基于ZnO的异质结的组建及其光电性能研究(19)

第ｌ章绪论

【２１】Ｒ．Ｌ．Ｈｏｆｆｍａｎ，Ｂ．Ｊ．Ｎｏｒｒｉｓ，Ｊ．Ｆ．Ｗａｇｅｒ，ＺｎＯ－ｂａｓｅｄ

ｔｒａｎｓｉｓｔｏｒｓ，Ａｐｐｌ．Ｐｈｙｓ．Ｌｅｔｔ．８２，７３３（２００３）．ｔｒａｎｓｐａｒｅｎｔｔｈｉｎｆｉｌｍ

［２２】Ｋ．Ｎｏｍｕｒａ，Ｈ．Ｏｈｔａ，Ｋ．Ｕｅｄａ，Ｔ．Ｋａｍｉｙａ，Ｍ．Ｈｉｒａｎｏ，Ｈ．Ｈｏｓｏｎｏ，Ｔｈｉｎｆｉｌｍ

ｔｒａｎｓｉｓｔｏｒｆａｂｒｉｃａｔｅｄｉｎｓｉｎｇｌｅｃｒｙｓｔａｌｌｉｎｅｔｒａｎｓｐａｒｅｎｔｏｘｉｄｅｓｅｍｉｃｏｎｄｕｃｔｏｒ，Ｓｃｉｅｎｃｅ３００．１２６９（２００３）．

［２３】Ｃ．Ｙ．Ｃｈｏｕ，Ｊ．Ｓ．Ｈｕａｎｇ，Ｃ．Ｈ．Ｗｕ，Ｃ．Ｙ．Ｌｅｅ，Ｃ．Ｆ．Ｌｉｎ，Ｌｅｎｇｔｈｅｎｉｎｇｔｈｅ

ｓｏｌｉｄｉｆｉｃａｔｉｏｎｔｉｍｅｔｏｉｍｐｒｏｖｅｔｈｅ

ｓｏｌａｒｃｅｌｌｓ，Ｓ０１．Ｅｎｅｒｇｙｐｏｌｙｍｅｒｐｅｒｆｏｒｍａｎｃｅｏｆｐｏｌｙｍｅｒ／ＺｎＯｎａｎｏｒｏｄｈｙｂｒｉｄＭａｔｅｒ．Ｓ０１．Ｃｅｌｌｓ．９３，ｌ６０８（２００９）．

ｏｆａｎｎｅａｌｉｎｇｃｏｎｄｉｔｉｏｎｓｏｎ【２４】Ｌ．Ｌｌｌ，Ｒ．Ｌｉ，Ｋ．Ｆａｎ，Ｔ．Ｐｅｎｇ，Ｅｆｆｅｃｔｓｔｈｅ

ｐｈｏｔｏｅｌｅｃｔｒｏｃｈｅｍｉｃａｌｐｒｏｐｅｒｔｉｅｓｏｆｄｙｅ—ｓｅｎｓｉｔｉｚｅｄｓｏｌａｒｃｅｌｌｓｍａｄｅ、析ｔｈＺｎＯｎａｎｏｐａｒｔｉｃｌｅｓ，Ｓ０１．Ｅｎｅｒｇｙ．８４，８４４（２０１０）．

［２５］Ｃ．Ｈａｒｒｙ，Ｇａｔｏｓ，Ｊ．Ｌａｇｏｗｓｋｉ，Ｓｕｒｆａｃｅｐｈｏｔｏｖｏｌｔａｇｅｓｐｅｃｔｒｏｓｃｏｐｙ－ａｎｅｗａｐｐｒｏａｃｈ

ｔｏｔｈｅｓｔｕｄｙｏｆｈｉｇｈ—ｇａｐｓｅｍｉｃｏｎｄｕｃｔｏｒｓｕｒｆａｃｅｓ，Ｊ．Ｖａｃ．Ｓｃｉ．Ｔｅｃｈｎｏｌ，１０，１３０（１９７３）．

［２６】Ｌ．Ｋｒｏｎｉｋ，ＹＳｈａｐｉｒａ，Ｓｕｒｆａｃｅｐｈｏｔｏｖｏｌｔａｇｅｓｐｅｃｔｒｏｓｃｏｐｙｏｆｓｅｍｉｃｏｎｄｕｃｔｏｒ

ｓｔｒｕｃｔｕｒｅｓ：ａｔｔｈｅｃｒｏｓｓｒｏａｄｓｏｆｐｈｙｓｉｃｓ，ｃｈｅｍｉｓｔｒｙａｎｄｅｌｅｃｔｒｉｃａｌｅｎｇｉｎｅｅｒｉｎｇ，Ｓｕｒｆ．ＩｎｔｅｒｆａｃｅＡｎａｌ．３１，９５４（２００１）．

ｆｏｒｑｕａｓｉ ｅｑｕｉｌｉｂｒｉｕｍｉｎａ【２７】Ｄ．Ｒ．Ｆｒａｎｋｌ，Ｃｏｎｄｉｔｉｏｎｓｓｅｍｉｃｏｎｄｕｃｔｏｒｓｕｒｆａｃｅ—ｃｈａｒｇｅ

ｌａｙｅｒ，Ｓｕｒｆ．Ｓｃｉ．３，１０１（１９６５）．

【２８】罗雪莲，吴麟章，江小涛，太阳能电池及其应用［Ｊ】．武汉科技学院学报，１０，

（２００５）．

【２９】赵晶，赵争鸣，周德，电力应用，１０，６（２００７）．

【３０】Ｇ．Ｗａｋｅｆｉｅｌｄ，ＥＪ．Ｄｏｂｓｏｎ，ＹＹＦｏｏ，．Ａ．Ｌｏｎｉ，Ａ．Ｓｉｍｏｎｓ，Ｊ．Ｌ．Ｈｕｔｃｈｉｓｏｎ，

Ｓｅｍｉｅｏｎ．Ｓｃｉ．Ｔｃｃｈｎ０１．１２，１３０４（１９９７）．

【３ｌ】Ｗ．Ｂａｎｔｉｋａｓｓｅｇｎ，Ｏ．Ｉｎｇａｎａｓ，Ｊ．Ｐｈｙｓ．Ｄ．Ａｐｐｌ．Ｐｈｙｓ．２９，２９７１（１９９６）．

［３２］Ｍ．Ｃａｍｐｏｓ，Ｇ．Ｃａｓａｌｂｏｒ－Ｍｉｃｅｌｉ，Ｎ．Ｃａｍａｉｏｎｉ，Ｊ．Ｐｈｙｓ．Ｄ．Ａｐｐｌ．Ｐｈｙｓ．２８，２１２８

（１９９５）．

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