基本的mos管的pcell建立 在新建的cellview中进行以下操作 Tools-pcell
先layout出一个最简单的MOS 管 1．定义channal 长度和宽度L，W：
点击stretch命令进行横向和纵向拉伸 Stretch in X ：
将出现的控制线，跨过你所需要拉伸的所有layer，然后按enter出现下图所示的图框
Name or Expression for stretch：自己取个名字，比如L代表了channal channel Reference Dimension （Default）：L的尺寸，默认为控制线所经过的最小layer宽度 其他的几个选项可以调整layer 拉伸的方向和最小最大值 W用stretch in Y定义 然后看看成果
点击compile –to pcell，进行编辑
点击OK，并且保存。
可以看到现在调用出来的MOS 已经是一个可以编辑W，L的器件了。但是我们有的时候我们要用到多个finger并联，所以可以通过设置另外一个参数M来实现。
因为M实际上就是一个finger复制M次，所以我们要用到repetition选项，如果这样直接使用这个操作，无法实现我们需要的结果，现在进行repetition的L是原始的L但是希望得到的是L改变后的复制，所以我们用到stretch-qualify
点击Qualify，此时控制线可选，点击控制L的线，并希望与其一起变化的layer，并双击或者enter确定
现在就可以进行repetition操作了。 我们还需要定义一个X方向的辅助参数ods，
选中需要repeatlayer，一般是poly，contact，metal， Repetition-repeat in X，
Ok，然后进行compile-to pcell
同样的方法不用定义ods，然后其他定义和上相同，调用两个pcell可以看出两者的不同
横向的repeat后，要进行纵向的repeat 一般选择contact repeat。
选种需要repeat的layer，然后repeatition-repeat in X and Y
上面的参数要根据自己的工艺进行定义
这就是一个简单的MOS 的pcell建立方法。
下面的定义我们可以用于一个pcell 可以做多个调用，比如我们要用到pmos和nmos，他们两个之间只有一层layer不同，我们可以选择这层layer，来实现NMOS 或者是PMOS，同样我们的一个芯片中很可能要用到不同电压的器件，比如这个工艺所用的1.8 v和3.3v的器件，3.3V比1.8V的多了一层layer，我们可以选择这个层次的有无来选择两种不同的器件，我们就以这个例子来定义。 选择需要定义的层次，然后
出现的图框中进行定义
Ok
Compile-to pcell并保存
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