《半导体激光器》翻译(5)

桂林电子科技大学毕业设计（论文）报告用纸 第 19 页 共 20页

一块材料上。

图（3.7）通过另一个激光器的激光来抑制激光的设备（a）两个分离的激光器（b）两

个激光器都是由同一块材料以SiO2屏蔽技术制作而成

如图（3.7b）所示，利用SiO2屏蔽技术把两个电气隔离的半导体放置在同一块材料上。四周互相垂直的半导体被粘连在一起，但是在抑制激光器上他们被蚀刻掉一部分，这是为了激光能够射入所示的方向。被抑制的激光器要制备的足够小，以便其只产生垂直于所示方向的激光。被抑制的激光器其实是被包围在抑制激光器的腔里以获得更好的耦合。有图表表明了受抑制激光器从它本身的光束到抑制激光器的光束获取能量的比例。凯利发现这个比例从0.6到0.75，比福勒提出的方案高出一个数量级。

前面讨论了双异质结，如图（3.4）所示，它可以在光学双稳定态下工作——两个稳定的光学状态对应一个电气状态。电流通过一个触头注入，以便其正好低于阈值，而结的另一边是不活动区域。若在结的两端都加入额外的电流脉冲，这个结就会被打开并抑制维持到脉冲移走。这个装置以小脉冲也可以是其接通，而加入一个负脉冲就会使它断开。这对于这种现象的解释是，不活动区域作为饱和吸收的区域给激光器提供了两个稳定状态。

GaAs半导体激光器也可以作为放大器来使用，为了实现这个功能就要在激光器的端面涂上防反射涂层来减少反馈作用和抑制振荡。据报道，通过提高电流阈值10倍可以使得光放大2000倍。

高频率调制的轻松实现，使得GaAs半导体激光器在通讯方面很有吸引力。在大多数的通信系统，在阈值之上的激光器工作状况良好。因此，正如我们所见，GaAs半导体激光器的输出将为多模，而且不需要用到外差检测技术。非相干辐射半导体激光器的主要优势是它的方向性和高外量子效率。而高外量子效率可以提高光学系统的综合效率。而此类激光器的不利之处就是利用它的频率响应需要冷却。对于所有普通用于地面通信的激光器来说最大的难题是如何克服长距离传输的大气衰减问题。以GaAs半导体激光

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器作为发射端的光链路已经建造出来了。其中一条链路可以在超过13公里范围外发送24个语音频道。

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