电子技术基础 试题
此可判断:
1)U1=3.5V,U2=2.8V,U3 = 12V 因为 U2<U1<U3,且U12=0.7V
所以 它是NPN型硅管。1极为b极,2极为e极,3极为c极 2)U1= 3V,U2=2.8V,U3 = 12V
因为 U2<U1<U3,且U12=0.2V
所以 它是NPN型锗管。1极为b极,2极为e极,3极为c极 3)U1= 6V,U2=11.3V,U3=12V 因为 U1<U2<U3,且U23= –0.7V
所以 它是PNP型硅管。1极为c极,2极为b极,3极为e极 4) U1= 6V,U2=11.8V,U3=12V 因为 U1<U2<U3,且U23= –0.2V
所以 它是PNP型硅管。1极为c极,2极为b极,3极为e极
18.断图中各晶体管的工作状态 (饱和、放大、截止)。设管子均是硅管。
解:
(a)图中,U BE= 0.1-(-0.2)=0.3V>0,UBC=0.1-6= –5.9V<0,T1工作在放大状态。 (b)图中,若发射结正偏,则UB=UE+UBE=3.6+0.7=4.3V,UBC=UB-UC=4.3-1.4=2.9V,集电结将烧毁;所以三极管集电结正偏,发射结反偏,T2工作在倒置放大状态。 (c)图中,0.7V的电压不能使两个PN结导通,所以T3截止。 (d) 图 IB
6 0.76 (1 ) 1k
12 0.3
5.327
0.196mA
IBS
ICS
420
0.146mA
由于IB>IBS,所以T4饱和。
19.分别标出如图电路中电压VDD的极性,并指出管子类型。
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