作是否已经完成?完成,程序将向下执行,用2F4H读取N个8位数。读完后程序结束或返回
用C语言程编写单元光电信号A/D数据采集系统的序如下: # include
int ready=0;
unsigned char result=0;
outportb(0x2F3,20); //设定N=20
inportb(0x2F1);//启动AD,完成采集系统的复位 while(1) {
ready=inportb(0x2F5);
ready = ready&0x01; if (ready==1) break;
//查询AD转换完否 }
result = inportb(0x2F4); //读数据 printf(“\\n result:%d”,result); }
微分法实现的二值化处理方法
图9-12所示为边沿送数法二值化数据采集计算机接口电路的原理方框图。工作脉冲波形如图9-13所示。
如果硅光电池的负载为RL,画出它的等效电路图,写出流过负载IL的电流方程及Uoc、Isc的表达式,说明其含义(图中标出电流方向)。 硅光电池的工作原理和等效电路为下图:
(a)光电池工作原理图 (b)光电池等效电路图 (c)进一步简化
从图(b)中可以得到流过负载RL的电流方程为:
i?ip-iD?ip?is0(eqV/KT?1)?SEE?is0(eqV/KT?1)
(1)
其中,SE为光电池的光电灵敏度,E为入射光照度,Is0是反向饱和电流,是光电
池加反向偏压后出现的暗电流。
当i=0时,RL=∞(开路),此时曲线与电压轴交点的电压通常称为光电池开路时两端的开路电压,以VOC表示,由式(1)解得:
VOC?kTq?Ip??ln??1?I??0?
(2)
当Ip》Io时,VOC?(kT/q)ln(Ip/I0)
当RL=0(即特性曲线与电流轴的交点)时所得的电流称为光电流短路电流,
以Isc表示,所以
Isc=Ip=Se·E (3)
从式(2)和(3)可知,光电池的短路光电流Isc与入射光照度成正比,而开路电压Voc与光照度的对数成正比。
光敏电阻的原理图,Rp为光敏电阻,Rl为负载电阻,Ub为偏置电压,U为光敏电阻两端电压。(p94)
g?gp?Sg?ER?1G?1SgE2g?Sg?1R?SgE?R??RSg?E?dRR2?SgdE 负号的物理意义,是指电阻值随光照度的增加而减小
光敏电阻的伏安特性曲线(p94)
VbI ??I?RL?Rp??Rp
??Rp?VbVbVb??? I?(I??I)?I?2RL?Rp??RpRL?Rp(RL?Rp)
2RpSgVb ?I????2 (Rp?RL) 2??Rp?VbRpSgVb ?VL??I?RL??RL??RL??22(RL?Rp)(RL?Rp)
补偿式轴径检测装置
该装置利用光量变化对轴径进行补偿式检测。其工作原理如图8-12所示。
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