模拟电路试题及答案

模拟电路试题及答案

一、判断题（每题1分，共50分）

1、PN结正偏时导通，反偏时截止，所以PN结具有单向导电性。（√） 2、漂移电流是正向电流，它由少数载流子形成，其大小与温度有关，而与外

加电压无关。（×）

3、所谓理想二极管，就是当其正偏时，结电阻为零，等效成一条直线；当其

反偏时，结电阻为无穷大，等效成断开；（√）

4、三极管是电压控制元件，场效应管是电流控制元件。（×）

5、三极管具有放大作用外部电压条件是发射结反偏，集电结正偏。（×） 6、当温度升高时，晶体三极管集电极电流Ic增加，发射结压降减小。（√） 7、三极管放大电路共有三种组态分别是共射极、共集电极、共基极放大电路。

（√）

8、为了稳定三极管放大电路的静态工作点，采用电流负反馈，为了稳定交流

输出电流采用直流负反馈。（×）

9、负反馈放大电路和放大倍数AF=A/1+AF，对于深度负反馈放大电路的放大

倍数AF= 1/F 。（√）

10、带有负反馈放大电路的频带宽度BWF=1+AFBW，其中BW=fH –fL，1+AF称为

反馈深度。（√）

11、差分放大电路输入端加上大小相等、极性相同的两个信号，称为共模信号。而加上大小相等、极性相反的两个信号，称为差模信号。（√）

12、为了消除乙类互补功率放大器输出波形的交越失真，而采用甲乙类互补功率放大器。（√）

13、OCL电路是单电源互补功率放大电路；（×） 14、OTL电路是双电源互补功率放大电路。（×）

15、共集电极放大电路具有电压放大倍数小于近似等于1。（√） 16、共集电极放大电路输入电阻小，输出电阻大。（×）

17、差分放大电路能够抑制零点漂移，也称温度漂移，所以它广泛应用于集成

电路中。（√）

18、用待传输的低频信号去改变高频信号的幅度称为调幅，未被调制的高频信

号是运载信息的工具，称为载波信号。（√）

19、模拟乘法器输出与输入的关系式是U0=KUxUy。（√）

20、P型半导体中空穴为少数载流子，自由电子为多数载流子。（×） 21、凡是运算电路都可利用“虚短”和“虚断”的概念求解运算关系。（× ） 22、反向电流是由少数载流子形成，其大小与温度有关，而与外加电压无关。

（√）

23、三极管是电压控制元件，场效应管是电流控制元件。（×）

24、当温度升高时，三极管的等电极电流I减少，发射结压降UBE增加。（×） 25、晶体三极管具有放大作用时，发射结反偏，集电结正偏。（×）

26、三极管放大电路共有三种组态共射极、共集电极、共基集放大电路。（√） 27、为了稳定三极管放大电路和静态工作点，采用直流负反馈，为了减小输出电阻采用电压负反馈。（√）

28、差分放大器的基本特点是放大差模信号、抑制共模信号 。（√） 29、共模信号是大小相等，极性不同的两个信号。（×）

30、只有电路既放大电流又放大电压，才称其有放大作用。 （ × ） 31、用低频信号去改变高频信号的频率称为调频，低频信号称为调制信号，高频信号称高频载波。（√）

32、共基极放大电路的高频特性比共射极电路 差 ，fa=1+βfβ。（×） 33、要保证振荡电路满足相位平衡条件，必须具有正反馈网络。（√） 34、在桥式整流电阻负载中，理想二极管承受最高反压是√2U2。（√） 35、场效应管的漏极电流ID=gmugs,所以它是电压控制文件。（√） 36、当温度升高时三极管的反向饱和电流I CBO增加所以Ic减少（×） 37、所谓理想二极管就是当其正偏时，结电阻为零，等效成一条直线；当其反偏时，结电阻为无穷大，等效成开断。（√）

38、P型半导体中空穴为多数载流子，自由电子为少数载流子。（√） 39、反向电流是由少数载流子形成，其大小与温度有关，而与外加电压无关。（√）

40、共模信号是大小不等，极性相同的两个信号。（√）

41、晶体管电流放大系数是频率的函数，随着频率的升高而升高。共基极电路比共射极电路高频特性好。（×）

42、负反馈使放大电路增益下降，但提高增益稳定性。（√）

43、差模信号是大小相等，极性相同，差分电路不抑制温度漂移。（×） 44、三极管是电压控制元件，场效应管是电流控制元件。（×） 45、在桥式整流电阻负载中，理想二极管承受最低反压是√2U2。（×） 46、双端输出的差分放大电路主要利用电路的对称性来抑制零点飘移（×） 47、PN结正偏时截止，反偏时导通，所以PN结具有单向导电性。（×） 48、乙类互补功放存在交越失真，可以利用甲乙类互补功放来克服。（√） 49、振荡电路的平衡条件是AF=1，负反馈才能满足振荡电路的相位平衡条件。（×）

50、扩展运动形成的电流是正向电流，漂移运动形成的电流是反向。（√）

评卷人 得分 二、选择题（每题1分，共50分） 1、三端集成稳压器CXX7805的输出电压是（ A ） A 5v B 9v C 12v

2、测某电路中三极管各极电位分别是0 V、-6V、0.2V则三极管的三个电极分别是（ C ），该管是（ D ）。

A (E、C、B) B(C、B、E) C(B、C、E) D(PNP) E(NPN) 3、共射极放大电路的交流输出波形上半周失真时为（ B ）失真。共射极放大电路的交流输出波形下半周失真时为（ A ）失真。 A 饱和

B 截止 C交越 D频率

4、差分放大电路是为了（ C ）而设置的。 A稳定Au B放大信号 C抑制零点漂移

5、对功率放大器的主要要求有（ B ） （ C ） （ E ） A Uo高 B

Po大 C效率高 D Ri大 E 波形不失真

6、LM386是集成功率放大器，它可以使电压放大倍数在（ B ）变化。 A 0-20 B 20 -200 C 200-1000

7、单相桥式整流电容 波电路输出电压平均在Uo=( C )U2。 A 0.45 B 0.9 C 1.2

8、当集成运放线性工作时，在两条分析依据（ A ）（ B ）。 A U-=U+ B I-=I+=0 C Uo=Ui D Au=1 9、对功率放大器的主要要求有（ B ）（ C ）（ E ）。 A Uo高 B

Po大 C效率高 D Ri大 E 波形不失真

10、振荡器的输出信号最初是由（ C ）而来的。 A基本放大器 B 选频网络 C干扰或噪声信号 11、三端集成稳压器

CW7906的输出电压是（ A ）

A -6V B -9v C -12v

12、测得某电路中三极管各极电位分别是3V、2.3V、12V则三极管的三个电极分别是（ C ），该管是（ E ）型。

A (E、B、C) B(B、C、E) C(B、E、C) D(PNP) E(NPN)

13、共射极放大电路的交流输出波形上半周失真时为（ B ）失真。共射极放大电路的交流输出波形下半周失真时为（ A ）失真。 A 饱和

B 截止 C交越 D频率

14、差分放大电路是为了（ C ）而设置的。 A稳定Au B放大信号 C抑制零点漂移

15、KMCR是差分放大电路的一个主要技术指标，它反映放大电路（ A ）能力。 A放大差模抑制共模 B 输入电阻高 C输出电阻低

16、LM386是集成功率放大器，它可以使电压放大倍数在（ B ）变化。 A 0-20 B 20 -200 C 200-1000

17、单相桥式整流电容 波电路输出电压平均在Uo=( C )U2。 A 0.45 B 0.9 C 1.2

18、当集成运放线性工作时，在两条分析依据（ A ）（ B ）。 A U-=U+ B I-=I+=0 C Uo=Ui D Au=1

19、在某放大电路中，测的三极管三个电极的静态电位分别为12V，3.7V，3V，则它是（ A ）。

A．NPN 型硅管 B.NPN 型锗管 C.PNP 型硅管 D.PNP 型锗管 20、振荡器的输出信号最初是由（ C ）而来的。 A基本放大器 B 选频网络 C干扰或噪声

21、稳压二极管是一个可逆击穿二极管，稳压时工作在（ B ）状态，但其两端

电压必须（ C ），它的稳压值Uz才有导通电流，否则处于（ F ）状态。 A、正偏 B、反偏 C、大于 D、小于 E、导通 F、截止

22、用直流电压表测得放大电路中某三极管各极电位分别是2V、6V、2.7V，则

三个电极分别是（ C ），该管是（ D ）型。

A、（B、C、E） B、（C、B、E） C、（E、C、B） D、（NPN） E、（PNP） 23、对功率放大器的要求主要是（ B ）、（ C ）、（ E ）。

A、U0高 B、P0大 C、功率大 D、Ri大 E、波形不失真 24、共射极放大电路的交流输出波形上半周失真时为（ B ），此时应该（ E ）

偏置电阻。

A、饱和失真 B、截止失真 C、交越失真 D、增大 E、减小 25、差分放大电路是为了（ C ）而设置的。

A、稳定Au B、放大信号 C、抑制零点漂移 26、共集电极放大电路的负反馈组态是（ A ）。

A、压串负 B、流串负 C、压并负

27、差分放大电路RE上的直流电流IEQ近似等于单管集电极电流ICQ（ B ）倍。 A、1 B、2 C、3

28、为了使放大器带负载能力强，一般引入（ A ）负反馈。 A、电压 B、电流 C、串联 29、分析运放的两个依据是（ A ）、（ B ）。

A、U-≈U+ B、I-≈I+≈0 C、U0=Ui D、Au=1 30、三端集成稳压器CW7812的输出电压是（A）。 A、12V B、5V C、9V

31、用直流电压表测得放大电路中某三极管各管脚电位分别是2V、6V、2.7V，

则三个电极分别是（ C ），该管是（ E）型。

A、（B、C、E） B、（C、B、E） C、（E、C、B） D、（PNP） E、（NPN） 32、共射极放大电路的交流输出波形上半周失真时为（B ）失真，下半周失真

时为（ A ）失真。

A、饱和 B、截止 C、交越 D、频率 33、差分放大电路是为了（ C ）而设置的。

A、稳定Au B、放大信号 C、抑制零点漂移

34、共模抑制比是差分放大电路的一个主要技术指标，它反映放大电路（ A ）

能力。

A、放大差模抑制共模 B、输入电阻高 C、输出电阻低 35、LM386是集成功率放大器，它可以使电压放大倍数在（B）之间变化。 A、0~20 B、20~200 C、200~1000

36、单相桥式整流电容滤波电路输出电压平均值Uo=（ C ）Uz A、0.45 B、0.9 C、1.2

37、当集成运放线性工作时，有两条分析依据（A ）（B）。 A、U-≈U+ B、I-≈I+≈0 C、U0=Ui D、Au=1 38、对功率放大器的主要要求有（B ）（C ）（E ）。

A、U0高， B、P0大 C、效率高 D、Ri大 E、波形不失真 39、振荡器的输出信号最初由（ C ）而来的。

A、基本放大器 B、选频网络 C、干扰或噪声信号 40、三端集成稳压器CXX7805的输出电压是（A） A 5v B 9v C 12v 41、测某电路中三极管各极电位分别是0 分别是（C），该管是（D）。

V、-6V、0.2V则三极管的三个电极

A (E、C、B) B(C、B、E) C(B、C、E) D(PNP) E(NPN) 42、共射极放大电路的交流输出波形上半周失真时为（B）失真。共射极放大电路的交流输出波形下半周失真时为（A）失真。 A 饱和

B 截止 C交越 D频率

iD/mA 5 43、某场效应管的转移特性如图所示，该管为（ D ）。 A．P沟道增强型MOS管 B、P沟道结型场效应管 C、N沟道增强型MOS管 D、N沟道耗尽型MOS管 -4 0 uGS/V 44、工作在放大区的某三极管，如果当 IB 从 12μA 增大到 22μA 时，IC 从 1mA 变为 2mA，那么它的β约为[ C ]。

A 83 B 91 C 100 D 80

45、LM386是集成功率放大器，它可以使电压放大倍数在（B）变化。 A 0-20 B 20 -200 C 200-1000

46、单相桥式整流电容 波电路输出电压平均在Uo=(C)U2。 A 0.45 B 0.9 C 1.2

47、当集成运放线性工作时，在两条分析依据（A）（B）。 A U-=U+ B I-=I+=0 C Uo=Ui D Au=1 48、直接耦合放大电路存在零点漂移的原因主要是[ C ] A 电阻阻值有误差 B 晶体管参数的分散性 C 晶体管参数受温度影响 D 受输入信号变化的影响 49、振荡器的输出信号最初是由（C）而来的。

A基本放大器 B 选频网络 C干扰或噪声信号

50．晶体管参数受温度影响较大，当温度升高时，晶体管的β，ICBO,uBE的变化情况为（B）。

A．β增加，ICBO,和 uBE减小 B. β和ICBO增加，uBE减小 C．β和uBE减小，ICBO增加 D. β、ICBO和uBE都增加

百度搜索“77cn”或“免费范文网”即可找到本站免费阅读全部范文。收藏本站方便下次阅读，免费范文网，提供经典小说综合文库模拟电路试题及答案在线全文阅读。