电子技术基础(模拟部分)5版 康华光
4.1.1 测得某放大电路中BJT的三个电极A、B、C的对地电位分别为 VA=-9 V,VB=-6 V,Vc=6.2 V,试分析A、B、C中哪个是基极b、发射极e、集电极c,并说明此BJT是NPN管还是PNP管。
解:由于锗BJT的|VBE|≈0.2V,硅BJT的|VBE|≈0.7V,已知用BJT的电极B的VB=-6 V,电极C的Vc=-6.2 V,电极A的VA=-9 V,故电极A是集电极。又根据BJT工作在放大区时,必须保证发射结正偏、集电结反偏的条件可知,电极B是发射极,电极C是基极,且此BJT为PNP管。
4.2.1试分析图题4.2.1所示各电路对正弦交流信号有无放大作用。并简述理由(设各电容的容抗可忽略)。
解:图题4.2.la无放大作用。因Rb=0,一方面使发射结所加电压太高,易烧坏
管子;另一方面使输人信号vi被短路。
图题4.2.1b有交流放大作用,电路偏置正常,且交流信号能够传输。 图题4.2.lc无交流放大作用,因电容Cbl隔断了基极的直流通路。
图题4.2.id无交流放大作用,因电源 Vcc的极性接反。
图题4.2.1
4.2.3 测量某硅BJT各电极对地的电压值如下,试判别管子工作在什么区域。 (a)VC=6 V VB=0.7 V VE=0 V (b)VC=6 V VB=2 V VE=1.3 V
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(c)VC=6V VB=6V VE=5.4 V (d)VC=6V VB=4V VE=3.6 V (e)VC=3.6 V VB=4 V VE=3.4 V 解:(a)放大区,因发射结正偏,集电结反偏。
(b)放大区,VBE=(2-l.3)V=0.7 V,VCB=(6-2)V=4 V,发射结
正偏,集电结反偏。
(c)饱和区。 (d)截止区。
(e)饱和区。
4.3.4 设输出特性如图题 4.3.1所示的 BJT接成图题 4.3.2所示的电路,具基极端上接VBB=3.2 V与电阻Rb=20 kΩ相串联,而 Vcc=6 V,RC=200Ω,求电路中的 IBQ、ICQ和 VCEQ的值,设 VBEQ=0.7 V。
图题4.3.1 图题4.3.2
解: IBQ?由题4.3.1已求得β=200,故
ICQ??IBQ?200?0.125?25mAVCEQ?VCC?ICQRc?1VVBB?VBEQRb?0.0125mA
4.3.5 电路如图题4.3.5a所示,该电路的交、直流负载线绘于图题5.3.5b中,试求:(1)电源电压VCC,静态电流IBQ、ICQ和管压降VCEQ的值;
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(2)电阻Rb、RC的值;
(3)输出电压的最大不失真幅度;
(4)要使该电路能不失真地放大,基极正弦电流的最大幅值是多少?
图题4.3.5
解:(1)由图4.3.5b可知,直流负载线与横坐标轴的交点即Vcc值的大小,故Vcc= 6V。
由Q点的位置可知,IBQ =20μA,ICQ=1 mA,VCEQ=3 V。 (2)由基极回路得:
Rb?VCCIB?300k?
由集-射极回路得:
RC?VCC?VCEIC?3k?
(3)求输出电压的最大不失真幅度
由交流负载线与输出特性的交点可知,在输人信号的正半周,输出电压vCE从3V到0.8V,变化范围为2.2V;在输入信号的负半周,输出电压vCE从3V到4.6V,变化范围为1.6V。综合起来考虑,输出电压的最大不失真幅度为1.6V。 (4)基极正弦电流的最大幅值是20 μA。
4.3.8 画出图题4.3.8所示电路的小信号等效电路,设电路中各电容容抗均可忽略,并注意标出电压、电流的正方向。
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图题4.3.8
解:图题4.3.8所示各电路的小信号等效电路如图解4.3.8所示。
图解4.3.8
3.4.9单管放大电路如图题3.4.9所示已知BJT的电流放大系数β=50。
(1)估算Q点;
(2)画出简化 H参数小信号等效电路; (3)估算 BJT的朝人电阻 rbe;
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(4)如输出端接入 4 kΩ的电阻负载,计算Av?vovi及Avs?vovs。
图题4.3.9 图解4.3.9
解(1)估算Q点,画出直流通路,得
IBQ?VCCRb?40?AICQ??IBQ?2mAVCEQ?VCC?ICQRc?4V
(2)画出交流通路,并得简化的H参数小信号等效电路如图解4.3.9所示。 (3)求rbe
rbe?200??(1??)26mVIEQ?200??(1?50)26mV2mA?863?
Av?vovi????RLrbe??116
(4)
Avs?vovs?AvRiRi?Rs
??73
4.3.12 在图题4.3.12所示电路中,设电容C1、C2、C3对交流信号可视为短路。(1)写出静态电流ICQ及电压VCEQ的表达式;(2)写出电压增益Av、输人电或Ri.和输出电阻Ro的表达式;(3)若将电容C3开路,对电路将会产生什么影响?
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