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基于ZnO的异质结的组建及其光电性能研究(10)

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洞南大学微电F学与州体电予学专业2007级硕士学位论文

增大,薄膜的带隙可减小至3.11eV[11】。我们可以通过不同元素的掺杂实现对ZnO禁带宽度的连续调节以实现不同的应用需要。

1.3.2可见光区透过率高

ZnO在紫外光区有较强的吸收,但在可见光区的透过率可高达90%。可用于制作透明的光电子器件。沉积在石英衬底上的ZnO薄膜样品与其基材石英玻璃片透射率的比较,沉积在石英上的ZnO薄膜的透射率均大于石英的透射率,最大可提高2.3%。由此可知制备出的ZnO薄膜已经在一定程度上起到了增透膜的作用,这一结果有望在太阳能电池中得到应用。

1.3.3紫外发射强

ZnO的发光特性是人们研究的重点。通常ZnO薄膜的光致发光可分为带边紫外发光和深能级发射。紫外发射较强,是由激子复合产生的,发光范围一般都370nm左右。而深能级发射是与ZnO的结构缺陷和杂质密切相关的,一般在460.520nm。提高薄膜的结晶质量可以抑制深能级发射,通常可以根据紫外发射峰的强度和深能级发射峰的强度的比值来表征ZnO的结晶质量和发光特性,该值越大,薄膜质量越高,发光性能越好‘12,131。

1.3.4导电性好

由于ZnO薄膜中存在本征施主缺陷,如间隙Zn原子、O空位等,使得ZnO薄膜天然呈弱n型导电。因此ZnO薄膜的电阻率一般较高,在10。2Q cm数量级。但通过调整生长、掺杂或退火条件可形成简单的半导体薄膜,导电性能大幅提高,电阻率可降低到10。4Q cm数量级。特别是A1、Ga、In等元素的掺杂,可以大大提高ZnO的导电性能。掺铝ZnO薄膜(ZAO)具有同ITO膜可比拟的光学电学性质,可在光电显示领域用作透明电极。

1.3.5光电性能好

ZnO是一种极好的光电材料,随着人们对ZnO的深入研究,发光二极管【14-161,紫外探测器【17-191,激光器【201,场效应晶体管【21,221,太阳能电池∞,24】等一些基于ZnO的光电器件已经得到了广泛的研究,并取得了一定的进展。

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