硅压阻式微传感器的制造工艺研究(4)

2.5 光刻显影

在上硅片表面涂覆光刻胶，通过掩膜版将图形转移到硅片上，如图4-16所示。

图4-16 第二次光刻显影

2.6 离子注入形成压阻

用光刻胶作掩膜，在硅膜片上通过离子注入杂质（如掺硼）形成压敏电阻，即可制成超微型压力传感器。如图4-17所示。

图4-17 离子注入形成压阻

五、两种制造工艺的比较

硅杯式压阻压力微传感器采用的是双面加工的体微加工技术，而超微型压阻式压力传感器采用的是单面加工的面微加工技术。两种工艺对比如下：

（1） 面微加工技术为单面加工，克服了硅杯式需双面加工的一些

缺点；

（2） 单面加工的优点是膜片的支撑可以很小，从而可以有效的减

小芯片面积，芯片尺寸小可以使每个硅片上的芯片数增多，相对可降低造价；

（3） Si-Si键合工艺避免了不同材料匹配的热应力，有利于提高传

感器的稳定性。

六、结语

硅压阻式压力微传感器结构简单，制造不难，桥路直接输出电压，阻抗低，接口电路简单，输出线性度高。压敏电阻一般用离子注入法制作在膜表面内，也可以淀积在膜表面上。相对于硅杯式压阻压力微传感器，超微型压阻式压力传感器采用面加工技术，制造工艺相对简单，芯片面积小，造价低，而且稳定性高。

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