电气工程及其自动化专业毕业论文[1]1(17)

电力载波通信抄表集中器硬件设计 13

W77E58内含32KB Flash EPROM，工作电压为4.5V-5.5V，具有 1KB片上外部数据存储器，当用户应用时使用片上SRAM代替外部SRAM，可节省更多I/O口。其主要性能参数：

(1) 8位CMOS微控制器

(2)每4个时钟周期为一个机器周期的高速结构，最大外部时钟频率为40MHZ

(3)与标准80C52管脚兼容

(4)指令与MCS-51兼容

(5) 4个8位I/O口

(6) 3个16位定时/计数器

(7) 12个中断源，2级中断能力

(8)片上振荡器及时钟电路

(9)二个增强型全双工串行口

(10)32KB，Flash EPROM

(11)256字节片内暂存RAM

(12)片内1KB外部数据存储器（用MOVX指令访问）

(13)可编程看门狗定时器，软件复位，2个16位数据指针

(14)对外部RAM及外设的访问周期可以进行软件编程

(15)封装： DIP 40: W77E58-40 ，PLCC 44：W77E58P-40 ， QFP 44： W77E58F-40

4.2.3 单片机W77E58的简单介绍

W77E58与8052在管脚及指令集上兼容。它具有8052的资源如：4个双向8位I/O口，3个16位定时器/计数器，全双工串行和若干中断源。W77E58中建有一个更加快速，性能更好的8位CPU，它的内核经过重新设计，提高了时钟速度和存储器访问周期速度。性能的提高不仅仅在于使用高频的振荡器，还在于W77E58将多数标准的8052指令的机器周期从12个时钟减少至4个时钟。这样性能就提高了1.5-3倍。另外W77E58还可调整MOVX指令的周期，范围为2个机器周期、9个机器周期。这种设计使得W77E58能够更有效的访问慢速或快速外部RAM及外设。W77E58内含1KB用MOVX 指令访问的数据存储器，地址范围为0000H-03FFH。它只能用MOVX指令来访问，可由软件来选择是否使用这个片上SRAM。

W77E58是与8052兼容的，因此具有8052的特性；相比8052它的速度提高，耗电量减少。他的指令集基本与8051相同；多了一条DEC DPTR (操作码 A5H, DPTR减 1)指令。8051每12个时钟周期为一个机器周期，而W77E58每4个时钟周期为一个机器周期。这样提高了W77E58的指令执行速度。因此与8052相比即使在时钟频率相同的情况下W77E58也可以以更高速度运行。由于采用全静态CMOS设计，W77E58能够在低时钟频率下运行，在相同指令吞吐量的情况下，电源消耗也降低。机器周期缩短至4个时钟周期，是

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