任何温度下对任何波长的入射辐射能的吸收比都等于1，称为（ A ）.
A．黑体 B．灰体C．黑洞 D．绝对黑体
半导体中施主能级的位置位于（ A ）中.
A. 禁带 B. 价带C. 导带 D. 满带
热效应较大的光是（ C ）.
A. 紫光 B. 红光C. 红外 D. 紫外
为了实现均匀倍增，雪崩光电二极管衬底掺杂材料要求( A ).
A. 浓度均匀 B. 浓度大 C. 浓度小 D. 浓度适中
光纤折射率纤芯n 1、包层n 2、外套n 3的关系是（ B ）.
A. n 1> n 2> n 3 B. n 1> n 3> n 2 C. n 3> n 2> n 1 D. n 2> n 3> n 1
硅光电二极管与硅光电池比较，前者（ A ）．
A．掺杂浓度低 B．电阻率低 C．零偏工作 D．光敏面积大
卤钨灯是一种 ( B ).
A. 气体光源 B. 热光源 C. 冷光源 D. 激光光源
在光电倍增管中，产生光电效应的是( A ).
A．阴极 B. 阳极 C. 倍增极 D. 玻璃窗
像管中（ D ）的出现和使用，成为了第一代像管出现的标志性部件。
A. 负电子亲和势阴极； B. 电子光学系统； C． 微通道板MCP； D. 光纤面板
半导体结中并不存在（ D ）．
A. PN结 B. PIN结 C. 肖特基结 D.光电结
光通量是辐射通量的（ A ）倍.
A. 683 B. 1/683 C. 863 D. 1/863
面阵CCD主要是通过（ A ）工作.
A. 电荷 B. 电压 C. 电流 D. 电阻
光度量是辐射度量的（ C ）倍．
A.683 B. V（λ） C.683 V（λ） D . 1/683 V（λ）
任何温度下对任何波长的入射辐射能的吸收比都小于1，称为（ B ）.
A．黑体 B．灰体C．黑洞 D．绝对黑体
半导体中受主能级的位置位于（ A ）中.
A. 禁带 B. 价带C. 导带 D. 满带
属于成像的器件是（ C ）.
A. LD B. LED C. CCD D. PMT
充气卤钨灯是一种 ( B ).
A. 气体光源 B. 热光源C. 冷光源 D. 激光光源
热效应较小的光是（ D ）.
A. 紫光 B. 红光C. 红外 D. 紫外
在光电倍增管中，产生二次电子发射的是( C ).
A．阴极 B.阳极 C. 倍增极 D. 玻璃窗
光纤纤芯、包层、外套的折射率n 1、n 2、n 0的关系是（ D ）.
A. n 1> n 2> n 0 B. n 2> n 0> n 1 C. n 0> n 2> n 1 D. n 1> n 0> n 2
光照一定，短路电流与入射光波长的关系，属光电池的( C )特性： A. 频率; B. 伏安;C. 光谱; D. 温度．
像管中（ C ）的出现和使用，成为了第二代像管出现的标志性部件。
A. 负电子亲和势阴极； B. 电子光学系统； C． 微通道板MCP； D. 光纤面板
充气白炽灯主要充入（ A ）.
A. 氩气 B.氙气 C. 氖气 D.氪气
．线阵CCD主要是通过（ A ）工作.
A. 电荷 B. 电压C. 电流 D. 电阻
有两块材料制成的热敏电阻，A为半导体材料，B为白金，当温度升高，则两种材料的电阻将（ C ）
A、RA 变小； RB 变小 B、RA变大； RB变大 C、RA 变小； RB变大 D、RA变大； RB变小
光电倍增管中，产生光电效应的是（ A ）
A、阴极 B、阳极 C、二次倍增极 D、玻璃窗
关于人眼的光谱光视效率，以下说法正确的是： （ D ） （A）对各种波长的入射光，只要它们的光谱辐射通量相等，则人眼感到的主观亮度相等；
（B）光源的亮度对人眼的光谱光视效率没有影响；
（C）对波长为840 nm的入射光，人眼亮视觉的光谱光视效率小于人眼暗视觉的光谱光视效率；
（D）对波长为589 nm的入射光，人眼亮视觉的光谱光视效率大于人眼暗视觉的光谱光视效率。
在光电技术中，对光源的主要要求有： （ D ） （A）发光强度要大，发光效率要高； （B）光辐射通量要大，光源稳定性要好； （C）光源方向性好，便于调制；
（D）光源的光谱功率分布应与光电探测器件光谱响应相匹配。
关于光电倍增管，下列说法正确的是： （ B ） （A）光电倍增管主要由光电阴极、电子光学系统、电子倍增极、阳极、电源等组成；
B）电子光学系统的作用是使光电阴极发射的光电子尽可能多的汇集到第一倍增极，并使光电子的渡越时间尽可能相等；
（C）光电倍增管的增益由外加的总电压决定，与阳极电压无关； （D）阴极灵敏度由阴极材料决定，与窗口材料无关。
光电探测器的主要噪声有： （C ）
（A）热噪声，白噪声，产生—复合噪声；
（B）热噪声，白噪声，产生—复合噪声；1/f噪声；
（C）热噪声，散粒噪声，产生—复合噪声，1/f噪声，温度噪声； （D）热噪声，散粒噪声，1/f噪声，温度噪声。
对半导体光电导器件，以下说法中正确的是： ( C ) （A）光电导器件只能测量交变光照，不需要加偏压即可工作； （B）光电导器件只能测量稳定的光照，必须加偏压才能工作； （C）光电导器件可以测量交变光照，必须加偏压才能工作； （D）光电导器件只能测量稳定的光照，不需要加偏压即可工作；
热敏电阻与入射光的关系有： （D） （A）其响应取决于入射光辐射通量，与光照度无关；
（B）其响应取决于光照度，与入射光辐射通量无关； （C）其响应取决于光照度，与入射光波长无关； （D）其响应取决于入射光辐射通量，与入射光波长无关。
光敏电阻与入射光的关系有： （ A ） （A）其响应取决于入射光辐射通量，与光照度无关； （B）其响应取决于光照度，与入射光辐射通量无关 （C）其响应取决于光照度，与入射光波长无关
（D）其响应取决于入射光辐射通量，与入射光波长无关。
常用的快速光电探测器件有： （A）光敏电阻，光电池，光电二极管等；
（B）PIN光电二极管，雪崩光电二极管，光电倍增管等； （C）热敏电阻，热释电器件，光电倍增管等； （D）CCD，热释电器件，光电倍增管等
关于半导体光伏器件，以下说法正确的是： （A）光电二极管通常工作在其伏安特性曲线的第一象限； （B）光电二极管通常工作在其伏安特性曲线的第四象限 （C）光电池通常工作在其伏安特性曲线的第一象限； （D）光电池通常工作在其伏安特性曲线的第四象限；
减小光电二极管时间常数的基本方法是： （A）减小光电二极管的接受光的区域的面积； （B）减小光电二极管的P—N结的厚度； （C）减小后级电路的负载电阻的阻值； （D）给光电二极管加较大的反向偏置电压。
在光电技术中使用的探测器经常需要在低温下工作，这是为了： （A）减小电路中温度噪声的影响； （B）减小电路中f/1噪声的影响； （C）减小电阻热噪声的影响；
（D）减小电路中产生-复合噪声的影响。
提高一个光电探测器的探测率最有效的方法是： （A）降低光电探测器的温度，减小电路系统的通频带宽度； （B）降低光电探测器的温度，减小电路系统的等效电阻； （C）提高光电探测器的温度，增大电路系统的通频带宽度； （D）提高光电探测器的温度，增大电路系统的等效电阻；
使用经过致冷的光电探测器，可以使： （A）光电探测器中的电子的速度减小； （B）光电探测器中的电阻的阻值减小； （C）光电探测器中的电阻的热噪声减小；
（B） D ） D ） C ） A ） （ C ） （ （ （（ （D）光电探测器的通频带的宽度减小。
在以下各种说法中，正确的是： （ D ） （A）CCD是通过势阱存储电荷的，但不能通过势阱变化把电荷转移出去； （B）CCD是通过P-N结存储电荷的，可以通过势阱变化把电荷转移出去； （C）光电二极管可以通过P-N结存储电荷，可以通过势阱变化把电荷转移出去；
（D）光电二极管可以通过P-N结存储电荷，可以通过曝光的办法把电荷泄放掉。
在以下各种说法中，正确的是： （ D ） （A）光电位置传感器是通过光伏效应来测量的，不能同时测量光点的位置和强度；
（B）光电位置传感器是通过光电导效应来测量的，不能同时测量光点的大小和强度；
（C）光电位置传感器是通过光伏效应来测量的，可以同时测量光点的大小和强度；
（D）光电位置传感器是通过光电导效应来测量的，可以同时测量光点的位置和强度；
使用热电偶测量光照的优点是： （A） （A）输出电压与光的波长无关； （B）输出电流与波的强度无关； （C）输出功率与波的强度成正比； （D）测量噪声与背景光强无关。
在内光电效应材料中： （D） （A）入射光波长越长，光吸收系数越大，量子效率越高； （B）入射光波长越长，光吸收系数越小，量子效率越低； （C）入射光波长越短，光吸收系数越大，量子效率越高；
（D）随着入射光波长由长变短，光吸收系数越来越大，但量子效率则由低到高后，又随波长变短而越来越低；
下列各物体哪个是绝对黑体： （ B ） (A) 不辐射任何光线的物体 (B) 不能反射任何光线的物体
(C) 不能反射可见光的物体 (D) 不辐射可见光的物体
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