国内外超净高纯氢氟酸需求讲解

国内外超净高纯氢氟酸需求分析

1 超净高纯氢氟酸用途

电子级氢氟酸主要是作为清洗剂和蚀刻剂用于光伏产业（光伏电池制造）、集成电路（集成电路(IC)和超大规模集成电路(VLSI)芯片制造）和玻璃减薄（液晶显示器件制造）等行业，是关键辅助材料之一。在光伏产业中，用于硅片表面清洗、蚀刻；在集成电路和超大规模集成电路制造中，用于晶圆表面清洗、芯片加工过程的清洗和腐蚀等；在玻璃减薄行业中，用于液晶显示器玻璃基板的清洗、氮化硅及二氧化硅蚀刻等。超净高纯氢氟酸为强酸性清洗、腐蚀剂，可与硝酸、冰醋酸、双氧水、氢氧化铵、氟化铵等配置使用，还可作为分析试剂和制备高纯含氟化学品。

2 国内外超净高纯氢氟酸分类

由于世界超净高纯试剂市场的不断扩大，从事超净高纯试剂研究与生产的厂家及机构也在增多，生产规模不断扩大，但各生产厂家所生产的超净高纯试剂的标准各不相同。为了能够规范世界超净高纯试剂的标准，国际半导体设备与材料组织（SEMI，即Semiconductor Equipment and Materials Intemational）于1975年成立了SEMI化学试剂标准委员会，专门制定超净高纯试剂的国际标准。目前国际SEMI标准化组织将超净高纯试剂按应用范围分为4个等级：(1)SEMI-C1标准(适用于>1.2Lm IC工艺技术的制作)；(2)SEMI-C7标准(适用0.8~1.2Lm IC工艺技术的制作)；(3)SEMI-C8标准(适用于0.2~0.6Lm IC工艺技术的制作)；(4)SEMI-C12标准(适用于0.09~0.2Lm IC工艺技术的制作)。SEMI国际标准等级见表1。

表1 SEMI国际标准等级

SEMI标准 金属杂质 控制粒径/μm 颗粒，个/mL C1(Grade1) ≤1ppm ≥1.0 ≤25 适用于＞1.2μ适适应范围 C7(Grade2) ≤10ppb ≥0.5 ≤25 用于适C8(Grade3) ≤1ppb ≥0.5 ≤5 用于适C12(Grade4) ≤0.1ppb ≤0.2 / 用(Grade5) ≤0.01ppb / / 于适用于＜0.09适C11(VLSIGrade) ≤50ppb ≥0.5 ≤250 用于mIC技术的制0.8-1.2μmIC技0.2-0.6μmIC技0.09-0.2μmICμmIC技术的0.8-1.2μmIC技术作 术的制作 术的制作 技术的制作 制作 的制作 我国超净高纯试剂的研制起步于20世纪70年代中期，1980年由北京化学试剂研究所(以下简称试剂所)在国内率先研制成功适合中小规模集成电路5Lm技术用的22种MOS级试剂。随着集成电路集成度的不断提高，对超净高纯试剂中的可溶性杂质和固体颗粒的控制越来越严，同时对生产环境、包装方式及包装材质等提出了更高的要求。为了满足我国集成电路发展的需求，国家自“六五”开始至“八五”，将超净高纯试剂的研究开发列入了重点科技攻关计划，并由试剂所承担攻关任务。试剂所已相继推出了BV-Ⅰ级、BV-Ⅱ级和BV-Ⅲ级超净高纯试剂，其中BV-Ⅲ级超净高纯试剂达到国际SEMI-C7标准的水平，适用于0.8~1.2Lm工艺技术(1~4M)的加工制作，并在“九五”末期形成了500t年的中试规模。20世纪初试剂所又

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进行了用于0.2~0.6Lm工艺技术的BV-Ⅳ级超净高纯试剂的研究开发。

国内目前尚未有统一的行业制造标准，查阅到的国外标准有国际半导体协会标准：SEMI C1.8－1990《氢氟酸标准》，SEMI C7.3－1990《二级氢氟酸标准》，SEMI C7.4－1990《49％二级氢氟酸标准》，往往根据这些标准进行修改采用。因此，各企业产品质量存在很大差别，目前国内企业正在积极推动制定高纯工业品氢氟酸国家标准，根据电子行业用户的实际要求确定适宜的质量要求，推动企业技术创新，规范产品质量，指导企业生产和促进出口。国内有的高纯试剂生产企业拥有自己的企业标准，其中，BV系列标准比较常见，该标准共分为七个等级。如北京化学试剂用的就是BV系列标准，具体见表2。

表2 国内高纯试剂常用规格

品级 各金属杂质含量（非尘埃粒径 尘埃粒子数 金属杂质含量） ＞2700个/100ml ≤2700个/100ml ≤300个/100ml ≤200个/100ml - ≥5C 适用于半导体IC 低尘埃 5～10μm MOS级 ≥5μm ≥3μm(适合中小规模集成电路5μm技≤500ppb（<1ppb） 术用) 1～ｎ×10ppb ＞2μm(属于标准电子级)（相当于ELSS级） ≥1.2μm(属于标准电子级EL级)（相当于ELSSs级） 0.8～1.2μm(相当于SEMI-C7)(属于超大规模集成电路级VLSI或ULSI级) 0.2～0.6μm 0.09～0.2μm BV—Ⅰ级 ≥2μm BV—Ⅱ级 ≥2μm 1～ｎ×10ppb BV—Ⅲ级 ≥0.5μm ≤25个/ml BV—Ⅳ级 ≥0.5μm ≤5个/ml BV—Ⅴ级 ≥0.2μm TBD ≤10ppb ≤1ppb ≤0.1ppb 有的电子化学试剂按照纯度分为EL级、UP级、UP-S级三个等级。

EL级：金属杂质含量小于100ppb，控制1微米粒径粒子，达到SEMI C1 C2标准，适合中小规模集成电路及电子元件加工工艺

UP级：适用1微米集成电路及TFT-LCD制造工艺，金属杂质含量小于10ppb，经过0.2微米孔径过滤器过滤，控制0.5微米粒子，在100级净化环境中灌装，达到SEMI C7标准。

UP-S级：适用0.35-0.8微米集成电路加工工艺，金属杂质含量小于1ppb，经过0.05微米孔径过滤器过滤，控制0.2微米粒子，在100级净化环境中灌装达到SEMI C8标准.

各微电子生产企业对高纯氢氟酸要求的标准不同，将其划分为四个档次：①低档产品，用于>1.2μmIC工艺技术的制作；②中低档产品，适用于0.8～1.2μmIC工艺技术的制作；③中高档产品，适用于0.2～0.6μmIC工艺技术的制作；④高档产品，适用于0.09～0.2μm和＜0.09μm IC工艺技术的制作。

目前国内能够生产SEMI C1~7级（包括MOS级及BV-Ⅰ~Ⅲ级）高纯氟化氢的企业约10家，而能生产SEMI C8~12级（大致相当于高于BV-Ⅲ级的产品）的极少。

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在2010年7月举行的Intersolar North America上，SEMI光伏标准委员会通过了八项光伏新标准，其中有PV11-1110——氢氟酸规范/光伏应用。2012年度全国半导体设备和材料标准化技术委员会(TC203)会议，国家光伏质检中心将参与《光伏电池用电子级氢氟酸》等国家标准的制修订。

3 超净氢氟酸下游行业形势分析

3.1 光伏产业（光伏电池制造） 3.1.1 全球光伏装机状况分析

据最新统计数据显示，2011年27.7GW的全球光伏发电装机，较2010年新增光伏装机量增长了约67%，也远高于2011年初市场一致预期的22GW，光伏市场再度成为2011年可再生能源中的”亮点”。截至2011年底，全球累计光伏装机量达到67.4GW，是仅次于生物质能和风电的第三大可再生能源。

传统欧洲市场仍然是2011年全球光伏发电装机市场增长的主要动力：2011年欧洲地区21GW的光伏发电装机量占到了全球总装机的约75%，其中德国和意大利光伏装机为16.5GW，占全球光伏装机量的近60%。值得注意的是，在经历了前三季度的低迷后，第四季度成为2011年全球光伏装机强劲增长的动力来源，包括德国在内的数个市场在四季度出现了抢装潮。与此同时，2011年非欧洲市场也出现了较大幅度的增长，例如中国、美国以及日本光伏装机均超过了1GW。

OFweek行业研究中心认为，目前光伏产业链的利润已经被严重压缩，光伏产品价格继续大幅下降空间有限，2012年全球光伏行业产能过剩问题将继续存在。首先，在政策制约下，2012年包括德国、意大利等传统市场很难再现大幅增长。其次，包括中国、印度在内的新兴市场尚未建立起可持续发展机制。此外，虽然存在大量的其它有潜力新市场，但市场开发还尚需要一个过程。预计2012年全球光伏装机容量小幅增长至28GW，欧洲装机容量则降至12GW左右，占全球市场的比例会降至43%左右。

对于未来光伏产业的发展方向着重以下三点：其一，大规模光伏制造国需要激活其国内市场，在本地消化更多的产能；其二，由于大部分大陆光伏发展的无穷潜力还未得到开发，在未来十年需要开发新的市场来推动光伏产业发展；其三，在未来需要更加注重开放市场和公平竞争原则。

2011年中国的上网电价补贴政策开启了国内光伏市场的新局面，仅仅是青海省就安装了将近1GW的地面型项目。据最新统计数据显示，中国2011年新增太阳能发电装机容量约2000MW，新增量位居世界第三，占全球太阳能发电新增装机的7%。

3.1.2 全球光伏装机分布情况

据最新统计显示，意大利，德国，中国，美国，法国和日本在2011年安装量超过1GW，占比达到82.10%。2011年全球累计安装量达67GW，较2010年底的40GW增长70%。目前中国市场成长显著，中国光伏组件生产商，大力发展国内市场业务，以支持自身的产能增长。

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2011年中国新增安装量至少2GW，美国1.6GW，日本1GW，澳大利亚700MW，印度300MW。此外，非洲、中东、东南亚和南美洲地区也积极开展光伏市场。

3.1.3 光伏产品价格走势分析

光伏产品价格持续下降，从2011年以来，太阳能硅片的下滑程度已达70%。而随着硅片价格以比多晶硅还快的速度持续走低，光伏组件商开始以采购代替制造，最终结果是低成本的硅片制造商从中获利。

据最新的统计显示，光伏产品价格在2011年大幅下降，预计2012年将延续这一趋势。其中，太阳能硅片的价格在过去12个月中大幅下滑70%，从2011年一季度的1美元/瓦，下降到2012年一季度的0.3美元/瓦。另外，多晶硅、电池和组件的价格较2011年同期分别下降48%、57%和44%。

巨大的价格压力和光伏产业的市场竞争迫使供应商努力降低成本。中国大的组件供应商在2010年到2011年时曾谋求100%的产业链垂直整合，并快速扩大内部硅片产能。然而随着硅片价格以比多晶硅还快的速度持续走低，组件商开始发现硅片的市场采购价已经低于其内部制造成本，于是这些厂商纷纷降低内部硅片生产量。

据悉，全球太阳能硅片的产能在2011年提高50%，达到50GW。然而去年市场需求仅增长35%，为26.9GW。由此造成近一半产能过剩。调查报告还指出，通过对2012年市场走势的宏观把握，硅片产能仍将继续扩大，但增速会较最近几年明显放缓。与此同时，由于产能持续过剩，硅片价格也将继续走低。

3.1.4 中国光伏形势补充

2011年随着国家光伏上网电价的落实和太阳能光伏产业发展“十二五”规划相继颁布实施，中国光伏产业规模逐步增大，国际化程度愈加增强，但产业发展也面临着供需失衡严重、企业利润空间不断受到挤压、行业竞争愈加激烈、外加美国“双反”贸易调查、行业整合不可避免等不利局面。

2011年是“十二五”开局之年，也是中国光伏产业发展中极不平凡的一年，在经历了“十一五”末期的高速发展之后，产业发展开始步入调整期。大起大落的发展景象也引起了各级政府的高度关注，诸如国家1.15元/度的上网政策出台、《可再生能源发展“十二五”规划》、《太阳能光伏产业发展“十二五”规划》和《太阳能发电“十二五”规划》等的颁布实施，为产业后续发展奠定了坚实的基础。2012年光伏产业将面临复杂多变的国内外形势，既有光伏发电成本快速下降，新兴光伏市场快速崛起等有利发展趋势，又有供需严重失衡，欧美国家“反倾销反补贴”大棒威胁等不利因素。

2012年中国产业规模将不断扩大，国际化程度将稳步提高。预计中国2012年太阳能电池产能将超过40GW，产量将超过24GW，仍将占据全球半壁江山。生产成本将进一步降低，多晶硅生产技术持续进步，产业自给能力迅速提高，规模也进一步扩大，有望彻底摆脱进口局面。预计2012年中国投产多晶硅企业达60家以上，产能超过16万吨，产量达到13万吨，可满足国内80%以上市场需求，形成约占世界市场40%的良好态势。

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2012年市场供需失衡压力持续增大，产业整合不可避免。2011年中国电池组件企业约156家（产能超过35GW），相对光伏需求量远远供过于求，需求增速远不及产能扩张。并且国内光伏企业可能遭受国外资本的入侵。

2012年产品价格仍将下跌，企业经营压力增大。

2012年美舞“双反”大棒，产业面临严峻贸易保护挑战。 2012年各路资本竞逐光伏产业，行业竞争愈加残酷。

在不到10年的时间里，中国光伏从“天方夜谭”般的概念发展成为全球化程度极高、产业规模位列世界前三的新兴产业。2007年中国光伏产品出口额达到28.38亿美元，增速达到惊人的1161.97%，可以说2006-2009年是中国光伏产业发展最迅猛的时期。截至2011年年底，中国光伏产品出口额已经达到358亿美元，同比增长17.38%。然而，这个基本依靠搭乘德、意等欧洲国家发展新能源的大潮而一夜崛起的行业，由于有近90%的市场在外，始终无法摆脱看别人脸色度日的命运。尤其是近两年，全球金融危机导致的欧美市场疲软，已经对整个中国光伏造成重创，美国于2011年年底发动的反倾销、反补贴的“双反”调查，更是把这种困境推到极致。

2011年中国光伏产品出口市场主要是欧洲、亚洲和北美洲，其中以欧洲为首，占56.94%，亚洲占21.15%，北美洲占16.54%，其出口额分别为204.00亿美元、75.77亿美元及59.26亿美元。

中国光伏产品出口前三位的国家分别是德国、荷兰和美国。另外欧洲主要以德国、荷兰和意大利为主，亚洲主要是澳大利亚和日本，北美洲主要以美国为主。

3.1.5 世界光伏发展预测 3.1.5.1 欧洲光伏行业发展预测

未来欧洲光伏行业的发展将会呈现以下特征：

首先，政策的“摇摆”依然会贯穿始终，成为决定欧洲乃至整个全球光伏产业走势的关键因素。自2008年金融危机过后，削减光伏领域的补贴，似乎已经成为欧洲各国政府的一大要务。以曾经的欧洲也是全球第一大光伏应用国--西班牙为开端，德国、意大利、捷克、法国、英国、比利时等国家的削减补贴行为接踵而至。据OFweek行业研究中心统计，2008年-2011年底，欧洲各国政府累计削减光伏补贴的次数高达近百次。

其次，企业倒闭潮将愈演愈烈。

纵观2011年全球光伏产业的发展历程，除了政策摇摆不定、需求持续低迷、价格一路下跌等关键词之外，破产倒闭潮起也是其中的重要组成部分，而欧洲老牌光伏企业则成为倒下去的“主力军”。

未来随着终端市场需求的不断扩大，欧洲老牌光伏企业能否重现昔日的辉煌呢？OFweek行业研究中心认为，全球光伏产业发展到今天，制造环节的格局正经历着前所未有的调整，欧洲老牌光伏企业所遭遇的困境，并非只是暂时的“谢幕”，而是产业链重新调整区域分工之后的必然选择。因此未来一两年之内，欧洲老牌光伏企业不仅难现昔日的辉煌，相反倒闭潮

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将会愈演愈烈。

再次，装机容量占全球的比例将愈来愈低。

未来欧洲光伏市场依然会不断“向前”，但这种向前的幅度很大程度上取决于“不断降低的电价补贴”与“安装者所能接受的补贴额度”取得平衡的时间。

而虽然向前的幅度不容乐观。但不可否认，单就绝对安装量来讲，至少在未来两年，欧洲还会是全球光伏终端应用的核心区域。而在欧洲区域内部，德国，意大利的绝对安装量依然会领先其他欧洲国家，但增速将大大放缓，甚至会出现负增长。而奥地利、保加利亚、捷克共和国和罗马尼亚、英国、比利时、法国、西班牙和希腊等，将扮演2010年捷克（当年安装量超1.5GW）的角色。

而综合数据分析，不难得出欧洲光伏装机容量占全球的比例将愈来愈低的结论。2010年全球太阳能光伏安装量达到超18GW，当年欧洲国家的装机容量为1470万千瓦，欧洲占全球市场的比例达到80%。2011年全球光伏发电安装量突破27.7GW，同比2010年增长70%，创历史新高。意大利和德国成为全球安装量最高的国家，占全球市场60%。而欧年洲继续统领全球光伏市场，占全球市场的75%。2012年全球光伏装机容量小幅增长至28GW，欧洲装机容量则降至12GW左右，占全球市场的比例会降至42%左右。

3.1.5.2 北美光伏行业未来发展预测

在目前所看到的几乎所有分析中，北美市场无一例外都被看做未来全球光伏产业的主导市场。这一方面得益于这一区域良好的产业基础和传统；另一方面则是近年来美国、加拿大联邦政府及各州省政府给予产业的强有力的支持政策。

特别是美国联邦政府，作为在金融危机中就职的美国总统，奥巴马选择把发展新能源作为化“危”为“机”、重振美国经济的主要政策手段，以期摆脱美国对外国石油的依赖，在新能源领域占领制高点，继续使美国充当世界经济“领头羊”。而在美国的经济刺激计划中，新能源为主攻领域之一，太阳能则是重中之重。奥巴马政府计划到2012年，使美国发电量的10%来自可再生能源等，2025年这一比例达到25%。为此，美国政府将在未来投入1500亿美元资助包括太阳能在内的替代能源研究，并为相关公司提供税收优惠。

而正是在这些政策的扶持下，美国光伏产业在2008-2011年这一周期获得了前所未有的发展，光伏产业增长率及所创造的就业岗位、终端市场安装量等指标都出现了大幅度的增长。比如：2010年美国光伏产业的增长率达到69%，成为美国经济当中增速最快的产业之一。另外，截止2011年底，美国光伏产业创造了超过10万个就业岗位，这一数字是2009年的两倍。而美国光伏市场的新增安装量2010年倍增至878MW，2011年更是一举达到1600MW的最新纪录。

展望未来几年，OFweek行业研究中心认为，虽然同样会遭遇到一系列困境，但总体来讲，北美光伏行业的发展依然会保持在高位增长的状态。

首先在终端安装方面，北美市场的安装量逐年上升之后，占全球市场的比例也会提升（2010年6%、2011年7%、2012年10%）。而在这其中，美国市场的增长情况尤为值得关注。

其次，北美域未来几年有望成为中国（包括台湾地区）之外的又一光伏制造基地。OFweek

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行业研究中心高级分析师Siro认为，与欧洲类似，在2011年持续至今的倒闭潮中，北美区域的光伏企业也在经受着前所未有的考验，但这并不意味着北美区域在全球光伏制造环节所占的比重会逐年降低。相反，由于终端市场活力无限，除了产业洗牌过程中存活下来的企业会不断扩张之外，中国等海外企业迫于贸易纠纷等因素向北美区域逆向布局，也会巩固，乃至加强北美区域在光伏制造环节的地位。另外，北美区域不少企业在第三代光伏技术的提前布局，也是其未来夺取市场占有率的关键。

3.1.5.3 中国光伏行业未来发展预测

全球光伏产业的发展正在经历着前所未有的变局，作为其中的最重要一极，中国光伏产业眼下的变局也是剧烈而深刻。从最初的仅在制造环节布局，到现如今在终端安装领域的强势崛起，中国光伏产业用了十年的时间，逐渐摆脱了贴上标签的“两头在外”的尴尬产业特征。

虽然过去十年中国光伏产业所经历的“大事”不计其数，但基本围绕“制造与应用双重博弈”这条主线。对中国的未来OFweek行业研究中心观点认为，与中国其他制造型行业的发展路径略有不同，在经历了前期的布局之后，光伏这一制造型行业将由基本完全出口（95%以上），向出口与内销并重的方向发展。而这一点完全得益于国内光伏市场的开启速度。

2010年中国光伏市场占全球的比例仅为3%，2011年已经上升到7%，而2012年这一比例将上升至18%。

除了终端安装市场的强势崛起，绝对安装量以及占全球市场的比例都将大幅提升之外，未来中国光伏制造环节的变局依旧会引人关注。

首先，产业内部的洗牌会不断加剧。整个2011年伴随着欧美不少老牌光伏企业的相继倒下，市场上有一种观点就是，这中间有很大一部分因素是中国光伏企业不断蚕食其市场份额所导致的结果。欧美光伏企业的倒下，可以从另一个层面理解为中国光伏企业的胜利。但事实果真如此吗？中国光伏产业整体的强大，并不代表个体光伏企业的风光无限。我们认为，未来一到两年中国光伏企业内部的洗牌程度，将丝毫不亚于2011年欧美光伏企业倒下的频率。

其次，民企主导中国光伏制造业的格局将被打破。过往十年是中国光伏产业奠定国际地位的十年，但与其他产业的成长路径不同，这中间国有企业的“不作为”足以称得上另类。但以2012年为节点，国有企业的“不作为”即将画上句号。这一方面是国有企业进军光伏制造环节的“欲望”驱使；另一方面，现有光伏制造企业（包括一线龙头企业）的经营普遍困难，也给了国有企业入主这一环节的机遇。

最后，我们看到中国光伏制造业日益增强的国际影响力的同时，也不能忽视随时可能爆发的贸易纠纷。301调查、双反调查只是一个开端，未来类似的争端会一直伴随产业的发展进程。另外，我们讲中国光伏制造业现阶段以及未来的发展都被看好，但并不意味着其他区域无法完成“弯道”超车，比如前面所谈到，北美光伏企业在第三代光伏技术领域的提前布局，应当可以看做是对中国光伏企业的一个“潜在威胁”。

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3.1.5.4 日本光伏行业未来发展预测

从未来发展来看，日本政府再度大力推广光伏应用的决心已经显露，这当然与目前全人类所面临的共同难题息息相关。

首先，不断增长的能源需求对全球每个国家提出了两个严峻挑战：气候变化和能源安全，世界各国政府正在采取行动应对这些挑战。IEA（国际能源署）已经给出这样的预测：全球能源需求将持续增长，但增长步伐将比近几十年放缓，化石燃料的份额将从2008年的81%降至2035年的74%。而以太阳能光伏等为代表的新型清洁能源，必将会在未来的全球能源供应体系中占据相当重要的位置。这些恐怕是目前包括日本在内的全球各国大力推广太阳能光伏应用的最大原因所在。

其次，从更深层次来看，未来太阳能光伏的推广和应用或许将远远超出能源供应本身这一层级。由于产业本身所代表的“先进生产力”，以至于包括美国在内的不少国家已经把光伏产业推升到未来影响全球经济整体发展的高度，并加以大力扶持。对于曾经以技术“独步天下”的日本来讲，自然不愿在此方面落后世界诸强。而金融危机后日本不断加大在光伏研发领域的投入就是最好的例证。日本经济产业省的数据显示，2009年度日本在太阳能光伏研究开发方面的投入达到20亿日元，未来几年还会有更大笔的财政预算，力求将太阳能发电成本降至和火力、核力等同等水平。提高发电效率、缩减制造成本是重点支持方向。

2012年，日本通过实施与其他光伏领先国家相类似的上网电价补贴政策，并促建其市场打破住宅应用领域的束缚转向多样化发展，来着手准备更快速的市场发展。

除了政策延续带来的终端安装市场持续增长之外，日本光伏市场未来呈现的另一大变化就是海外光伏企业的大举进入。OFweek行业研究中心数据显示，2008年之前，日本光伏市场完全由本土组件制造商所占据，其中包括夏普、京瓷、松下(即此前的三洋)和三菱等。中国的尚德电力是在其住宅系统计划重新启动时进入日本市场的，成为了在日本市场内占有一席之地的三十多家非日本本土组件制造商之一。随着日本国内市场重新开始发展，进口组件所占市场份额大幅上涨，占到了2011年组件总供应链的20%。而未来几年这一数据将会呈继续攀升态势。

3.2 集成电路（集成电路(IC)和超大规模集成电路(VLSI)芯片制造）

1958年美国德克萨斯仪器公司发明全球第一块集成电路后，随着硅平面技术的发展，20世纪60年代先后发明双极型和MOS型两种重要电路，创造了一个前所未有的具有极强渗透力和旺盛生命力的新兴产业——集成电路产业。集成电路（integrated circuit，港台称之为积体电路）是一种微型电子器件或部件。采用一定的工艺，把一个电路中所需的晶体管、二极管、电阻、电容和电感等元件及布线互连一起，制作在一小块或几小块半导体晶片或介质基片上，然后封装在一个管壳内，成为具有所需电路功能的微型结构。其中所有元件在结构上已组成一个整体，这样，整个电路的体积大大缩小，且引出线和焊接点的数目也大为减少，从而使电子元件向着微小型化、低功耗和高可靠性方面迈进了一大步。它在电路中用字母“IC”（也有用文字符号“N”等）表示。集成电路具有体积小，重量轻，引出线和焊接点少，寿命长，可靠性高，性能好等优点，同时成本低，便于大规模生产。它不仅在工、民用电子设

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备如收录机、电视机、计算机等方面得到广泛的应用，同时在军事、通讯、遥控等方面也得到广泛的应用。

自20世纪70年代后期至今，集成电路芯片的发展基本上遵循GordonEM预言的摩尔定律，即每隔1.5年集成度增加1倍，芯片的特征尺寸每3年缩小2倍，芯片面积增加约1.5倍，芯片中晶体管数增加约4倍，也就是说大体上每3年就有一代新的IC产品问世。进入20世纪90年代后期，IC的发展更迅速，竞争更激烈，世界半导体工艺技术的发展更将加速，半导体制造厂商将会以更先进的技术加快升级换代以适应新的市场要求。

集成电路有多种分类方法，其中按集成度高低的不同可分为小规模集成电路、中规模集成电路、大规模集成电路、超大规模集成电路、特大规模集成电路和巨大规模集成电路。

集成电路产业链：一条完整的集成电路产业链除了包括设计、芯片制造和封装测试三个分支产业外，还包括集成电路设备制造、关键材料生产等相关支撑产业。如果按照集成电路产业链上下游产业划分，可简单的划分为集成电路设计业和制造业，其中制造业又衍生出代工业。美国是集成电路产品设计和创新的发源地，全球前20家集成电路设计公司大都在美国。集成电路代工业主要分布在亚洲，其中中国台湾地区和韩国是目前世界集成电路代工企业最重要的聚集地之一。

美国、日本、韩国和台湾地区是当今世界集成电路产业的佼佼者，尤其美、日和欧洲等国家占据产业链的上游，掌握着设计、生产、装备等核心技术。随着信息产品市场需求的增长，尤其通过通信、计算机与互联网、电子商务、数字视听等电子产品的需求增长，世界集成电路市场在其带动下高速增长。多年来，世界集成电路产业一直以3～4倍于国民经济增长速度迅猛发展，新技术、新产品不断涌现。随着集成电路集成度的不断提高，电路的线宽越来越细，20世纪90年代末以来，集成电路制作技术竞争更为激烈，发展速度更为加快，多种更细的线宽也相继量产。世界集成电路大生产现已进入纳米时代，2008年全球多条90纳米/12英寸的生产线用于规模化生产，基于70～65纳米水平线宽的生产技术已基本成形，Intel公司的CPU芯片已经采用45纳米的生产工艺。而目前，国际上32纳米工艺也已实现量产，随后几年（大约2015年前后）将导入18纳米工艺。

据统计，截至2011年美国共建立了54条8英寸集成电路生产线和20条12英寸生产线，分别占世界8英寸和12英寸集成电路生产线的31.0%和25.9%。欧洲总共有285座晶圆厂，其中4条12英寸生产线，共有12座晶圆厂具备65nm制造工艺，或者采用更先进的工艺过程制造技术。日本半导体技术及产业的总体水平与美国相当，日本共建立了75条8英寸集成电路生产线和16条12英寸生产线，分别占世界集成电路生产线的43.1%和20.8%。韩国共建立了19条8英寸集成电路生产线和8条12英寸生产线，韩国的8英寸生产线和12英寸生产线数量均少于中国台湾地区。中国台湾地区共建立了23条8英寸集成电路生产线和25条12英寸生产线，12英寸集成电路生产线的条数居全球首位，占世界12英寸集成电路生产线的32.5%。中国大陆地区集成电路芯片生产线目前还是以8英寸以下为主，生产水平和综合能力处于较低水平，45nm以下生产技术还处于研发或小批量生产阶段。目前中国（未包含台湾）共建立了集成电路芯片生产线66条，其中晶圆尺寸4、5、6、8、12英寸的生产线数量分别为13、11、20、16、6，其中6英寸以下生线数量占66.6%。

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集成电路是典型的知识密集型、技术密集型、资本密集和人才密集型的高科技产业。在充分借鉴国外产业发展规律的基础上，中国集成电路产业走出了一条设计、制造、封装测试三业并举，各自相对独立发展的格局。到目前，中国集成电路产业已经形成了IC设计、芯片制造、封装测试三业并举及支撑配套业共同发展的较为完善的产业链格局。

2006～2010年“十一五”期间，中国集成电路产业延续了自2000年以来快速发展的势头，克服了全球金融危机和集成电路产业硅周期的双重影响，产业整体实力显著提升，对电子信息产业以及经济社会发展的支撑带动作用日益显现。①产业规模持续扩大，产业规模翻了一番。产量和销售收入分别从2005年的265.8亿块和702亿元，提高到2010年的652.5亿块和1440亿元，占全球集成电路市场比重从2005年的4.5%提高到2010年的8.6%。中国国内市场规模从2005年的3800亿元扩大到2010年的7350亿元，占全球集成电路市场份额的43.8%。②创新能力显著提升。在《核心电子器件、高端通用芯片及基础软件产品》和《极大规模集成电路制造装备及成套工艺》等国家科技重大专项等科技项目的支持下，大部分设计企业具备0.25微米以下及百万门设计能力，先进设计能力达到40纳米，中央处理器（CPU）、数字信号处理器（DSP）、微控制单元（MCU）、存储器等高端通用芯片取得重大突破，时分同步码分多址接入（TD-SCDMA）芯片、数字电视芯片和信息安全芯片等一批系统级芯片（SoC）产品实现规模量产；芯片制造能力持续增强，65纳米先进工艺和高压工艺、模拟工艺等特色技术实现规模生产；方形扁平无引脚封装（QFN）、球栅阵列封装（BGA）、圆片级封装（WLP）等各种先进封装技术开发成功并产业化；高密度离子刻蚀机、大角度离子注入机、45纳米清洗设备等重要装备应用于生产线，光刻胶、封装材料、靶材等关键材料技术取得明显进展。③产业结构进一步优化。中国集成电路产业形成了芯片设计、芯片制造和封装测试三业并举、较为协调的发展格局。设计业销售收入占全行业比重逐年提高，由2005年的17.7 %提高到2010年的25.3%；芯片制造业比重保持在1/3左右；集成电路专用设备、仪器与材料业形成一定的产业规模，有力支撑了集成电路产业，以及太阳能光伏产业和光电产业的发展。④企业实力明显增强。四家集成电路企业进入电子信息百强行列。集成电路设计企业销售收入超过1亿元的有60多家，2010年进入设计企业前十名的入围条件为6亿元，比2005年提高了一倍多，排名第一的海思半导体销售收入为44.2亿元；制造企业销售收入超过100亿元的有2家，中芯国际65纳米制造工艺已占全部产能的9%，是全球第四大芯片代工企业；在封装测试企业前十名中，中资企业的地位明显提升，长电科技已进入全球十大封装测试企业行列。⑤产业聚集效应更加凸显。依托市场、人才、资金等优势，长三角、京津环渤海地区和泛珠三角的集成电路产业继续迅速发展，5个国家级集成电路产业园区和8个集成电路设计产业化基地的聚集和带动作用更加明显。坚持特色发展之路，作为发展侧翼，武汉、成都、重庆和西安等中西部地区日益发挥重要作用。

尽管“十一五”期间成绩显著，但是中国集成电路产业仍存在诸多问题。产业规模不大，自给能力不足，产品国内市场占有率仍然较低；企业规模小且分散，持续创新能力不强，核心技术少，与国外先进水平有较大差距；价值链整合能力不强，芯片与整机联动机制尚未形成，自主研发的芯片大都未挤入重点整机应用领域；产业链不完善，专用设备、仪器和材料发展滞后等等。

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受全球经济不景气的影响，中国集成电路(IC)产业在2008年首次出现负增长之后，在2009年继续呈现下滑之势，但在年初触底后逐渐降幅收窄，随着国家拉动内需政策的迅速制定与深入实施，以及国际市场环境的逐步回暖，2009年国内集成电路产业呈现显著的回升势头。2009年产业销售额规模为1109.13亿元。2010年中国集成电路市场规模7349.5亿元，市场增长29.5%，中国集成电路进口额达1569.9亿美元，同比增速31.0%，出口方面，中国集成电路2010年出口额为292.5亿美元，同比增速25.5%。可以看出，中国集成电路产品进出口差额较大，中国所需的集成电路多数仍然需要进口，中国集成电路市场的发展速度也基本与进口规模的增速保持一致。2012年1-3月中国集成电路产业销售额达354.24亿元，同比增长0.8%；产量215.4亿块，同比增长0.7%。进出口方面，2012年第一季度集成电路进口金额为399.2亿美元，同比增长3.4%；出口金额198.9亿美元，同比增长2.8%。从具体细分领域来看，2012年第一季度中国IC设计业继续保持较快增长，行业销售额同比增长21.5%，规模达到51.42亿元。而受国内外半导体市场需求不振的影响，一季度芯片制造业和封装测试业双双出现下滑，其中芯片制造业同比下滑7.1%，规模为104.8亿元；封装测试企业下滑3.1%，规模为155.71亿元。

2000年，中国集成电路产业的总销售额只有186.2亿元，而2010年的销售额超过1300亿元，在十年的时间里翻了7番，年均增长率达到21.7%，产业增速始终保持高于全球集成电路产业增速约10个百分点，占全球集成电路市场份额从2000年的1.2%提高到2009年的8.5%。过去十年全球集成电路市场重心逐渐由欧美向亚太转移。2001年全球集成电路市场基本上还是北美、欧洲、日本、亚太四分天下，四大区域市场各占全球百分之二十几的比重。2011年初日本地震给日本集成电路产业发展带来严重的负面影响，这对中国集成电路产业发展带来新机遇。十年后，中国集成电路市场已成为全球第一大集成电路消费市场，成为全球集成电路巨头鏖战的主战场。从全球集成电路应用结构来看，集成电路消费市场在计算机领域有所下降，而在消费电子、网络通信、汽车电子等嵌入式领域增长较快，将慢慢从计算机消费为主进入嵌入式产品驱动的后PC时代。这种变化有利于中国集成电路企业把握机会、发挥自身优势，在消费电子产品、网络通信、汽车电子等嵌入式领域迎头赶上。

未来几年，中国集成电路市场将在反弹和调整中持续稳步发展，物联网、低碳、智能电网、光伏产业、无线技术及其应用市场将在未来进一步推动中国半导体市场发展。

整体来看，2010-2012年，中国集成电路市场年复合增长率将达到13.8%，到2012年，市场规模将达到8354亿元。但集成电路市场的发展速度将不会再现前几年的高速增长态势，平稳增长将成为未来中国集成电路市场发展的主要形势。同时中国政府一直扶持集成电路产业的发展，未来中国集成电路的产业环境和投资环境将继续向好。全球集成电路市场重心逐渐由欧美向亚太转移。2001年全球集成电路市场基本上还是北美、欧洲、日本、亚太四分天下，四大区域市场各占全球百分之二十几的比重。中国集成电路市场已成为全球第一大集成电路消费市场，成为全球集成电路巨头鏖战的主战场。从全球集成电路应用结构来看，集成电路消费市场在计算机领域有所下降，而在消费电子、网络通信、汽车电子等嵌入式领域增长较快，将慢慢从计算机消费为主进入嵌入式产品驱动的后PC时代。

由于近时期国内光伏、多晶硅、LED等方面的亮点甚多，过去热衷于推动集成电路产业

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发展的各级地方政府跟风转向也是很正常的，至少让业界感觉之前的那股大力发展集成电路产业的热情己经消失。

目前中国集成电路产业面临的形势：

集成电路产业是全球主要国家或地区抢占的战略制高点。一方面，这一领域创新依然活跃，微细加工技术继续沿摩尔定律前行，市场竞争格局加速变化，资金、技术、人才高度密集带来的挑战愈发严峻。另一方面，多年来我国集成电路产业所聚集的技术创新活力、市场拓展能力、资源整合动力，以及广阔的市场潜力，为产业在未来五年实现快速发展、迈上新的台阶奠定了基础。

①战略性新兴产业的崛起为产业发展注入新动力

当前以移动互联网、三网融合、物联网、云计算、节能环保、高端装备为代表的战略性新兴产业快速发展，将成为继计算机、网络通信、消费电子之后，推动集成电路产业发展的新动力，多技术、多应用的融合催生新的集成电路产品出现。过去五年我国集成电路市场规模年均增速14%，2010年达到7349.5亿元。预计到2015年，国内集成电路市场规模将超过1万亿元。广阔、多层次的大市场为本土集成电路企业提供了发展空间。全球产业分工细化的趋势，也为后进国家进入全球细分市场带来了机遇。

②集成电路技术演进路线越来越清晰

一方面，追求更低功耗、更高集成度、更小体积依然是技术竞争的焦点，SoC 设计技术成为主导；芯片集成度不断提高，仍将沿摩尔定律继续前进。目前国际上32纳米工艺已实现量产，2015年将导入18纳米工艺。另一方面，产品功能多样化趋势明显，在追求更窄线宽的同时，利用各种成熟和特色制造工艺，采用系统级封装（SiP）、堆叠封装等先进封装技术，实现集成了数字和非数字的更多功能。此外，集成电路技术正孕育新的重大突破，新材料、新结构、新工艺将突破摩尔定律的物理极限，支持微电子技术持续向前发展。

③全球集成电路产业竞争格局继续发生深刻变化

当前全球集成电路产业格局进入重大调整期，主要国家/地区都把加快发展集成电路产业作为抢占新兴产业的战略制高点，投入了大量的创新要素和资源。金融危机后，英特尔、三星、德州仪器、台积电等加快先进工艺导入，加速资源整合、重组步伐，不断扩大产能，强化产业链核心环节控制力和上下游整合能力，急欲拉大与竞争对手的差距。行业门槛的进一步提高，对于资源要素和创新要素积累不足的国内集成电路企业而言，面临的挑战更为严峻。

④商业模式创新给产业在新一轮竞争中带来机遇

创新的内涵不断丰富，商业模式创新已成为企业赢得竞争优势的重要选择。当前，软硬件结合的系统级芯片、纳米级加工以及高密度封装的发展，对集成电路企业整合上下游产业链和生态链的能力提出了更高要求，推动虚拟整合元件厂商（IDM）模式兴起。特别是随着移动互联终端等新兴领域的发展，出现了“Google-ARM”、苹果等新的商业模式，原有的“WINTEL（微软和英特尔）体系”受到了较大挑战。

⑤新政策实施为产业发展营造更加良好的环境

“十二五”时期，国家科技重大专项的持续实施，发展战略性新兴产业的新要求，将推动集成电路核心技术突破，持续带动集成电路产业的大发展。《国务院关于印发进一步鼓励软

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件产业和集成电路产业发展若干政策的通知》（国发[2011]4号）保持了对《国务院关于印发鼓励软件产业和集成电路产业发展若干政策的通知》（国发[2000]18号）的延续，进一步加大了对集成电路产业的扶持力度，扩大了扶持范围，优惠政策覆盖了产业链各个环节，产业发展环境将进一步得到优化。

中国到“十二五”末发展目标：集成电路产量超过1500亿块，销售收入达3300 亿元，年均增长18 %，占世界集成电路市场份额的15%左右，满足国内近30 % 的市场需求；芯片设计业、芯片制造业、封装测试业三业均衡发；坚持合理区域布局的区域结构，继续强化以长三角、京津环渤海和泛珠三角的三大集聚区，以重庆、成都、西安、武汉为侧翼的产业布局，建成一批产业链完善、创新能力强、特色鲜明的产业集聚区；芯片设计业先进设计能力达到22纳米，开发一批具有自主知识产权的核心芯片，国内重点整机应用自主开发集成电路产品的比例达到30%以上；芯片制造业大生产技术达到12英寸、32纳米的成套工艺，逐步导入28纳米工艺，掌握先进高压工艺、MEMS工艺、锗硅工艺等特色工艺技术；封装测试业进入国际主流领域，进一步提高倒装焊（FC）、BGA、芯片级封装（CSP）、多芯片封装（MCP）等的技术水平，加强SiP、高密度三维（3D）封装等新型封装和测试技术的开发，实现规模生产能力；专用集成电路设备、仪器及材料方面，关键设备达到12英寸、32纳米工艺水平；12英寸硅单晶和外延片实现量产，关键材料在芯片制造工艺中得到应用，并取得量产。

“十二五”期间发展重点之一，壮大芯片制造业规模，增强先进和特色工艺能力。持续支持12英寸先进工艺制造线和8英寸/6英寸特色工艺制造线的技术升级和产能扩充。加快45纳米及以下制造工艺技术的研发与应用，加强标准工艺、特色工艺模块开发和IP核的开发。多渠道吸引投资进入集成电路领域，引导产业资源向有基础、有条件的企业和地区集聚，形成规模效应，推进集成电路芯片制造线建设的科学发展。

注：与集成电路相关的几个概念：

晶圆：多指单晶硅圆片，由普通硅沙拉制提炼而成，是最常用的半导体材料，按其直径分为4英寸、5英寸、6英寸、8英寸、12英寸等规格，近年来甚至发展出更大规格。晶圆越大，同一圆片上可生产的IC就多，可降低成本，但要求材料技术和生产技术更高。

光刻：IC生产的主要工艺手段，指用光技术在晶圆上刻蚀电路。

前、后工序：IC制造过程中，晶圆光刻的工艺(即所谓流片)，被称为前工序，这是IC制造的最要害技术；晶圆流片后，其切割、封装等工序被称为后工序。

线宽：4微米/1微米/0.6微米/0.35微米/90纳米等，是指IC生产工艺可达到的最小导线宽度，是IC工艺先进水平的主要指标。线宽越小，集成度就高，在同一面积上就集成更多电路单元。

封装：指把硅片上的电路管脚，用导线接引到外部接头处，以便与其它器件连接。

3.3 玻璃减薄（液晶显示器件制造）

液晶(LCD)面板按技术原理可分为TFT、STN、OLED等类别，其中TFT液晶面板是各类液晶显示器、电视机的关键部件之一，TFT（薄膜晶体管）依托显示效果、能耗和成本等方面优势，成为产业化最成熟和应用最广泛的技术。

全球TFT-LCD产业主要集中在日本、韩国和中国台湾，其企业占据行业绝大部分的市场

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份额。

平板显示器产业是信息社会的基础产业，而以TFT-LCD为代表的平板显示器是信息产业的核心器件，在经济社会中长期发挥着战略支撑作用。中国国内与国外有巨大的差距，为加快国内TFT-LCD产业发展，国家在政策上给予了大力扶持，在“十一五”期间就作为重点推进的电子器件专项，各地政府也对面板企业建设给予了大力支持，近年中国的TFT-LCD产业也得以蓬勃发展，产业规模高速扩张，已经成为了全球TFT-LCD产业的重要组成部分。但与国际巨头间还存在一定的差距。

TFT液晶面板行业概况：

①技术更新迅速，高代线基本被外方垄断。在需求推动下，TFT-LCD制造技术不断进步，生产线巳发展至第8代，高代线所产基板面积更大、切割大屏幕面板更经济。目前6-8代线主要生产高端大屏液晶电视用面板、4-5代线则主要生产普通电脑显示器用面板、更低代线或生产手机屏幕用面板或被淘汰。当前，全球TFT-LCD面板制造业集中于日、韩、台湾和中国大陆，其中日、韩、台基本垄断高代线，主要厂商为日本夏普、韩国三星和LG飞利浦、台湾友达光电和奇美5家，己投产8代线2条、7.5代线3条、7代线3条、6代线6条等。

目前中国国内面板企业尚未真正掌握高代线的核心技术，从生产设备和生产工艺专利技术看，前者日韩占据优势，后者美日占据优势。中国国内企业必须购买日韩等企业的设备和技术工艺专利等才能真正实现生产临界状态。从原材料看，液晶面板制造原材料主要包括液晶材料、透明电板材料、玻璃基板、导光板、彩色滤光片以及光学蚀刻和化学蚀刻耗材等，其中玻璃基板和彩色滤光片大概占据液品彩电整机成本的15%以上，重要性较高，但市场大部分由日美控制，其中玻璃基板市场，美国康宁市场占比达到近5096，其余为日本旭硝子、电气硝子、板硝子控制：液晶面板彩色滤光片市场，美国3M占据全球市场八成份额。因此，目前中国国内在建或拟建项目仍面临设备、技术和原料受制于外方、成本居高不下的不利局面。

②国内主流企业处于亏损状态，行业发展趋势不容乐观。

自2004年下半年开始，液晶面板价格大幅度下降，且下降趋势一直延续至2009年四季度，TFT-LCD始终处于行业低谷期。2008年下半年，受金融危机影响，需求下降，TFT-LCD面板价格下跌幅度进一步加大，以32寸面板为例，价格由340美元降至170美元，企业开工不足。

2008年下半年中国台湾、日本、韩国等地的7.5代线、8代线、8.5代线等高世代液晶面板生产线普遍出现亏损，即使在经济呈现回暖迹象的2010年上半年，友达、奇美等台湾液晶面板厂家仍未盈利。国内主流企业京东方、龙腾光电、上广电、深天马等在技术和经验上均逊于国际面板巨头，2010年上半年无一例外严重亏损，上广电巳停产重组。经历本轮价格波动后，包括高端产品在内的各类面板利润大幅压缩，国内在建或拟建项目（特别是2008年中期前规划上马的项目）规划时的预期盈利已难以达到，回报期将明显延长。

③中国国内面板产业投资力度较大，存在产能过剩系统性风险。中国国内TFT-LCD面板制造产业主要厂商为京东方、上广电、龙腾光电3家，各拥有1条5代线，其中：京东方、上广电为国企；龙腾光电则为台资背景。在两方面因素影响下，2007年下半年起国内面板产

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业投资力度加大，各地政府积极给予配套政策扶持：一是国内电视产业升级较快，带动面板需求大幅上升：二是商代线项目投资规模大（8代线总投资约40亿美元），且可带动上游玻璃基板、下游模组等配套产业，预期对地方经济促进作用明显。现中国国内在建或拟建的高代线已有9条，另有多个项目在规划中。该产业短期内上马项目过多，除国内在建和拟建项目外，日、韩、台厂商2009年中期亦纷纷上马8代或更高代线，均为2011-2012年进入达产期，竞争趋于激烈，预计2012年大屏面板产能将过剩约20%，企业产能利用率预计普遍在70%左右。

4 国内外超净高纯氢氟酸需求

随着IC存储容量的逐渐增大，存储器电池的蓄电量需要尽可能的增大，因此氧化膜变得更薄，而超净高纯试剂中的碱金属杂质(Na、Ca等)会溶进氧化膜中，从而导致耐绝缘电压下降；若重金属杂质(Cu、Fe、Cr、Ag等)附着在硅晶片的表面上，会使P-N结耐电压降低。杂质分子或离子的附着又是造成腐蚀或漏电等化学故障的主要原因。因此，随着微电子技术的飞速发展，对超净高纯试剂的要求也越来越高，不同级别超净高纯剂中的金属杂质和颗粒的含量要求各不相同，而配套于不同线宽的IC工艺技术。

国外20世纪60年代便开始生产电子工业用试剂，并为微细加工技术的发展而不断开发新的产品。到目前为止，在国际上以德国E.Merck公司的产量及所占市场份额为最大，其次为美国Ashland、Olin公司及日本的关东株式会社，另外还有美国的MallinckradtBaker公司、英国的B.D.H.公司、前全苏化学试剂和高纯物质研究所、三菱瓦斯化学、伊期曼化学公司、AlliedSig-nal公司、Chemtech公司、PVS化学品公司、日本化学工业公司及德山公司等。21世纪初，新加坡、台湾地区也相继建立了5000~10000t级的超净高纯试剂生产基地。

电子级氢氟酸主要是作为清洗剂和蚀刻剂用于光伏产业、集成电路和玻璃减薄等行业，是关键辅助材料之一。在光伏产业中，用于硅片表面清洗、蚀刻；在集成电路和超大规模集成电路制造中，用于晶圆表面清洗、芯片加工过程的清洗和腐蚀等；在玻璃减薄行业中，用于液晶显示器玻璃基板的清洗、氮化硅及二氧化硅蚀刻等。目前，光伏产业中电子级氢氟酸需求量最大，约占总量45%。

2009年，全球电子级氢氟酸市场消费量约为15万吨／年，按地区来统计，主要消费地区有东亚、北美、欧盟等。其中，东亚地区占首位，约占总消费的45%，北美地区约占15%，欧盟地区约占14%，其他地区约占26%。

图1 电子级氢氟酸消费区域图

按国家与地区来统计，2009年电子级氢氟酸市场消费分别为美国1.38万吨居首位，日

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本1.31万吨居第二位，欧盟1.25万吨，中国台湾0.85万吨。

图2 2009年全球主要电子级氢氟酸消费国消费状况

电子级氢氟酸的生产主要集中在电子行业发达的国家及地区，如日本、中国台湾、欧盟等，国内近期电子级氢氟酸发展较快，2009年全球年总生产能力在15万吨，市场供需基本平衡。据最新不完全统计*，国内外高纯氢氟酸产能大于18.49万吨/年。其中国外大于4.2万吨/年，中国大陆高纯氢氟酸产能大于12.52万吨/年（包括已建大于2.72万吨/年，在建约5.2万吨/年，拟建约5.1万吨/年），中国台湾地区大于1.77万吨/年。从发展趋势来看，国外产能在萎缩，中国电子氢氟酸产能增长较快。（注* 见李冬永的《国内外超净高纯氢氟酸产能调研（2012-7）》）

图3 2005～2009年国外电子级氢氟酸产量

图4 2010～2012年国外电子级氢氟酸产量预测图

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图5 2009～2012年国外电子级氢氟酸消费量

在光伏产业中，高纯氢氟酸用于硅片表面清洗、蚀刻。在太阳能电池片生产制造中，通过化学腐蚀法也即把硅片放在氢氟酸溶液中浸泡，使其产生化学反应生成可溶性的络合物和六氟硅酸，以除去扩散制结后在硅片表面形成的一层磷硅玻璃。

近几年全球光伏产业新增装机容量、电子级氢氟酸需求量统计与预测

表3 2009～2015年全球光伏产业新增装机容量、电子级氢氟酸需求量统计与预测

年间 2009年 2010年 2011年 2012年 2013年 2014年 2015年 新增装机容量(GW) 7.2 16.3 26.7（27.7*） 26.5 35 45 60 电子级氢氟酸需求量（万吨／年） 2 4.5 8 8 10 12 14 *资料来源：OFweek行业研究中心EPIA 近几年全球光伏产业新增装机容量统计与预测图

图6 近年全球光伏产业新增装机容量统计与预测图

中国从1958年开始研制太阳能电池，2000年后进入快速发展期。2010年，中国太阳能

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电池的总生产能力已超过20GW，实际产量达到13GW，占全球总量的50%左右，所需电子级氢氟酸约为3.7万吨。中国已经成为全球最大的光伏电池生产国，数据表明，到2011年底中国晶体硅电池和组件制造环节产能足以满足当年的全球光伏市场需求。

表4 2010～2011年中国光伏产能及产量 类别 多晶硅（万吨） 硅锭/硅片（GW） 晶体硅电池（GW） 薄膜电池（GW） 2010产能 2010产量 2011产能 2011产量 8.5 23 21 2.5 4.5 11 10 0.5 16 45 40 3 8.3 24 23 0.8

图7 2004-2010年中国太阳能电池产量统计图

中国的太阳能电池生产能力位居世界首位，但因使用太阳能电池发电的高成本限制了国内光伏产业的发展，95%产品输送至海外市场，出口地区主要为欧洲、美国、捷克和日本等。

表5 2007-2010年太阳能电池出口统计表

项目 出口额亿美元 增长率 2007年 34.9 147% 2008年 58.3 67.1% 2009年 87 49.2% 2010年 201.9 132.1% 随着全球经济的恢复，光伏产业将会继续强劲发展。并且，随着中国国内光伏激励政策的不断推出，中国太阳能电池市场业将会出现快速增长。相应的电子级氢氟酸需求量也会不断上升，年需求量约达到4万吨。

国际环境复杂，中国光伏产业面临诸多挑战。纵观中国光伏上市企业2011年的财务报表，整体表现比2010年差，尤其体现在毛利率的下滑和现金流的紧张方面。伴随着国内光伏企业的生存压力逐渐扩大，国际上的知名光伏企业由于在成本竞争上与“中国制造”存在一定的差距，其面临的局面更为严峻。整个2011年度，国际光伏企业宣布裁员或破产的消息不绝于耳，这些企业涉及光伏产业的各个生产环节。甚至一些知名公司也出现了关闭部分产能或进行裁员的举动。在整个光伏行业生存面临困境的情况下，个别欧美光伏企业迁怒于中国光伏企业的快速增长，认为中国光伏制造企业在国际竞争中，由于受到政府补助，处于非公平竞

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争状态。因此，2011年11月8日美国商务部正式发起针对中国输美太阳能产品的“反倾销、反补贴”调查。这一事件本身对全球的光伏制造企业都造成了极为重大的影响。2012年7月欧洲也有发起针对中国光伏制造企业“双反”。尽管中国光伏产业面临诸多挑战，但国际国内对新能源的的发展势头不可挡，所以相应的电子级氢氟酸的需求将仍是刚性需求。

在集成电路和超大规模集成电路制造中，高纯氢氟酸用于晶圆表面清洗、芯片加工过程的清洗和腐蚀等。近些年，国内IC集成电路行业是全世界发展最快的地区之一，同时，为争夺中国市场，国外企业纷纷向国内进行产业转移，且速度正在加大。目前该产业电子级氢氟酸年需求量约2～3万吨，能达到平稳增长。

在玻璃减薄行业中，高纯氢氟酸用于液晶显示器玻璃基板的清洗、氮化硅及二氧化硅蚀刻等。全球液晶面板产业主要集中在日本、韩国和中国台湾，其企业占据行业绝大部分的市场份额。目前行业内的显示器减薄业务处于市场发展期，对于兴起的这一电子行业的配套产业，主要集中在江苏等沿海一带，近几年也在逐年上升，年市场需求量约2万吨。

总的来说，中国国内电子级氢氟酸将来年需求量约8～9万吨，也是全球最大的需求用量国。

5 客户和潜在客户

表6 中国国内光伏企业

序号 所在省份 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19

企业名称 湖南神舟光电能源有限公司 湖南天利恩泽太阳能科技有限公司 晶鑫新能源科技有限公司 湖南红太阳光电科技有限公司 广东爱康太阳能科技有限公司 南玻光伏科技有限公司 广东市茂阳电子科技有限公司 揭阳中诚集团太阳能光伏产业项目 海南天聚太阳能有限公司 湖北健多新能源有限公司 天威新能源武汉有限公司 宜昌南玻硅材料有限公司 湖北晶星科技股份有限公司 武汉东立光伏电子有限公司 江西天能电力股份有限公司 江西赛维LDK太阳能高科技有限公司 江西升阳光电科技有限公司 江西金泰新能源有限公司 江西泰明光伏有限公司 相关产品 晶硅电池片 晶硅电池片 多晶硅 晶硅电池片 晶硅电池片 晶硅电池片 晶硅电池片 晶硅电池片 晶硅电池片 晶硅电池片 晶硅电池片 多晶硅 多晶硅 多晶硅 晶硅电池片 多晶硅、硅片 晶硅电池片 晶硅电池片 晶硅电池片 湖南 湖南 湖南 湖南 广东 广东 广东 广东 海南 湖北 湖北 湖北 湖北 湖北 江西 江西 江西 江西 江西 19

序号 所在省份 20 21 22 23 24 25 26 27 28 29 30 31 32 33 34 35 36 37 38 39 40 41 42 43 44 45 46 47 48 49 50 51 52 53 54

企业名称 江西瑞阳太阳能科技有限公司 江西格美科技股份有限公司 新余吉阳控股股份有限公司 江西通能硅材料有限公司 江西景德镇半导体新材料有限公司 四川永祥多晶硅股份有限公司 四川乐电天威硅业科技有限公司 四川瑞能硅材料有限公司 天威四川硅业有限公司 东方电气集团峨嵋半导体材料有限公司 四川新光硅业科技有限公司 雅安永旺硅业有限公司 重新大全新能源有限公司 江苏新久力太阳能科技有限公司 海润光伏科技发展有限公司 江苏格林保尔光伏有限公司 江阴浚鑫科技有限公司 竞日光伏科技南京分公司 昊诚光电（太仓）有限公司 江阴市爱多光伏科技有限公司 无锡尚品太阳能电力科技有限公司 江苏顺风光电科技有限公司 镇江大全太阳能有限公司 江苏艾德太阳能科技有限公司 江苏伯乐达光伏有限公司 江苏腾飞电力科技有限公司 晶澳（扬州）太阳能科技有限公司 江苏玉阳太阳能有限公司 江阴市广业光电科技有限公司 江苏顺大半导体发展有限公司 江苏中能硅业发展有限公司 无锡中彩集团公司 连云港中彩科技有限公司 张家港市日晶科技有限公司 江苏特华新材料科技有限公司 相关产品 晶硅电池片 晶硅电池片 晶硅电池片 多晶硅 多晶硅 多晶硅 多晶硅 多晶硅 多晶硅 多晶硅 多晶硅 多晶硅 多晶硅 晶硅电池片 晶硅电池片 晶硅电池片 晶硅电池片 晶硅电池片 晶硅电池片 晶硅电池片 晶硅电池片 晶硅电池片 晶硅电池片 晶硅电池片 晶硅电池片 晶硅电池片 晶硅电池片 晶硅电池片 晶硅电池片 多晶硅 多晶硅 多晶硅 多晶硅 多晶硅 多晶硅 江西 江西 江西 江西 江西 四川 四川 四川 四川 四川 四川 四川 重庆 江苏 江苏 江苏 江苏 江苏 江苏 江苏 江苏 江苏 江苏 江苏 江苏 江苏 江苏 江苏 江苏 江苏 江苏 江苏 江苏 江苏 江苏 20

的情况来看，超净高纯电子级氢氟酸的发展我们是起步晚了，但我们作为专业大型的氟化工企业来说我们自身的优劣势：

优势：可以充分利用和盘活富裕资产，投资省；有良好的品牌资源和销售网络；综合的氟化物生产企业有资源综合利用优势（废酸利用及开发高品质下游氟化物产品），无水氢氟酸生产资源及技术优势；由于经济大势在低谷期，建设期将在低谷期，投资回收期可能位于上升期；真正先期进入者还不太多，不少在建者可能还在投资无水氢氟酸期，拟建者还较大的不确定性；太阳能光伏产业还是国家乃至世界的发展趋势，从长远看来市场将越来越大。

劣势：后进入者；可能存在产能过剩的风险；无技术优势，引进技术有掌握过程，且自我研发能力不足，技术进步能力不足；管理及机制上尚有严重不足。

建议可考虑先期小规模高品质品级发展，规模控制在0.3～0.5万吨/年，规划好场地和配置好合适人员，并一定在同期整顿和提高公司管理水平，加强公司人员特别是高中层理念的转变和贯彻执行力的改善。

知识点补充：

超净高纯电子级氢氟酸大多以无水氢氟酸为原料，通过高纯水制备、精馏、蒸馏、亚沸蒸馏、化学处理（如除砷）、气体吸收、超净过滤、洁净实验室和洁净包装等工序制备出不同等级产品。其中分析控制和产品检测、高纯水制备、洁净包装、洁净环境都属配套措施。

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