电流显著变化这就是“激活处理”。在本实验中,由于时间所限,未进行激活处理。加电形成和激活处理的示意图如图15所示。
导电薄膜裂缝加电压形成后即可进行表面传导电子发射性能测试了。表面传导电子发射测试的电路图如图16所示。其中Va为阳极电压,Vf为器件电压,If为器件电流,Ie为发射电流。
导电薄膜裂缝加电形成和表面电子传导电子发射性能测试均在真空中进行,实验中用到的真空系统如图17所示。
常规开机规程为:接通冷却水(各阀门关闭,真空室关闭);开总电源;开机械泵;开V3旁抽阀,机械泵对真空室抽气,电阻规测量低真空;真空度低于5Pa后关闭V3旁抽阀,开分子泵总电源开关;开电磁阀DF(分子泵LED置零)然后开分子泵启动按钮;开闸板阀,对真空室抽气,分子泵正常工作后,开高真空机(电离计)。
若开机时真空度低于5Pa,可直接执行后半部分。
关机规程为:关闭各仪表电源呢;关闭所有阀门,是系统保持真空;关分子泵,抽气速率为零后关闭电磁阀;关机械泵;关总电源;关冷却水。
首先要在真空室内连好电路,电路如图16所示,连接时注意各个鳄鱼夹尽量不要交叉,接触,以免短路。鳄鱼夹夹住电极时在电极上垫上一块钢网,目的是增大接触面积而减小接触电阻,连接好电路后测量器件电极对之间电阻值并记录。真空连接好的电路如图18所示。
按照开机规程操作对真空室抽真空使真空度达到10-3Pa。
给选用的器件电极对加上加电形成电压,记录器件电流随加电形成电压(器件电压)变化的数据。加电形成完成后测量所选器件电极对之间的电阻并记录。
给阳极加上阳极电压Va(1000V)给加电形成好器件电极对加上器件电压Vf,记录器件电流If,发射电流Ie随器件电压Vf变化的数据。性能测试过程中观察器件的发光情况。每次性能测试后也要测量所选器件电极对之间电阻并记录数据(如表一)
7、器件封接(观察实验)
SED是一种真空显示器件,由上下玻璃基板及周围封接材料框构成的一个密封结构,内部为高真空。
器件封接选用的粘合剂选用低熔点的玻璃粉(低玻粉),他的熔点比玻璃熔点低,具有较好的气密性,化学稳定性和机械强度。主要成分为:氧化铅,氧化锌,乙基纤维素,硝棉等。
SED封接步骤:
准备好阴阳极板,以及支撑用玻璃条;
配制低玻粉浆料,在支撑条上涂覆低玻粉,等待其干燥;
把涂了低玻粉的支撑条安装在阳极板上放入马弗炉中烘烤,待自然冷却;
取出后继续在支撑条的另一面涂覆低玻粉放入马弗炉中烘烤; 在支撑条之间涂覆低玻粉,固定好阴极,放入马弗炉中烘烤; 取出后对器件排气,到高真空后测试。
七、实验结果及分析
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