25.毫米波多芯片组件中金丝金带键合互连的特性比较(4)

毫米波多芯片组件中金丝金带键合互连的特性比较

（a）

(b)

图4单根金丝、两根金丝、三根金丝和金带互连实测S参数（a）S11 （b）S21

所测量实验基板的S参数与仿真结果相比较，如图3和图4，吻合较好。单根金丝连接的插入损耗在20～40GHz范围内是-0.5～-2.1dB，如图4(b)所示。另一方面，在同样的频率范围内，两根、三根金丝连接和金带连接的插入损耗分别小于0.6，0.5和0.8dB。两根、三根金丝连接和金带连接的性能比单根金丝连接的性能更好，特别是图4表明两根金丝连接的特性优于金带连接的性能。

在图4(b)中，测量的单根金丝、三根金丝和金带连接的插入损耗进行了细致的比较。连接线的特性主要与连接线的总长度有关。在长度L=380μm的两根金丝和长度L=390μm的金带之间，其插入损耗平均相差小于0.2 dB。此外，图4(b)表明在微波和毫米波应用中两根、三根金丝连接是优于金带连接的。尤其，在两根金丝连接的这种情况中，通过增加金丝之间的距离能够有效的减少寄生电感，主要是由于连接线之间的互感系数在减少。

4. 结论

计算机仿真结果和试验样品的测试结果表明：两根、三根金丝键合互连的微波特性优于金带键合连接，金带键合互连的微波特性优于单金丝键合互连。在实际工程应用中应根据实际情况尽量采用两根和三根金丝连接，在焊区较小的情况下，应采用金带连接。在键合时应尽量采用低拱高、小跨距以提高微波性能。

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