半导体材料的历史现状及研究进展(精)(3)

4、高纯化学试剂和特种电子气体的纯度要求将分别达到lppb~0.1ppb和6N 级以上,0.5μm以上的杂质颗粒必须控制在5个/毫升以下,金属杂质含量控制在ppt级,并将开发替代有毒气体的新品种电子气体。

半导体材料的历史现状及研究进展(精)

20世纪中叶,单晶硅和半导体晶体管的发明及其硅集成电路的研制成功,导致了电子工业革命;20世纪70年代初石英光导纤维材料和GaAs激光器的发明,促进了光纤通信技术迅速发展并逐步形成了高新技术产业,使人类进入了信息时代。超晶格概念的提出及其半导体超晶格、量子阱材料的研制成功,彻底改变了光电器件的设计思想,使半导体器件的设计与制造从“杂质工程”发展到“能带工程”。纳米科学技

术的发展和应用,将使人类能从原子、分子或纳米尺度水平上控制、操纵和制造功能强大的新型器件与电路,深刻地影响着世界的政治、经济格局和军事对抗的形式,彻底改变人们的生活方式。

参考文献:

[1]王占国,郑有炓等编著.半导体材料的研究进展. 北京:高等教育出版社,2012.

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[5]杨德仁等编著. 半导体材料测试与分析. 北京:科学出版社,2010.

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