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包络检波原理(2)

来源:网络收集 时间:2020-05-19 下载这篇文档 手机版
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理想:R>>RD,φ→0,Kd=1 实际例:

R=5.1kΩ,

RD=100Ω时:φ≈33,Kd≈0.84

o

o

R=4.7kΩ,RD=470Ω时:φ≈55,Kd≈0.55 通常取:Kd=0.5(-6dB)来估算检波器效率 (2)等效输入电阻 经推导:Ri=R/(2Kd) 理想:Kd=1时,Ri=R/2

实际:Kd<1 ,Ri更大(对前级有利)。 (3)非线性失真

原因: ①vs较小时,工作于非线性区; ②R较小时,RD的非线性作用↑。 解决:R足够大时,RD的非线性作用↓,R的直流电压负反馈作用↑。但R(RC)过大时,将产生:

(a)

惰性失真(τ跟不上v的变化);

s

(b)负峰切割失真(交流负载变化引起)。 (a)惰性失真(图9-20 p247)

由图可见,不产生惰性失真的条件: v包络在A点的下降速率≤C的放电速率

s

即:

例:

广播收音机:R=3.9KΩ时

若:mmax=0.8, Fmax=5KHz

则:C≤5000pF

电视接收机:R=3.9KΩ时

若:mmax=0.8, Fmax=6MHz

则:C≤5pF

(b)负峰切割失真(交流负载的影响及m的选择)

负峰切割失真示意(图9-21 p248)

C为耦合电容(很大)

c

直流负载为:R

交流负载为:R=(RRL)/(R+RL)

∵C很大,在一个周期内,V(不变)≈V(Kd≈1时)

c

c

s

∴V=V=V[R/(R+RL)]

R

AB

c

由图:临界不失真条件: V=V-mV≈V-mV=V(1-m)

smin

c

s

s

s

s

m较大时,若VR>Vsmin,则产生失真。 则要求:

例:

m=0.3,R=4.7kΩ时,要求:R≥2kΩ;

L

m=0.8,R=4.7kΩ时,要求:R≥4.7kΩ;

L

即:m较大时,要求负载阻抗R较大(负载较轻)。

L

负峰切割失真的改进:

(1)(图9-22 p248)

R=R1+R2

R=R1+(R2RL)/(R2+RL)=R1+R'

即:

R1足够大时,R'的影响减小,不易负峰切割失真。但R1过大时,VΩ的幅度下降,一般取R1/R2=0.1~0.2

(2)检波电路后接射随(Ri大),即检波电路的RL大。

(3)晶体管和集成电路包络检波,为直接耦合方式,不存在Cc

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