高电压绝缘预防性试验 - 图文

绝缘预防性试验

一、绝缘预防性试验方法的分类

1、非破坏性试验：

特点：在低压下或用其它不损伤绝缘的办法来测量绝缘的各种特性，以判断绝缘缺陷，考验较弱，不能可靠判断绝缘的耐压水平。

试验项目有：绝缘电阻和吸收比的测量、直流泄漏电流的测量、介质损耗tgδ的测量、局部放电测量、油的气相色谱分析等。

2、破坏性试验：

特点：为重要的试验手段，在较高的试验电压下进行能揭露危险性较大的集中性缺陷， 考验严格。

试验项目有：直流耐压试验、交流工频耐压试验、冲击耐压试验。 试验顺序：先进行非破坏性试验，并且试验合格后，再进行破坏性试验。 三、试验项目介绍

试验1 绝缘电阻和吸收比的测量

目的：检查绝缘是否存在贯穿性的集中缺陷或整体受潮。 试验原理：绝缘电阻与吸收比（直流电压与稳定电流的比值）

当试验电压U一定时， 绝缘电阻 R = U / I （I为流过外电路的电流） i的大小随加压时间而变，由此，绝缘电阻R也随t 变化由小变大直至稳定。 测吸收比K：用兆欧表测量15s和60s时的绝缘电阻值，即R15和R60。

吸收比 K = R60” / R15” 对于不均匀介质：

若绝缘良好，吸收现象明显，K值将大于1（标准为≥1.3）； 若绝缘有缺陷时，i迅速下降，K值将趋近于1 试验设备：兆欧表

类型：有手动和电动两种

构造：手摇直流发电机+磁电系比率表

L——线路端子——

兆欧表有三个接线端子 ： E——接地端子——

G——保护端子（屏蔽） 电压等级有：500V、1000V、2500V。 规程规定：<100 V的设备——250V、≥50MΩ 100 V-500 V的设备——500V、≥100MΩ 500 V-3000 V的设备——1000V、≥2000MΩ 3000 V-10 KV的设备——2500V、≥10000MΩ ≥10 KV的设备————2500V或5000V、≥10000MΩ

兆欧表接线有线路端子L，接地端子E，屏蔽端子G；被试绝缘子接于L与Ｅ间。在靠近L附近的被试品上用铜线绕几匝作为屏蔽电极P，接到兆表屏蔽极G上。

（重点）测量步骤：

1、断开试品电源，将其充分对地放电

原因：介质内部的吸收电荷要释放出来，以防危及人身安全 方法：将接地线的接地端接地，然后将另一端挂在试品上 2、拆除试品外接连线、用清洁干净的软布擦去被套试品表面污垢 3、兆欧表末接试品前应预试

方法：将表水平放置，摇动手柄到额定转速，指针应指“∞”；将L与E端短接，指针应指向“O”。

4、正确接线。

L——试品的测量部分、E——试品的非测量部分、

G——试品表面部分（使兆欧表的读数不受绝缘表面泄漏电流的影响） 5、测量：以120转/分的均匀速度转动摇表，待指针稳定后读取绝缘电阻值。 6、最后将试品分批放电，时间不小于1min -2min。 7、测量时应记录当时温度，气象情况及日期。

测量结果分析：

采用纵向、横向比较的方法 （1） 与规程规定的值比较 （2） 同一设备的三相比较 （3）与历年的的试验数据比较

兆欧表的使用方法及要求 1. 测量前，应将兆欧表保持水平位置，左手按住表身，右手摇动兆欧表摇柄，转速约120r/min,

指针应指向无穷大(∞),否则说明兆欧表有故障。

2. 测量前，应切断被测电器及回路的电源，并对相关元件进行临时接地放电，以保证人身

与兆欧表的安全和测量结果准确。

3. 测量时必须正确接线。兆欧表共有3个接线端(L.E.G)。测量回路对地电阻时，L端与

回路的裸露导体连接，E端连接接地线或金属外壳；测量回路的绝缘电阻时，回路的首端与尾端分别与L.E连接；测量电缆的绝缘电阻时，为防止电缆表面泄漏电流对测量精度产生影响，应将电缆的屏蔽层接至G端。

4. 兆欧表接线柱引出的测量软线绝缘应良好，两根导线之间和导线与地之间应保持适当距

离，以免影响测量精度。

5. 摇动兆欧表时，不能用手接触兆欧表的接线柱和被测回路，以防触电。 6. 摇动兆欧表后，各接线柱之间不能短接，以免损坏。

试验2 泄漏电流试验

泄漏电流试验与绝缘电阻试验的异同 1、原理相同； 2、试验电压不同：

泄漏电流试验电压较高——10KV~40KV

绝缘电阻试验电压较低——2.5KV或1KV， 最高5KV

3、泄漏电流试验能揭露一些尚未完全贯通的集中性缺陷，但绝缘电阻与吸收比试验则不行。（只能揭示贯通的集中性缺陷） 4、泄漏电流测量的特点:

（1）能更加有效的发现一些尚未完全贯通的集中性缺陷；

（2）在试验升压过程中，可以随时监视微安表的指示，了解绝缘情况； 试验方法 试验接线：

说明：

（a） 接线，微安表接在低压端。读取安全方便但无法消除试品绝缘表

面的泄漏电流和高压引线的电晕电流所引起的测量误差

（b） 接线，微安表接在高压端。可避免误差，但操作需用绝缘棒。

一般采用半波整流电路，高压硅堆置高压侧，多采用（b）接线，以便能直接反映绝缘内部的泄漏电流。

试验仪器及设备 电压的产生——般用高压试验变压器及调压器产生可调高压，再经整流；也可直接采用串级直流装置。调压器应尽量采用自耦式，它不仅体积小，漏抗也小。试验变压器的容量为直流试验电压与泄漏电流的乘积，而泄漏电流较小，一般容量的试验变压器均可满足要求。

高压硅堆D—其额定反峰电压UFD≥22U或2Umax。硅堆D的平均整流电流应大于最大泄漏电流的2~3倍，当多只硅堆串联使用时，为使每只硅堆电压分配均匀，需并联均压电阻。

R保护电阻—采用水电阻，用以限制试品击穿时的短路电流。

C滤波电容—其使用是使试验电压的波形平稳，一般取0.1μF左右，如无合适的电容器，可用几个电压较低的电容器串联，以提高耐压强度。对于容量较大的试品，如电力电缆、大中型变压器线圈集中的试验中，C可以省略。

μA微安表—根据试品可能出现的最大泄漏电流值，选择合适的量程和准确度等级的直流微安表，最好能使用多量程的，可随时切换。

注意事项 1、应注意微安表保护

原因：被试品绝缘存在被击穿和放电的可能性；微安表的通流能力差。 在试验时，微安表应采取的保护线路如下：

C1——滤波电容，取0.5~5μf

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