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IGZO TFT 开发的技术趋势(2)

来源:网络收集 时间:2018-12-10 下载这篇文档 手机版
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如果自对准构造的氧化物TFT能够实现50cm2/Vs以上的载流子迁移率,并确保可靠性,那么估计就能在移动设备用显示器领域与LTPS TFT充分竞争了。

铜布线与BCE相结合的氧化物TFT瞄准大型电视用途

友达光电发布了采用铜布线的反向通道蚀刻(BCE)型氧化物TFT(论文序号:AMD7-4L)。现在的4K液晶电视都是依靠驱动技术的进步来弥补a-Si TFT载流子迁移率的不足。但是,如果能以同等的成本来制造氧化物TFT的话,就有望通过简化驱动系统来实现成本的大幅降低。

也就是说,4K电视的制造成本可以降至与全高清电视同等的水平,铜布线与BCE相结合的氧化物TFT的实用化备受期待。恐怕很多中国液晶面板厂商都在进行同样的开发。友达光电此次发布的技术在BTS测试中特性出现了一些变化,要实现实用化,估计还需要进一步提高可靠性。

有机TFT的迁移率达到23.7cm2/Vs

氧化物TFT的性能有了显著提高,但有机TFT的性能提升也毫

不逊色。三菱化学的有机TFT实现了令人吃惊的23.7cm2/Vs载流子迁移率(论文序号:AMD5-1)。该有机TFT采用了涂布型高分子材料,将来还有望在塑料基板上直接形成高精细有机EL驱动电路等。(特约撰稿人:松枝洋二郎,NLTTechnologie)

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