计算机组成原理教案
3．2．1 SRAM存储器
存储元的结构图。三种操作：保持、读出、写入。
SRAM存储器的组成，包括存储体、地址译码器、驱动器、I/O电路、片选与读／写控制电路、输出驱动电路。
SRAM与CPU的连接：位扩展法、字扩展法。要求掌握。
SRAM的读写周期，，注意，地址、数据以及控制信号的先后顺序。
3．2．2 DRAM存储器
SRAM的外围电路简单，速度快，但其使用的器件多，集成度不高。DRAM则可大幅度提高集成度。
四管DRAM和单管DRAM的结构
DRAM的操作：读、写、刷新。
DRAM的实例
DRAM的刷新方式：集中式、分散式、异步式。
DRAM的控制电路，主要包括刷新计数器、刷新／访存裁决、刷新控制逻辑等。
DRAM控制器的组成：地址多路开关、刷新定时器、刷新地址计数器、仲裁电路、定时发生器。
3．2．3 主存储器组成实例
3．2．4 高性能的主存储器
EDRAM的特点，在DRAM芯片上集成了一个小容量的SRAM作为Cache。
3．3 只读存储器和闪速存储器
3．3．1 只读存储器
ROM的工作方式：给定一个地址码，得到事先存入的确定数据。
ROM的优点：具有不易失性，即是电源被切断，ROM的信息也不会丢失。而使用SRAM进行存储，需要有电池等设备。
ROM的分类：
掩模式只读存储器：优点：可靠性高，集成度高，价格便宜。缺点：不能重写。
一次编程只读存储器：分为PN结击穿型和熔丝烧断型两种。
第一种写入原理属于结破坏型，即在行列线交点处制作一对彼此反向的二级管，它们由于反向而不能导通，称为0。若该位需要写入1，则在相应行列线之间加较高电压，将反偏的一只二极管永久性击穿，留下正向可导通的一只二极管，称为写入1。显然这是不可逆转的。
更常用的一种写入原理属于熔丝型，制造时在行列交点处连接一段熔丝，即易熔材料称为存入0。若该位需写入1，则让它通过较大电流，使熔丝熔断。显然这也是不可逆转的。
多次编程只读存储器：分为EPROM、EEPROM、FLASH ROM
EPROM原理：
EPROM实例：表3.2 2716的工作模式
例3为一计算机存储器的典型配置，包括ROM和RAM，要求掌握其逻辑结构图的画法。
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