4. 上题中如果不考虑安全裕量,问 100A 的晶闸管能送出的平均电流 Id1、Id2、Id3 各为 多少？这时，相应的电流最大值 Im1、Im2、Im3 各为多少?
解：额定电流 I T(AV) =100A 的晶闸管，允许的电流有效值 I =157A，由上题计算结果知
I
a) 329.35， Im1 Id1 0.2717 Im1 89.48
0.4767 I
b) 232.90, Im2 Id2 0.5434 Im2 126.56
0.6741
c) Im3=2 I = 314, Id3= Im3=78.5
4
5. GTO 和普通晶闸管同为 PNPN 结构，为什么 GTO 能够自关断，而普通晶闸管不 能？
答：GTO 和普通晶闸管同为 PNPN 结构，由 P1N1P2 和 N1P2N2 构成两个晶体管 V1、V2, 分别具有共基极电流增益 1 和 2 ，由普通晶闸管的分析可得， 1 + 2 =1 是器件临界导 通的条件。 1 + 2 ＞1，两个等效晶体管过饱和而导通； 1 + 2 ＜1，不能维持饱和导通 而关断。
GTO 之所以能够自行关断，而普通晶闸管不能，是因为 GTO 与普通晶闸管在设计 和工艺方面有以下几点不同：
1) GTO 在设计时 2 较大，这样晶体管 V2 控制灵敏，易于 GTO 关断；
2) GTO 导通时的 1 + 2 更接近于 1，普通晶闸管 1 + 2 1.15，而 GTO 则为
1 + 2 1.05，GTO 的饱和程度不深，接近于临界饱和，这样为门极控制关断提供了有
利条件；
3) 多元集成结构使每个 GTO 元阴极面积很小，门极和阴极间的距离大为缩短，使得
P2 极区所谓的横向电阻很小，从而使从门极抽出较大的电流成为可能。
6. 如何防止电力 MOSFET 因静电感应应起的损坏？
答：电力 MOSFET 的栅极绝缘层很薄弱，容易被击穿而损坏。MOSFET 的输入电容是低 泄漏电容，当栅极开路时极易受静电干扰而充上超过 20 的击穿电压，所以为防止 MOSFET 因静电感应而引起的损坏，应注意以下几点：
① 一般在不用时将其三个电极短接；
② 装配时人体、工作台、电烙铁必须接地，测试时所有仪器外壳必须接地； ③ 电路中，栅、源极间常并联齐纳二极管以防止电压过高
④ 漏、源极间也要采取缓冲电路等措施吸收过电压。
7. IGBT、GTR、GTO 和电力 MOSFET 的驱动电路各有什么特点？
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