H桥功率驱动电路的设计研究(17)

IR2111,IR2130,PWM,直流,驱动

第二章Ｈ桥功率驱动器总体电路设计

具体控制信号与输出的关系如图２—８所示。

其中，ＰｗＭ接逻辑高电平，Ｄｉｒ接方波信号：

ＤＩＲ信号占空比５０％代表平均输出电流为０，故驱动能力为Ｏ。

ＤＩＲ信号占空比大于５０％代表正向驱动，占空比越大，正向转速越高。

ＤＩＲ信号占空比小于５０％代表反向驱动，占空比越小，反向转速越高。

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由两种控制方式的输入输出关系可以确定控制信号与开启的功率ＤＭＯｓ的关

系如表２—１所示。

表２．１输入逻辑信号与有效功率管驱动电路关系

ＰＷＭ

Ｈ

Ｈ

Ｌ

Ｈ

Ｈ

ＬＤｍＨＬＸＨＬＸＢｒａｋｅＬＬＬＨＨＨＡｃｔ扣ｅｏｕｔｐｕｔＤｒｉｖｅｒｓＭ１．Ｍ４Ｍ２．Ｍ３Ｍ１．Ｍ２Ｍ１．Ｍ２Ｍ３．Ｍ４ＮｏＮＥ

２．５总体电路结构设计

实现Ｈ桥有多种不同的方法，从采用的功率器件上分主要有双极功率器件

（ＧＴＲ）、ＤＭ０ｓ功率器件和绝缘栅双极晶体管（ＩＧＢＴ）三种。其中，双极功率

器件和ＤＭＯｓ功率器件更适用于单片集成的智能功率集成电路（ｓＰＩｃ）。虽然ｌＧＢＴ同时具有双极器件和ＭＯＳ器件的优点，但它主要用于中低频、高压、大电流功率

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