单片机编程题练习(2)

36、 试编写延时2ms的程序

37、 用查表程序求0～8之间整数的立方。

38、编写有6个命令键的散转程序。键号为0、1、2、3、4、5；6个键A、B、C、D、1、2的ASCII码放在累加器A中。 39、按下列要求编程。 （1）R7内容送R6中；

（2）外RAM 50H单元内容送内RAM 50H单元； （3）外RAM 1000H单元内容送外RAM 2000H单元； （4）ROM 1000H单元内容送外RAM 8000H单元；

40．已知无符号二字节乘数存在42H41H中，另一无符号乘数存在40H中，试编程实现： 42H41H×40H→42H41H40H

41．已知fosc = 12MHz,试编写延时2s子程序。

42．用软件实现逻辑运算：Q = （R+S）T+（U+V）。其中Q、R、S、T、U和V均为位变量，依次存放在以位地址40首址的位寻址区中。

43．已知某单片机系统每隔1s测一次温度，8位温度A/D值存在特殊功能寄存器SBUF中，试求其1分内的平均值，存40H。

44．已知显示数（≤255）存在30占，试将其转换为共阴显示字段码，存入首址为40H的内RAM中（设共阴显示字段码表已知，且已存在首址为TABD的ROM中）。 45．已知外RAM1000H单元开始存有一组数据，其长度存放在该数据区首字节，要求统计出其中大于10、等于10和小于10 的数的个数，并把统计结果分别存入内RAM 30H~32H单元。

46．已知图8-15循环灯电路，VRXD、VTXD、PIOX1分别为P1.5~P1.7，试利用单字节虚拟串行输出子程序VUARTO编制程序，使发光二极管从右到左，每隔0.5秒依次点亮，不断循环。

47．已知图8-16并入串出电路，VRXD、VTXD、PIOX1分别为P1.0~P1.2，试利用单字节虚拟串行输出子程序VUARTI编制程序，每隔1秒（运用T0中断，fosc=6MHz）从74HC165并行口输入状态数据，并存入内RAM 30H。

48．80C51 P1.4~P1.7分别与93C46 CS 、SK、DI和DO相连，试将80C51内RAM中以30H为首址的10字节数据存入AT93C46首址为40H的区域中。

49．试统计某展览会参展人数。已知展览会有4 个入口，且均已安装检测探头，每进入一人，能产生一个负脉冲，分别输入P3.2、P3.3、P3.4、P3.5。估计参展人数多于10万，试编程，将累计参展人数存32H、

50．已知循环灯电路图6-4，试编程使发光二极管从右至左，每隔0.3秒依次点亮，不断循环。

51．试以串行方式1设计一个发送程序。已知fosc = 11.0592MHz,波特率为2400b/s,SMOD = 1,16个发送数据存在内RAM30H为首地址的区域中。 52．设计一个串行方式2发送子程序（SMOD=0），将片内RAM 40H~47H中的数据串行发送，第9数据位作为奇偶校验位（不校对）。

53．编制一个串行方式2接收子程序（SMOD=1），接收10个数据，并核对奇偶校验位，接收核对正确，存首址为50H的内RAM中；发现错误，置位错误F0，并停止接收。

54． 已知一MCS—51单片机系统的片内RAM 20H单元存放了一个8位无符号数7AH，片外扩展RAM的8000H存放了一个8位无符号数86H，试编程完成以上两个单元中的无符号数相加，并将和值送往片外RAM的01H、00H单元中，同时将所编写程序运行完成后的数据和状态添入下表中给出的PSW的有关位以及寄存器A、DPTR和RAM单元中。 CY A DPTR 片外01H 片外00H 片外8000H 55、根据图示电路，编写程序，使0832输出负向锯齿波。

56、设计用单片机P1口控制1位共阴极LED。按键1按下，循环显示0～5，按键2按下，按100μs的间隔显示0和1。设计硬件电路，并编程实现上述功能。

57、单片机用内部定时方法产生频率为100KHz等宽矩形波，假定单片机的晶振频率为12MHz， 请编程实现。

58. 使用定时器中断方法设计一个秒闪电路，让 LED 显示器每秒钟有 400ms 点亮。假定晶

振频率为 6MHz ，画出电路连接图并编写程序。

59. 使用 8031 设计一个键盘接口(可用 8155 或 8255)。键盘共有 12 键(3 行× 4列)其

中 10 个为数字键 0 ～ 9 ，两个为功能键 RESET 和 START 。具体要求如下：

(1) 按下数字键后，键值存入 3040H 开始单元中。 (2) 按下 RESET 键后，将 PC 复位为 0000H

(3) 按下 START 键后，系统开始执行用户程序（用户程序的入口地址为 4080H ）试画

出该接口的硬件连接图并进行程序设计。

60. 试为 8051 设计一个 LED 显示器接口，该显示器共有八位，从左到右分别为 DG1 ～

DG8(共阴极接法)，要求将内存 3080H ～ 3087H 八个单元中的十进制数(BCD)依次显示

在 DG1 ～ DG8 上。要求：画出电路图并进行编程。

61．已知MCS-51单片机系统片内RAM20H单元存放乐一个8位无符号数7AH,片外扩展RAM的8000H存放了一个8位无符号数86H，试编程完成以上两个单元中的无符号数相加，并将和值送往片外RAM的01H、00H单元中，同时将所编写程序运行完成后的数据和状态添入下表中给出的PSW的有关位以及寄存器A、DPTR和RAM单元中。

62、请写出完成下列操作的指令：

（1）使累加器A的低4位清0，其余位不变。 （2）使累加器A的低4位置1，其余位不变。 （1）使累加器A的低4位取反，其余位不变。

63、试用位操作指令实现下列逻辑操作。要求不得改变未涉及的位的内容。 （1）使ACC.0置位； （2）清除累加器高4位；

（3）清除ACC.3，ACC.4，ACC.5，ACC.6。

64、试编写程序段实现外部RAM 2000H单元的内容传送到内部RAM 20H中的操作。 65、试编写程序段实现外部RAM 2000H单元的内容传送到外部RAM 3000H中的操作。

66、试编写程序段，将内部RAM的20H、21H、22H三个连续单元的内容依次存入2FH、2EH和2DH单元。

67、试编写程序段，完成两个16位数的减法：7F4DH－2B4EH，结果存入内部RAM的30H和31H单元，31H单元存差的高8位，30H单元存差的低8位。 68、试编写程序段，将R1中的低4位数与R2中的高4位数合并成一个8位数，并将其存放在R1中。

69、试编写程序段，将内部RAM的20H、21H单元的两个无符号数相乘，结果存放在R2、R3中，R2中存放高8位，R3中存放低8位。

70、在内部RAM 的21H单元开始存有一组单字节不带符号数，数据长度为30H，要求找出最大数存入BIG单元。

71、编写程序，把累加器A中的二进制数变换成3位BCD码，并将百、十、个位数分别存放在内部RAM的50H、51H、52H中。

72、编写程序，求内部RAM中50H~59H十个单元内容的平均值，并存放在5AH单元。

73、设有100个无符号数，连续存放在外部RAM 1000H地址开始的区域，编程统计其中的正数、负数和0的个数，并分别存放在内部RAM的20H、21H、22H单元中。

74、编程分别将外部RAM的0000H~0000FH、1030H~1050H、2050H~3000H地址单元清零。

75、试编程对8255初始化，使其A口按方式0输入，B口按方式1输出，C口上半部分按方式0输出，下半部分按方式1输出。

76、编写子程序，将R1中的2个十六进制数转换为ASCII码后存放在R3和R4中。

77、已知系统的连接如图所示，试编写程序实现下列功能： （1）编写显示程序，显示“123456”。

（2）编写主程序，功能为：当有键按下（0~7号）时，都显示键号； 无键按下，保持原有显示状态。

78、试设计MCS-51与DAC0832的接口电路，并编制程序，输出图所示波形。

79、设计并编程，完成单片机的双机通信程序，将甲机片外RAM的1000H~100FH的数据块通过串行口传送到乙机的20H~2FH单元。

80．片内RAM30H开始的单元中有10B的二进制数，请编程求它们之和（和＜256 ＝．

81．试编程对8155进行初始化，设A口为选通输出，B口为选通输入，C口作为控制联络口，并启动定时器/记数器按方式1工作，工作时间为10ms,定时器计数脉冲频率为单片机的时钟频率24分频，fosc=12MHz。

82．试将8031单片机外接一片2716 EPROM和一片6116 RAM组成一个应用系统，请画出硬件连线图，并指出扩展存储器的地址范围。

百度搜索“77cn”或“免费范文网”即可找到本站免费阅读全部范文。收藏本站方便下次阅读，免费范文网，提供经典小说综合文库单片机编程题练习(2)在线全文阅读。