DDR的基本原理与工作过程(8)

CLK、/CLK:差分时钟?

CKE:时钟使能?

/CS：片选信号

BA0-BA1:块选择（决定哪个块进行读、写、刷新、预充电等操作）? /RAS：行地址选取?

/CAS：列地址选取?

A0-A11:地址?

DQ0-DQ15:双向数据

DQS:数据选通信号，控制I/O buffer，数据真正的同步信号 /WE ：读/写信号，高电平为读命令，低电平为写命令?

DM、/DM：数据标志位，标示当前数据是否为有效数据

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