5、输出电压脉率:小于10%
(十四)IGBT升压斩波电路设计(纯电阻负载)
设计条件:1、输入直流电压:Ud=50V
2、输出功率:300W
3、开关频率5KHz
4、占空比10%~50%
5、输出电压脉率:小于10%
(十五)MOSFET单相桥式无源逆变电路设计(纯电阻负载) 设计条件:1、输入直流电压:Ud=100V
2、输出功率:300W
3、输出电压波形:1KHz方波
(十六)IGBT单相桥式无源逆变电路设计(纯电阻负载) 设计条件:1、输入直流电压:Ud=100V
2、输出功率:300W
3、输出电压波形:1KHz方波
(十七)MOSFET单相半桥无源逆变电路设计(纯电阻负载) 设计条件:1、输入直流电压:Ud=100V
2、输出功率:300W
3、输出电压波形:1KHz方波
(十八)IGBT单相半桥无源逆变电路设计(纯电阻负载) 设计条件:1、输入直流电压:Ud=100V
2、输出功率:300W
3、输出电压波形:1KHz方波
(十九)单相交流调压电路(反并联)设计(纯电阻负载) 设计条件:1、电源电压:交流100V/50Hz
2、输出功率:500W
3、移相范围0º~180º
(二十)单相交流调压电路(混合反并联)设计(纯电阻负载) 设计条件:1、电源电压:交流100V/50Hz
2、输出功率:500W
3、移相范围0º~180º
(二十一)单相桥式晶闸管有源逆变电路设计(反电势阻感负载) 设计条件:1、电源电压:交流50V/50Hz
2、逆变功率:200W
3、反电势:E=70V
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