文网 - 专业文章范例文档资料分享平台

《电力电子技术》习题答案(第五版,王兆安,刘进军主编)(4)

来源:网络收集 时间:2020-12-24 下载这篇文档 手机版
说明:文章内容仅供预览,部分内容可能不全,需要完整文档或者需要复制内容,请下载word后使用。下载word有问题请添加微信号:或QQ: 处理(尽可能给您提供完整文档),感谢您的支持与谅解。点击这里给我发消息

答:IGBT 驱动电路的特点是:驱动电路具有较小的输出电阻,IGBT 是电压驱动型器件, IGBT 的驱动多采用专用的混合集成驱动器。

GTR 驱动电路的特点是:驱动电路提供的驱动电流有足够陡的前沿,并有一定的过 冲,这样可加速开通过程,减小开通损耗,关断时,驱动电路能提供幅值足够大的反向基 极驱动电流,并加反偏截止电压,以加速关断速度。

GTO 驱动电路的特点是:GTO 要求其驱动电路提供的驱动电流的前沿应有足够的 幅值和陡度,且一般需要在整个导通期间施加正门极电流,关断需施加负门极电流,幅值 和陡度要求更高,其驱动电路通常包括开通驱动电路,关断驱动电路和门极反偏电路三部 分。

电力 MOSFET 驱动电路的特点:要求驱动电路具有较小的输入电阻,驱动功率小且

电路简单。

8. 全控型器件的缓冲电路的主要作用是什么?试分析 RCD 缓冲电路中各元件的作 用。

答:全控型器件缓冲电路的主要作用是抑制器件的内因过电压,du/dt 或过电流和 di/dt, 减小器件的开关损耗。

RCD 缓冲电路中,各元件的作用是:开通时,Cs 经 Rs 放电,Rs 起到限制放电电流

的作用;关断时,负载电流经 VDs 从 Cs 分流,使 du/dt 减小,抑制过电压。

9. 试说明 IGBT、GTR、GTO 和电力 MOSFET 各自的优缺点。 解:对 IGBT、GTR、GTO 和电力 MOSFET 的优缺点的比较如下表:

百度搜索“77cn”或“免费范文网”即可找到本站免费阅读全部范文。收藏本站方便下次阅读,免费范文网,提供经典小说综合文库《电力电子技术》习题答案(第五版,王兆安,刘进军主编)(4)在线全文阅读。

《电力电子技术》习题答案(第五版,王兆安,刘进军主编)(4).doc 将本文的Word文档下载到电脑,方便复制、编辑、收藏和打印 下载失败或者文档不完整,请联系客服人员解决!
本文链接:https://www.77cn.com.cn/wenku/zonghe/1170174.html(转载请注明文章来源)
Copyright © 2008-2022 免费范文网 版权所有
声明 :本网站尊重并保护知识产权,根据《信息网络传播权保护条例》,如果我们转载的作品侵犯了您的权利,请在一个月内通知我们,我们会及时删除。
客服QQ: 邮箱:tiandhx2@hotmail.com
苏ICP备16052595号-18
× 注册会员免费下载(下载后可以自由复制和排版)
注册会员下载
全站内容免费自由复制
注册会员下载
全站内容免费自由复制
注:下载文档有可能“只有目录或者内容不全”等情况,请下载之前注意辨别,如果您已付费且无法下载或内容有问题,请联系我们协助你处理。
微信: QQ: