C、A 0 0
E、AA 2A D、AA A2
47、（C D）式是四变量A，B，C，D的最小项。
A、ABC
C、ABCD
E、ABD
48、下列说法错误的是（A C E）。
A、双极型数字集成门电路是以场效应管为基本器件构成的集成电路
B、TTL逻辑门电路是以晶体管为基本器件构成的集成电路
C、CMOS集成门电路集成度高，但功耗较高
D、CMOS集成门电路集成度高，但功耗较低
E、TTL集成门电路集成度高，但功耗较低
49、TTL与非门输入的噪声容限为（A C）。
A、输入高电平的噪声容限为UNH B、A+B+C+D D、A/BCD UiH UON
B、输入高电平的噪声容限为UNH UiH UON
C、输入低电平的噪声容限为UNH UOFF UiL
D、输入低电平的噪声容限为UNH UOFF UiL
E、输入低电平的噪声容限为UNH UOFF UiH
50、下列说法错误的是（A D）。
A、一般TTL逻辑门电路的输出端彼此可以并接
B、TTL与非门的；输入伏安特性是指输入电压与输入电流之间的关系曲线
C、输入负载特性是指输入端对地接入电阻R时，输入电流随R变化的关系曲线
D、电压传输特性是指TTL与非门的输入电压与输入电流之间的关系
E、一般TTL逻辑门电路的输入端彼此可以并接
51、三态门的输出状态共有（A B D）。
A、高电平
C、零电平
E、低阻
52、OC门输出端的公共集电极电阻的大小必须选择恰当，因为（A C）。
A、RC过大则带拉电流负载时输出的高电平将会在RC上产生较大的压降
B、RC过大则带拉电流负载时输出的低电平将会在RC上产生较大的压降
C、RC过小则输出低电平时将产生较大的灌电流
D、RC过小则输出低电平时将产生较小的灌电流
E、RC很大则带拉电流负载时输出的低电平将会在RC上产生较大的压降
53、对于TTL与非门闲置输入端的处理，可以（A B D）。
A、接电源
C、接地
E、接0 V
54、按照导电沟道的不同，MOS管可分为（A B）。
A、NMOS
C、CMOS
E、SMOS
55、COMS非门在静态时，电路的一对管子VN和VP总是（C D）。 B、PMOS D、DMOS B、通过电阻3k 接电源 D、与有用输入端并联 B、低电平 D、高阻
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