基于ZnO的异质结的组建及其光电性能研究(18)

河南大学微电子学与同体电子学专业２００７级硕士学位论文

２１３（２００８）．

【１２】Ｄ．Ｍ．Ｐａｒａｇｕａｙ，Ｄ．Ｗ．Ｅｓｔｒａｄａ，Ｌ．Ｄ．Ｒ．Ａｃｏｓｔａ，ｅｔ

ＺｎＯｔｈｉｎｆｉｌｍｇｒｏｗｎｂｙｐｌａｓｍａ－ａｓｓｉｓｔｅｄａｌ，ＩｎｆｌｕｅｎｃｅｏｆａｎｎｅａｌｉｎｇｏｎＭＯＣＶＤ，Ｖａｃｕｕｍ．６９，４７３（２００３）．

ｔｅｍｐｅｒａｔｕｒｅｅｘｃｉｔｏｎｉｃ【１３】ＹＥＣｈｅｎ，Ｄ．Ｍ．Ｂａｇｎａｌｌ，Ｚ．Ｑ．Ｚｈｕ，ｅｔａｌ，Ｒｏｏｍ

ｓｔｉｍｕｌａｔｅｄｅｍｉｓｓｉｏｎｆｒｏｍｚｉｎｃｏｘｉｄｅｅｐｉｌａｙｅｒｓｇｒｏｗｎｂｙｐｌａｓｍａａｓｓｉｓｔｅｄ

Ｃｒｙｓｔ．Ｇｒｏｗｔｈ．１８１，１６５（１９９８）．ＭＢＥ，Ｊ．

【１４】ＹＹ）（ｉ，ＹＥＨｓｕ，Ａ．Ｂ．ｏｊｕｒｉｓｉｃ，Ａ．Ｍ．Ｃ．Ｎｇ，Ｗ．Ｋ．Ｃｈａｎ，Ｈ．Ｌ．Ｔａｍ，ａｎｄＫ．Ｗ

ｅｍｉｔｔｉｎｇｄｉｏｄｅｓｂｙｓｏｌｕｔｉｏｎ－ｂａｓｅｄｇｒｏｗｔｈ，Ａｐｐｌ．Ｐｈｙｓ．Ｌｅｔｔ．Ｃｈｅａｈ，ＮｉＯ／ＺｎＯｌｉｇｈｔ

９２，１１３５０５（２００８）．

【１５】Ｈ．Ｏｈｔａ，Ｋ．Ｋａｗａｍｕｒａ，Ｍ．Ｏｒｉｔａ，Ｍ．Ｈｉｒａｎｏ，Ｎ．Ｓａｒｕｋｕｒａ，ａｎｄ

ＣｕｒｒｅｎｔＨ．Ｈｏｓｏｎｏ，ｏｆｉＩｌｉｅｃｔｉｏｎｅｍｉｓｓｉｏｎｆｒｏｍａｔｒａｎｓｐａｒｅｎｔｐ／ｎｊｕｎｃｔｉｏｎｃｏｍｐｏｓｅｄ

ｐ－ＳｒＣｕ２０２／ｎ－ＺｎＯ，Ａｐｐｌ．Ｐｈｙｓ．Ｌｅｔｔ．７７，４７５（２０００）．

［１６】Ａ．Ｔｓｕｋａｚａｋｉ，Ａ．Ｏｈｔｏｍｏ，Ｔ．Ｏｎｕｍａ，Ｍ．Ｏｈｔａｎｉ，Ｔ，Ｍａｋｉｎｏ，Ｍ．Ｓｕｍｉｙａ，Ｋ．

Ｏｈｔａｒｆｉ，Ｓ．ＥＣｈｉｃｈｉｂｕ，Ｓ．Ｆｕｋｅ，ＹＳｅｇａｗａ，Ｈ．Ｏｈｎｏ，Ｈ．Ｋｏｉｎｕｍａ，ａｎｄ

ｄｏｐｉｎｇＭ．ａｎｄＫａｗａｓａｋｉ，Ｒｅｐｅａｔｅｄｔｅｍｐｅｒａｔｕｒｅｍｏｄｕｌａｔｉｏｎｅｐｉｔａｘｙｆｏｒｐ－ｔｙｐｅ

ｌｉｇｈｔ－ｅｍｉｔｔｉｎｇｄｉｏｄｅｂａｓｅｄｏｎＺｎＯ，Ｎａｔ．Ｍａｔｅｒ．４，４２（２００５）．

ｎ－ｉ－ｐｈｅｔｅｒｏｓｔｒｕｃｔｕｒｅｕｌｔｒａｖｉｏｌｅｔ【１７】Ｋ．ＷａｎｇａｎｄＹＶｙｇｒａｎｅｎｋｏ，ＺｎＯ－ｂａｓｅｄｐ－ｉ—ｎａｎｄ

ｓｅｎｓｏｒｓ：ａｃｏｍｐａｒａｔｉｖｅｓｔｕｄｙ，Ｊ．Ａｐｐｌ．Ｐｈｙｓ．１０１，１１４５０８（２００７）．

Ａ．Ｎａｔｈａｎ，Ｌｏｗｌｅａｋａｇｅｐ－ＮｉＯ／ｉ－ＺｎＯ／ｎ－ＩＴ０【１８】ＹＶｙｇｒａｎｅｎｋｏ，Ｋ．Ｗａｎｇａｎｄ

ｈｅｔｅｒｏｓｔｒｕｃｔｕｒｅｕｌｔｒａｖｉｏｌｅｔｓｅｎｓｏｒ，Ａｐｐｌ．Ｐｈｙｓ．Ｌｅｔｔ．８９，１７２１０５（２００６）．

［１９］Ｈ．Ｏｈｔａ，Ｍ．Ｋａｍｉｙａ，Ｔ．Ｋａｍｉｙａ，Ｍ．Ｈｉｒａｎｏ，Ｈ．Ｈｏｓｏｎｏ，ＵＶ－ｄｅｔｅｃｔｏｒｂａｓｅｄｏｎ

ｐｎ－ｈｅｔｅｒｏｊｕｎｃｔｉｏｎｄｉｏｄｅｃｏｍｐｏｓｅｄｏｆｔｒａｎｓｐａｒｅｎｔｏｘｉｄｅｓｅｍｉｃｏｎｄｕｃｔｏｒｓ，ｐ－ＮｉＯ／ｎ－ＺｎＯ，Ｔｈｉｎｓｏｌｉｄｆｉｌｍｓ４４５，３１７（２００３）．

［２０】Ａ．Ｍｉｔｒａ，Ｒ．Ｋ．Ｔｈａｒｅｊａ，ＶＪａｎｅｓａｎ，Ａ．Ｇｕｐｔａ，Ｐ．Ｋ．Ｓａｈｏｏ，ｖ．Ｎ．Ｋｕｌｋａｍｉ，

ＳｙｎｔｈｅｓｉｓａｎｄｃｈａｒａｃｔｅｒｉｚａｔｉｏｎｏｆＺｎＯｆｉｌｍｓｆｏｒＵＶｌａｓｅｒ，Ａｐｐｌ．Ｓｕｒｆ．Ｓｃｉ．１７４．２３２（２００１）．

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